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[導(dǎo)讀]1、 同相放大電路加在兩輸入端的電壓大小接近相等2、 反相放大電路的重要特征是“虛地”的概念3、 PN結(jié)具有一種很好的數(shù)學(xué)模型:開關(guān)模型à二極管誕生了à再來一個(gè)PN結(jié),三極管誕生了4、

1、  同相放大電路加在兩輸入端的電壓大小接近相等

2、  反相放大電路的重要特征是“虛地”的概念

3、  PN結(jié)具有一種很好的數(shù)學(xué)模型:開關(guān)模型à二極管誕生了à再來一個(gè)PN結(jié),三極管誕生了

4、  高頻電路中,必須考慮PN結(jié)電容的影響(正向偏置為擴(kuò)散電容,反相偏置為勢(shì)壘電容)

5、  點(diǎn)接觸型二極管適用于整流,面接觸型二極管適用于高頻電路

6、  硅管正向?qū)▔航?.7V,鍺管為0.2V

7、  齊納二極管(穩(wěn)壓管)工作于反向擊穿狀態(tài)

8、  肖特基二極管(Schottky,SBD)適用于高頻開關(guān)電路,正向壓降和反相壓降都很低(0.2V)但是反向擊穿電壓較低,漏電流也較大

9、  光電二極管(將光信號(hào)轉(zhuǎn)為電信號(hào))

10、             二極管的主要參數(shù):最大整流電流,最大反相電壓,漏電流

11、             三極管有發(fā)射極(濃度最高<需要發(fā)射電子(空穴)嘛,當(dāng)然濃度高了>),集電極,基極(濃度最低)。箭頭寫在發(fā)射極上面<發(fā)射的東西當(dāng)然需要箭頭了!>

12、             發(fā)射極正偏,集電極反偏是讓BJT工作在放大工作狀態(tài)下的前提條件。三種連接方式:共基極,共發(fā)射極(最多,因?yàn)殡娏鳎妷?,功率均可以放大),共集電極。判別三種組態(tài)的方法:共發(fā)射極,由基極輸入,集電極輸出;共集電極,由基極輸入,發(fā)射極輸出;共基極,由發(fā)射極輸入,集電極輸出。

13、             三極管主要參數(shù):電流放大系數(shù)β,極間反向電流,(集電極最大允許電流,集電極最大允許耗散功率,反向擊穿電壓=3個(gè)重要極限參數(shù)決定BJT工作在安全區(qū)域)

14、             三極管數(shù)學(xué)模型:?jiǎn)喂茈娏鞣糯?/span>

15、             射極偏置電路:用于消除溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響(雙電源更好)

16、             三種BJT放大電路比較:共射級(jí)放大電路,電流、電壓均可以放大。共集電極放大電路:只放大電流,跟隨電壓,輸入R大,輸出R小,用作輸入級(jí),輸出級(jí)。共基極放大電路:只放大電壓,跟隨電流,高頻特性好

17、             去耦電容:輸出信號(hào)電容接地,濾掉信號(hào)的高頻雜波。旁路電容:輸入信號(hào)電容接地,濾掉信號(hào)的高頻雜波。交流信號(hào)針對(duì)這兩種電容處理為短路

18、             BJT是一種電流控制電流型器件(雙極型),F(xiàn)ET是一中電壓控制電流器件(單極型)

19、             主流是從發(fā)射極到集電極的IC,偏流就是從發(fā)射極到基極的Ib。相對(duì)與主電路而言,為基極提供電流的電路就是所謂的偏置電路。

20、             場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)鋁電極:柵極g,源極s,漏極d。分別對(duì)應(yīng)三極管的基極b,發(fā)射極e,集電極c。<源極需要發(fā)射東西嘛,所以對(duì)應(yīng)發(fā)射極e,柵極的英文名稱是gate,門一樣的存在,和基極的作用差不多>其中P型襯底一般與柵極g相連

