晶體管單管放大電路的三種基本接法

2.4 晶體管單管放大電路的三種基本接法

通過(guò)對(duì)單管共射放大電路的分析和計(jì)算,使得放大電路的組成原則更明確和具體了.放大的關(guān)鍵是發(fā)揮晶體管的控制作用.在共射電路中,晶體管的b-e為輸入端,c-e為輸出端,利用iB對(duì)iC的控制作用,實(shí)現(xiàn)了電流放大和電壓放大.有沒(méi)有其他的控制關(guān)系呢?比如,能不能用iB去控制iE?用iE去控制iC?用iC去控制iE?在實(shí)現(xiàn)這些控制的過(guò)程中,電路能不能得到功率的放大?我們先把這幾種電流控制關(guān)系的示意圖表示在下圖中,以便分析和比較.圖a是iB對(duì)iC的控制,是以e極為公共端,這就是前面介紹過(guò)的共射接法;圖b是iB對(duì)iE的控制,以c極為公共端,稱為共集接法;圖c和圖d是共基接法.下面我們分別分析后兩種接法組成的放大電路.

2.4.1 共集放大電路

一.電路的組成

如前所述,電路要能放大,晶體管應(yīng)工作在放大區(qū),即UBE>0,UBC<0,所以電源和電阻的設(shè)置要滿足這些條件.其基本電路如圖所示.VBB和Rb及Re相配合,給晶體管設(shè)置合適的基極電流;VCC提供了晶體管的集電極電流和輸出電流.交流信號(hào)ui從基極輸入,產(chǎn)生變化的基極電流iB,再通過(guò)晶體管得到了放大了的iE,而變化的iE流過(guò)電阻Re得到了變化的電壓,從發(fā)射極輸出.對(duì)于交流信號(hào)來(lái)說(shuō),集電極是公共端,所以是共集放大電路.

二. 靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算

我們介紹用等效電路的方法來(lái)計(jì)算電路的靜態(tài)工作點(diǎn).我們先畫出原電路的直流通路,如圖所示,然后再將晶體管用簡(jiǎn)化直流模型代替,得到如圖所示的等效電路.

根據(jù)圖可以列出方程求解.

輸入回路 VBB=IBQ*Rb+Uon+IEQ*Re=IBQ*Rb+Uon+(1+貝塔)*IBQ*Re

IBQ=(VBB-Uon)/(Rb+(1+貝塔)*Re)

輸出回路 ICQ=貝塔*IBQ

UCEQ=VCC-IEQ*Re約=VCC-ICQ*Re

這樣就很方便地求出靜態(tài)工作點(diǎn)的數(shù)值.

三. 交流性能的計(jì)算

如圖為原電路的交流通路,圖b是將圖a的樣子變了一下,使之成為共集的形式.圖c是將圖b中的晶體管用如圖所示的簡(jiǎn)化h參數(shù)模型代替后的等效電路.根據(jù)如圖所示的等效電路可算出Au

Au=Uo/Ui=(Ie*Re)/(Ib*(Rb+rbe)+Ie*Re)=(1+貝塔)*Ib*Re/(Ib*(Rb+rbe)+(1+貝塔)*Ib*Re)

=(1+貝塔)*Re/(Rb+rbe+(1+貝塔)*Re)

我們發(fā)現(xiàn):(1)Au是正值.這說(shuō)明Uo和Ui是同相的;(2)Au是小于1的,但在(1+貝塔)*Re比(Rb+rbe)大得多的情況下,Au將接近于1.雖然Au略小于1,但它的輸出電流Ie比輸入電流Ib要大很多,因此這個(gè)電路仍有功率放大作用由于它的Uo近似等于Ui,二者同相,又因?yàn)槭菑陌l(fā)射極輸出,所以也被稱為射極輸出電路,或稱為射極跟隨器.它的電壓傳輸特性讀者可自行畫出.電路的輸入電阻Ri是

Ri=Ui/Ii=Ui/Ib=(Ib*(Rb+rbe)+(1+貝塔)*Ib*Re)/Ib

Ri=Rb+rbe+(1+貝塔)*Re

可見共集電路的輸入電阻與共射基本電路的輸入電阻相比要大得多.輸出電阻Ro的計(jì)算方法同共射放大電路.我們令Ui=0,在輸出端加電壓Uo,通過(guò)Io來(lái)求Ro.此時(shí)的等效電路如圖所示.從圖中可以看到輸出電阻Ro可以看成是Re和Ro'的并聯(lián).其中Ro'是從Re左邊向左看進(jìn)去的等效電阻.

Ro'=Uo/(-Ie)=Uo/(-(1+貝塔)*Ib)

由于Uo是接在e-c之間的,Rb+rbe也是接在e-c之間,且流過(guò)的電流是Ib,按所設(shè)正方向Uo=-(Rb+rbe)*Ib,故

Ro'=(1/(1+貝塔))*(Uo/-Ib)=(1/(1+貝塔))*(Rb+rbe)

因此

Ro=Re//(Rb+rbe)/(1+貝塔)

從上式可以看出,由于發(fā)射極和基極之間有聯(lián)系,Ro不是等于Re而是Re和(Rb+rbe)/(1+貝塔)的并聯(lián).當(dāng)Rb,rbe都比較小而貝塔比較大時(shí),Ro'將要比Re小得多.

