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[導(dǎo)讀]1.在實(shí)際工作中,常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài),實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上,才能達(dá)到真正的飽和;倍數(shù)越大,飽和程度就越深。2.集電極電

1.在實(shí)際工作中,常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài),實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上,才能達(dá)到真正的飽和;倍數(shù)越大,飽和程度就越深。

2.集電極電阻 越大越容易飽和;

3.飽和區(qū)的現(xiàn)象就是:二個(gè)PN結(jié)均正偏,IC不受IB之控制

擴(kuò)展閱讀:三極管的開(kāi)關(guān)特性

基極電流達(dá)到多少時(shí)三極管飽和?

這個(gè)值應(yīng)該是不固定的,它和電源電壓,集電極負(fù)載、β值,基極電阻,

基極信號(hào)大小有關(guān).

另外一個(gè)應(yīng)該注意的問(wèn)題就是:在Ic增大的時(shí)候,hFE會(huì)減小,所以我們應(yīng)該讓三極管進(jìn)入深度飽和Ib〉〉Ic(max)/hFE,Ic(max)是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限,當(dāng)然這是以犧牲關(guān)斷速度為代價(jià)的。

飽和時(shí)Vb>Vc,但Vb>Vc不一定飽和

一般判斷飽和的直接依據(jù)還是防大倍數(shù),有的管子Vb>Vc時(shí)還能保持相當(dāng)高的放大倍數(shù)

例如:有的管子將Ic/Ib<10定義為飽和

Ic/Ib<1應(yīng)該屬于深飽和了

三極管可以考慮以下幾天:

1)耐壓夠不夠

2)負(fù)載電流夠不夠大

3)速度夠不夠快(有時(shí)卻是要慢速)

4)B極控制電流夠不夠

5)有時(shí)可能考慮功率問(wèn)題

6)有時(shí)要考慮漏電流問(wèn)題(能否“完全”截止)。

7)增益

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