給力！三星單芯片16GB容量高性能閃存來了

三星宣布開始用10nm級(jí)別制程量產(chǎn)128Gb，3bit MLC NAND閃存芯片，這意味著單芯片16GB容量。憑借這種新芯片，三星可以擴(kuò)展其128GB閃存卡的供應(yīng)。

3bit MLC也叫做TLC，表示閃存芯片中的每個(gè)cell可以容納3bit數(shù)據(jù)。我們知道閃存芯片目前主要有三種類型，分別是SLC(single-level-cell), MLC( multi-level-cell)和TLC(triple-level-cell)。SLC的壽命較長(zhǎng)，而MLC和TLC比較便宜。三星計(jì)劃采用這種閃存芯片來量產(chǎn)500GB以上容量的SSD，進(jìn)一步推動(dòng)臺(tái)式機(jī)和筆記本中用SSD取代傳統(tǒng)硬盤。

另外，在Android手機(jī)中采用這種芯片也可以在手機(jī)體積不變的前提下增加其內(nèi)部存儲(chǔ)空間。

這種新閃存芯片在存儲(chǔ)密度和讀寫性能方面都達(dá)到目前業(yè)界最高標(biāo)準(zhǔn)——在DDR 2.0界面上可以達(dá)到400Mbps的數(shù)據(jù)傳輸率。