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[導讀]三極管外部各極電壓和電流的關(guān)系曲線,稱為三極管的特性曲線,又稱伏安特性曲線。它不僅能反映三極管的質(zhì)量與特性,還能用來定量地估算出三極管的某些參數(shù),是分析和設(shè)計三極管電路的重要依據(jù)。對于三極管的不同連接

三極管外部各極電壓和電流的關(guān)系曲線,稱為三極管的特性曲線,又稱伏安特性曲線。它不僅能反映三極管的質(zhì)量與特性,還能用來定量地估算出三極管的某些參數(shù),是分析和設(shè)計三極管電路的重要依據(jù)。

對于三極管的不同連接方式,有著不同的特性曲線。應用最廣泛的是共發(fā)射極電路,其基本測試電路如圖Z0118所示,共發(fā)射極特性曲線可以用描點法繪出,也可以由晶體管特性圖示儀直接顯示出來。

一、輸入特性曲線

在三極管共射極連接的情況下,當集電極與發(fā)射極之間的電壓UBE 維持不同的定值時,

UBE和IB之間的一簇關(guān)系曲線,稱為共射極輸入特性曲線,如圖Z0119所示。輸入特性曲線的數(shù)學表達式為:

IB=f(UBE)| UBE = 常數(shù)       GS0120

由圖Z0119 可以看出這簇曲線,有下面幾個特點:

(1)UBE = 0的一條曲線與二極管的正向特性相似。這是因為UCE = 0時,集電極與發(fā)射極短路,相當于兩個二極管并聯(lián),這樣IB與UCE 的關(guān)系就成了兩個并聯(lián)二極管的伏安特性。

(2)UCE由零開始逐漸增大時輸入特性曲線右移,而且當UCE的數(shù)值增至較大時(如UCE>1V),各曲線幾乎重合。這是因為UCE由零逐漸增大時,使集電結(jié)寬度逐漸增大,基區(qū)寬度相應地減小,使存貯于基區(qū)的注入載流子的數(shù)量減小,復合減小,因而IB減小。如保持IB為定值,就必須加大UBE ,故使曲線右移。當UCE 較大時(如UCE >1V),集電結(jié)所加反向電壓,已足能把注入基區(qū)的非平衡載流子絕大部分都拉向集電極去,以致UCE再增加,IB 也不再明顯地減小,這樣,就形成了各曲線幾乎重合的現(xiàn)象。

(3)和二極管一樣,三極管也有一個門限電壓Vγ,通常硅管約為0.5~0.6V,鍺管約為0.1~0.2V。

二、輸出特性曲線

輸出特性曲線如圖Z0120所示。測試電路如圖Z0117。

輸出特性曲線的數(shù)學表達式為:

由圖還可以看出,輸出特性曲線可分為三個區(qū)域:

(1)截止區(qū):指IB=0的那條特性曲線以下的區(qū)域。在此區(qū)域里,三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于反向偏置狀態(tài),三極管失去了放大作用,集電極只有微小的穿透電流IcEO。

(2)飽和區(qū):指綠色區(qū)域。在此區(qū)域內(nèi),對應不同IB值的輸出特性曲線簇幾乎重合在一起。也就是說,UCE較小時,Ic雖然增加,但Ic增加不大,即IB失去了對Ic的控制能力。這種情況,稱為三極管的飽和。飽和時,三極管的發(fā)射給和集電結(jié)都處于正向偏置狀態(tài)。三極管集電極與發(fā)射極間的電壓稱為集一射飽和壓降,用UCES表示。UCES很小,通常中小功率硅管UCES<0.5V;三極管基極與發(fā)射極之間的電壓稱為基一射飽和壓降,以UCES表示,硅管的UCES在0.8V左右。

OA線稱為臨界飽和線(綠色區(qū)域右邊緣線),在此曲線上的每一點應有

|UCE| = |UBE|。它是各特性曲線急劇拐彎點的連線。在臨界飽和狀態(tài)下的三極管,其集電極電流稱為臨界集電極電流,以Ics表示;其基極電流稱為臨界基極電流,以IBS表示。這時Ics與IBS 的關(guān)系仍然成立。

(3)放大區(qū):在截止區(qū)以上,介于飽和區(qū)與擊穿區(qū)之間的區(qū)域為放大區(qū)。在此區(qū)域內(nèi),特性曲線近似于一簇平行等距的水平線,Ic的變化量與IB的變量基本保持線性關(guān)系,即ΔIc=βΔIB,且ΔIc >>ΔIB ,就是說在此區(qū)域內(nèi),三極管具有電流放大作用。此外集電極電壓對集電極電流的控制作用也很弱,當UCE>1 V后,即使再增加UCE,Ic 幾乎不再增加,此時,若IB 不變,則三極管可以看成是一個恒流源。

在放大區(qū),三極管的發(fā)射結(jié)處于正向偏置,集電結(jié)處于反向偏置狀態(tài)。

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