當(dāng)前位置:首頁 > 模擬 > 模擬
[導(dǎo)讀]上拉電阻:1、當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)COMS電路時(shí),如果TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平(一般為3.5V),這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻,以提高輸出高電平的值。2、OC門電路必須加上拉電阻,才能使用。3、為加

上拉電阻

1、當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)COMS電路時(shí),如果TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平(一般為3.5V),這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻,以提高輸出高電平的值。

2、OC門電路必須加上拉電阻,才能使用。

3、為加大輸出引腳的驅(qū)動(dòng)能力,有的單片機(jī)管腳上也常使用上拉電阻。

4、在COMS芯片上,為了防止靜電造成損壞,不用的管腳不能懸空,一般接上拉電阻產(chǎn)生降低輸入阻抗,提供泄荷通路。

5、芯片的管腳加上拉電阻來提高輸出電平,從而提高芯片輸入信號(hào)的噪聲容限增強(qiáng)抗干擾能力。

6、提高總線的抗電磁干擾能力。管腳懸空就比較容易接受外界的電磁干擾。

7、長線傳輸中電阻不匹配容易引起反射波干擾,加上下拉電阻是電阻匹配,有效的抑制反射波干擾。

上拉電阻阻值的選擇原則包括:

1、從節(jié)約功耗及芯片的灌電流能力考慮應(yīng)當(dāng)足夠大;電阻大,電流小。

2、從確保足夠的驅(qū)動(dòng)電流考慮應(yīng)當(dāng)足夠小;電阻小,電流大。

3、對(duì)于高速電路,過大的上拉電阻可能邊沿變平緩。綜合考慮

以上三點(diǎn),通常在1k到10k之間選取。對(duì)下拉電阻也有類似道理

對(duì)上拉電阻和下拉電阻的選擇應(yīng)結(jié)合開關(guān)管特性和下級(jí)電路的輸入特性進(jìn)行設(shè)定,主要需要考慮以下幾個(gè)因素:

1. 驅(qū)動(dòng)能力與功耗的平衡。以上拉電阻為例,一般地說,上拉電阻越小,驅(qū)動(dòng)能力越強(qiáng),但功耗越大,設(shè)計(jì)是應(yīng)注意兩者之間的均衡。

2. 下級(jí)電路的驅(qū)動(dòng)需求。同樣以上拉電阻為例,當(dāng)輸出高電平時(shí),開關(guān)管斷開,上拉電阻應(yīng)適當(dāng)選擇以能夠向下級(jí)電路提供足夠的電流。

3. 高低電平的設(shè)定。不同電路的高低電平的門檻電平會(huì)有不同,電阻應(yīng)適當(dāng)設(shè)定以確保能輸出正確的電平。以上拉電阻為例,當(dāng)輸出低電平時(shí),開關(guān)管導(dǎo)通,上拉電阻和開關(guān)管導(dǎo)通電阻分壓值應(yīng)確保在零電平門檻之下。

4. 頻率特性。以上拉電阻為例,上拉電阻和開關(guān)管漏源級(jí)之間的電容和下級(jí)電路之間的輸入電容會(huì)形成RC延遲,電阻越大,延遲越大。上拉電阻的設(shè)定應(yīng)考慮電路在這方面的需求。

下拉電阻的設(shè)定的原則和上拉電阻是一樣的。

OC門輸出高電平時(shí)是一個(gè)高阻態(tài),其上拉電流要由上拉電阻來提供,設(shè)輸入端每端口不大于100uA,設(shè)輸出口驅(qū)動(dòng)電流約500uA,標(biāo)準(zhǔn)工作電壓是5V,輸入口的高低電平門限為0.8V(低于此值為低電平);2V(高電平門限值)。

選上拉電阻時(shí):

500uA x 8.4K= 4.2即選大于8.4K時(shí)輸出端能下拉至0.8V以下,此為最小阻值,再小就拉不下來了。如果輸出口驅(qū)動(dòng)電流較大,則阻值可減小,保證下拉時(shí)能低于0.8V即可。

當(dāng)輸出高電平時(shí),忽略管子的漏電流,兩輸入口需200uA

200uA x15K='3V'即上拉電阻壓降為3V,輸出口可達(dá)到2V,此阻值為最大阻值,再大就拉不到2V了。選10K可用。COMS門的可參考74HC系列

設(shè)計(jì)時(shí)管子的漏電流不可忽略,IO口實(shí)際電流在不同電平下也是不同的,上述僅僅是原理,一句話概括為:輸出高電平時(shí)要喂飽后面的輸入口,輸出低電平不要把輸出口喂撐了(否則多余的電流喂給了級(jí)聯(lián)的輸入口,高于低電平門限值就不可靠了)