21、             增強(qiáng)型FET必須依靠柵源電壓Vgs才能起作用(開啟電壓Vt),耗盡型FET則不需要柵源電壓,在正的Vds作用下,就有較大的漏極電流流向源極(如果加負(fù)的Vgs,那么可能出現(xiàn)夾斷,此時(shí)的電壓成為夾斷電壓Vp***重要特性***:可以在正負(fù)的柵源電壓下工作

22、             N溝道的MOS管需要正的Vds(相當(dāng)于三極管加在集電極的Vcc)和正的Vt(相當(dāng)于三極管基極和發(fā)射極的Vbe),而P溝道的MOS管需要負(fù)的Vds和負(fù)的Vt

23、             MOSFET主要參數(shù):開啟電壓Vt,夾斷電壓Vp。極限參數(shù):最大漏極電流Idm,最大耗散功率Pdm

24、             MOSFET三種放大電路:共源極放大電路(共射極),共漏極放大電路(共集電極),共柵極放大電路(共基極)

25、             差分式放大電路:差模信號(hào):兩輸入信號(hào)之差。共模信號(hào):兩輸入信號(hào)之和除以2。由此:用差模與共模的定義表示兩輸入信號(hào)可得到一個(gè)重要的數(shù)學(xué)模型:任意一個(gè)輸入信號(hào)=共模信號(hào)±差模信號(hào)/2

26、             差分式放大電路只放大差模信號(hào),抑制共模信號(hào)。利用這個(gè)特性,可以很好的抑制溫度等外界因素的變化對(duì)電路性能的影響。具體的性能指標(biāo):共模抑制比Kcmr

27、             集成運(yùn)放的溫度漂移是漂移的主要來源

28、             集成運(yùn)放的參數(shù):最大輸出電流,最大輸出電壓

29、             VCC是電路的供電電壓, VDD是芯片的工作電壓

30、             放大電路的干擾:1、將電源遠(yuǎn)離放大電路2、輸入級(jí)屏蔽3、直流電源電壓波動(dòng)(采用穩(wěn)壓電源,輸入和輸出加上濾波電容)

31、             負(fù)反饋放大電路的四種組態(tài):電壓串聯(lián)負(fù)反饋(穩(wěn)定輸出電壓),電壓并聯(lián)負(fù)反饋,電流串聯(lián)負(fù)反饋(穩(wěn)定輸出電流),電流并聯(lián)負(fù)反饋

32、             電壓、電流反饋判定方法:輸出短路法,設(shè)RL = 0,如果反饋信號(hào)不存在,為電壓反饋,反之,則為電流反饋。

33、             串聯(lián)、并聯(lián)反饋的判定方法:反饋信號(hào)與輸入信號(hào)的求和方式,若為電壓形式,則為串聯(lián)反饋,若為電流形式,則為并聯(lián)反饋

34、             功率放大電路的類別:甲類(全部)、甲乙類(50%以上)、乙類(50%)(按照輸入信號(hào)在整個(gè)周期流經(jīng)器件大于0的百分比)

35、             RC振蕩電路適用于低頻,LC振蕩電路適用于高頻電路

36、             電壓比較器,時(shí)滯比較器,集成電壓比較器,方波產(chǎn)生電路,鋸齒波產(chǎn)生電路

37、             直流穩(wěn)壓電源:電源變壓器à整流電路à濾波電路à穩(wěn)壓電路

38、             濾波電路:利用電抗元件的儲(chǔ)能作用,可以起到很好的濾波作用。電感(串聯(lián),大功率)和電容(并聯(lián),小功率)均可以起到平波的作用。

39、             開關(guān)穩(wěn)壓電源與線性電源:線性電源,效率低、發(fā)熱強(qiáng)、但是輸出很穩(wěn)定。開關(guān)電源,效率高、發(fā)熱一般、但輸出紋波大,需要平波

40、             開關(guān)穩(wěn)壓電源有降壓和升壓兩種,降壓中有續(xù)流二極管,LC濾波電路。升壓中有電感,穩(wěn)壓二極管,電容

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