例2-6 如圖所示電路中,VBB=7.2v,VCC=12v,Rb=22k,Re=5k,晶體管的rbb'=100,貝塔=50.試計(jì)算Q點(diǎn)及Au,Ri和Ro.

解:由前式可得 IBQ=(7.2-0.7)/(22+(50+1)*5)約=0.024mA

ICQ=1.2mA,UCEQ=VCC-IEQ*Re約=6v

rbe=rbb'+(1+貝塔)*UT/IEQ約=1.2k

Au=(1+貝塔)*Re/(Rb+rbe+(1+貝塔)*Re)=0.92

Ri=Rb+rbe+(1+貝塔)*Re=278.2k

Ro=Re||(Rb+rbe)/(1+貝塔)=410.

由于共集放大電路的輸入電阻大,輸出電阻小,所以常用來(lái)實(shí)現(xiàn)阻抗的轉(zhuǎn)換.輸入電阻大,可使流過(guò)信號(hào)的電流減小;輸出電阻小,即帶負(fù)載能力強(qiáng);故常用于多級(jí)放大電路的輸入級(jí)和輸出級(jí).

2.4.2 共基放大電路

以共基接法組成的放大電路稱為共基放大電路.電路組成原則如前,分析計(jì)算方法也如前,故在這里只做簡(jiǎn)單的介紹.基本放大電路如圖所示.VEE,VCC的極性保證晶體管處于放大狀態(tài),Re是信號(hào)回路的電阻.靜態(tài)工作點(diǎn)可利用直流模型及直流等效電路來(lái)計(jì)算,這里不再說(shuō)明,主要介紹交流性能的計(jì)算.交流通路和h參數(shù)等效電路如圖所示.根據(jù)圖可得

Au=Uo/Ui=-貝塔*Ib*Rc/-(Ib*rbe+Io*Re)=貝塔*Re/(rbe+(1+貝塔)*Re)

Ri=Ui/Ii=Ui/-Ie=(-Ie*Re-Ib*rbe)/-Ie=Re+rbe/(1+貝塔)

Ro=Rc||Ro' ,而Ro'=Uo/貝塔*Ib |Ui=0 = 無(wú)窮大. 因此

Ro=Rc

例2-7 電路如圖所示.設(shè)Re=1k,Rc=5k,晶體管的貝塔=50,rbe=1.2k.試計(jì)算Au,Ri和Ro的值.

解: 利用前式可求出

Au=貝塔*Rc/(rbe+(1+貝塔)*Re)=4.8

Ri=Re+rbe/(1+貝塔)=1k

Ro=Rc=5k

根據(jù)上面的計(jì)算,共基電路有這幾個(gè)特點(diǎn):(1)當(dāng)Re=0時(shí),電壓放大倍數(shù)和共射放大電路Rb=0時(shí)相同(絕對(duì)值均為 貝塔*Rc/rbe),而且是正值,表明輸出與輸入信號(hào)同相.(2)輸入電阻比共射電路的小.(3)輸出電阻與共射電路一樣.共基電路還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn),它的頻率響應(yīng)好,在要求頻率特性高的場(chǎng)合多采用共基電路.在如圖所示的電路中,若與前圖相比較,可見發(fā)射極和集電極是對(duì)調(diào)了.除了極個(gè)別的晶體管具有發(fā)射結(jié)和集電結(jié)對(duì)稱的特點(diǎn),因此可以實(shí)現(xiàn)正常的放大作用外,一般的晶體管在這種情況下,它的貝塔值很小,故放大作用很小甚至不能放大.至于另外以基極作為信號(hào)輸出端的接法,由于得不到電流放大所以不被采用.

2.4.3 三種接法的比較

利用晶體管的三種接法可以組成三種基本的放大電路.它們的主要特點(diǎn)及應(yīng)用大致歸納如下:

1. 共射電路具有較大的電壓放大倍數(shù)和電流放大倍數(shù),同時(shí)輸入電阻和輸出電阻適中.所以,在一般對(duì)輸入電阻,輸出電阻和頻率響應(yīng)沒(méi)有特殊要求的地方,常被采用.例如低頻電壓放大電路的輸入級(jí),中間級(jí)或輸出級(jí).

2. 共集電路的特點(diǎn)是:輸入電阻在三種基本電路中最大;輸出電阻則最小;電壓放大倍數(shù)是接近于1而小于1的正數(shù),具有電壓跟隨的性質(zhì).由于具有這些特點(diǎn),故應(yīng)用很廣泛.常用于放大電路的輸入級(jí),也常用于電路的功率輸出級(jí).

3. 共基電路的主要特點(diǎn)是輸入電阻小,放大倍數(shù)和共射電路差不多,頻率特性好.常用于寬頻放大器.

擴(kuò)展閱讀：什么是放大電路及其基本形式介紹?