在數(shù)字電路中不用的輸入腳都要接固定電平,通過1k電阻接高電平或接地。

1. 電阻作用:

l 接電組就是為了防止輸入端懸空

l 減弱外部電流對(duì)芯片產(chǎn)生的干擾

l 保護(hù)cmos內(nèi)的保護(hù)二極管,一般電流不大于10mA

l 上拉和下拉、限流

l 1. 改變電平的電位,常用在TTL-CMOS匹配

2. 在引腳懸空時(shí)有確定的狀態(tài)

3.增加高電平輸出時(shí)的驅(qū)動(dòng)能力。

4、為OC門提供電流

l 那要看輸出口驅(qū)動(dòng)的是什么器件,如果該器件需要高電壓的話,而輸出口的輸出電壓又不夠,就需要加上拉電阻。

l 如果有上拉電阻那它的端口在默認(rèn)值為高電平你要控制它必須用低電平才能控制如三態(tài)門電路三極管的集電極,或二極管正極去控制把上拉電阻的電流拉下來成為低電平。反之,

l 尤其用在接口電路中,為了得到確定的電平,一般采用這種方法,以保證正確的電路狀態(tài),以免發(fā)生意外,比如,在電機(jī)控制中,逆變橋上下橋臂不能直通,如果它們都用同一個(gè)單片機(jī)來驅(qū)動(dòng),必須設(shè)置初始狀態(tài).防止直通!

2、定義:

l 上拉就是將不確定的信號(hào)通過一個(gè)電阻嵌位在高電平!電阻同時(shí)起限流作用!下拉同理!

l 上拉是對(duì)器件注入電流,下拉是輸出電流

l 弱強(qiáng)只是上拉電阻的阻值不同,沒有什么嚴(yán)格區(qū)分

l 對(duì)于非集電極(或漏極)開路輸出型電路(如普通門電路)提升電流和電壓的能力是有限的,上拉電阻的功能主要是為集電極開路輸出型電路輸出電流通道。

3、為什么要使用拉電阻:

l 一般作單鍵觸發(fā)使用時(shí),如果IC本身沒有內(nèi)接電阻,為了使單鍵維持在不被觸發(fā)的狀態(tài)或是觸發(fā)后回到原狀態(tài),必須在IC外部另接一電阻。

l 數(shù)字電路有三種狀態(tài):高電平、低電平、和高阻狀態(tài),有些應(yīng)用場(chǎng)合不希望出現(xiàn)高阻狀態(tài),可以通過上拉電阻或下拉電阻的方式使處于穩(wěn)定狀態(tài),具體視設(shè)計(jì)要求而定!

l 一般說的是I/O端口,有的可以設(shè)置,有的不可以設(shè)置,有的是內(nèi)置,有的是需要外接,I/O端口的輸出類似與一個(gè)三極管的C,當(dāng)C接通過一個(gè)電阻和電源連接在一起的時(shí)候,該電阻成為上C拉電阻,也就是說,如果該端口正常時(shí)為高電平,C通過一個(gè)電阻和地連接在一起的時(shí)候,該電阻稱為下拉電阻,使該端口平時(shí)為低電平,作用嗎:

比如:當(dāng)一個(gè)接有上拉電阻的端口設(shè)為輸如狀態(tài)時(shí),他的常態(tài)就為高電平,用于檢測(cè)低電平的輸入。

l 上拉電阻是用來解決總線驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)提供電流的。一般說法是拉電流,下拉電阻是用來吸收電流的,也就是你同學(xué)說的灌電流

---------------------------------------------------------------------------------

有可商討的地方。

1 、長線傳輸中電阻不匹配容易引起反射波干擾,加上下拉電阻是電阻匹配,有效的抑制反射波干擾。

電阻串聯(lián)才是實(shí)現(xiàn)阻抗匹配的好方法。通常線阻的數(shù)量級(jí)都在幾十ohm,如果加上下拉的話,功耗太大。

電阻串聯(lián)和拉電阻都是阻抗匹配的方法,只是使用范圍不同,依電路工作頻率而定

21、當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)COMS電路時(shí),如果TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平(一般為3.5V),這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻,以提高輸出高電平的值。

不建議采用這種方法。缺點(diǎn)有2。1 TTL輸出地電平時(shí),功耗大。2TTL 輸出高電平時(shí),上拉電源可能會(huì)有電流灌到TTL電路的電源,影響系統(tǒng)穩(wěn)定性。

3 3、對(duì)于高速電路,過大的上拉電阻可能邊沿變平緩。

應(yīng)該不會(huì)。做輸入時(shí),上拉電阻又不吸收電流。做輸出時(shí),驅(qū)動(dòng)電流為 電路輸出電流+上拉通道輸出電流。電阻的容性特征很小,可忽略。

4 2. 下級(jí)電路的驅(qū)動(dòng)需求。同樣以上拉電阻為例,當(dāng)輸出高電平時(shí),開關(guān)管斷開,上拉電阻應(yīng)適當(dāng)選擇以能夠向下級(jí)電路提供足夠的電流。

當(dāng)輸出高電平時(shí),開關(guān)管怎么回關(guān)斷呢? CMOS電路的輸出級(jí)基本上是推拉時(shí)。輸出地電平時(shí),下面的MOSFET關(guān)斷,上面的導(dǎo)通。高電平時(shí)反過來。該條只適合OC電路。

漏級(jí)開路即高阻狀態(tài),適用于輸入/輸出,其可獨(dú)立輸入/輸出低電平和高阻狀態(tài),若需要產(chǎn)生高電平,則需使用外部上拉電阻或使用如LCX245等電平轉(zhuǎn)換芯片。有些朋友,尤其是未學(xué)過此方面知識(shí)的朋友,在實(shí)際工作中將I/O口設(shè)置為漏開,并想輸出高電平,但向口線上寫1后對(duì)方并未認(rèn)出高電平,但用萬用表測(cè)量引腳確有電壓,這種認(rèn)為是不對(duì)的,對(duì)于高阻狀態(tài)來說,測(cè)量電壓是無意義的,正確的方法應(yīng)是外加上拉電阻,上拉電阻的阻值=上拉電壓/芯片引腳最大灌(拉)電流。

推挽方式可完全獨(dú)立產(chǎn)生高低電平,推挽方式為低阻,這樣,才能保證口線上不分走電壓或分走極小的電壓(可忽略),保證輸出與電源相同的高電平,推挽適用于輸出而不適用于輸入,因?yàn)槿魧?duì)推挽(低阻)加高電平后,I=U/R,I會(huì)很大,將造成口的燒毀。

對(duì)與C8051F的很多型號(hào)片子,將I/O口設(shè)置為推挽方式的做法為:PnMDOUT=0xff,Pn=0x00,這樣設(shè)置I/O口為推挽,并輸出低電平(可降低功耗) 將I/O口設(shè)置為漏開方式的做法為:PnMDOUT=0x00,Pn=0x11,這樣設(shè)置I/O口為漏開。

如果學(xué)過三極管放大電路一定知道,前置單管放大器和功放末級(jí)放大電路的區(qū)別。單片機(jī)內(nèi)部的邏輯經(jīng)過內(nèi)部的邏輯運(yùn)算后需要輸出到外面,外面的器件可能需要較大的電流才能推動(dòng),因此在單片機(jī)的輸出端口必須有一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路。

這種驅(qū)動(dòng)電路有兩種形式:

其中的一種是采用一只N型三極管(npn或n溝道),以npn三極管為例,就是e接地,b接內(nèi)部的邏輯運(yùn)算,c引出,b受內(nèi)部驅(qū)動(dòng)可以控制三極管是否導(dǎo)通但如果三極管的c極一直懸空,盡管b極上發(fā)生高低變化,c極上也不會(huì)有高低變化,因此在這種條件下必須在外部提供一個(gè)電阻,電阻的一端接c(引出腳)另一端接電源,這樣當(dāng)三極管的b有高電壓是三極管導(dǎo)通,c電壓為低,當(dāng)b為低電壓時(shí)三極管不通,c極在電阻的拉動(dòng)下為高電壓,這種驅(qū)動(dòng)電路有個(gè)特點(diǎn):低電壓是三極管驅(qū)動(dòng)的,高電壓是電阻驅(qū)動(dòng)的(上下不對(duì)稱),三極管導(dǎo)通時(shí)的ec內(nèi)阻很小,因此可以提供很大的電流,可以直接驅(qū)動(dòng)led甚至繼電器,但電阻的驅(qū)動(dòng)是有限的,最大高電平輸出電流=(vcc-Vh)/r;

另一種是互補(bǔ)推挽輸出,采用2只晶體管,一只在上一只在下,上面的一只是n型,下面為p型(以三極管為例),兩只管子的連接為:npn(上)的c連vcc,pnp(下)的c接地,兩只管子的ee,bb相連,其中ee作為輸出(引出腳),bb接內(nèi)部邏輯,這個(gè)電路通常用于功率放大點(diǎn)路的末級(jí)(音響),當(dāng)bb接高電壓時(shí)npn管導(dǎo)通輸出高電壓,由于三極管的ec電阻很小,因此輸出的高電壓有很強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力,當(dāng)bb接低電壓時(shí)npn截至,pnp導(dǎo)通,由于三極管的ec電阻很小因此輸出的低電壓有很強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力,簡單的例子,9013導(dǎo)通時(shí)ec電阻不到10歐,以Vh=2.5v,vcc=5v計(jì)算,高電平輸出電流最大=250MA,短路電流500ma,這個(gè)計(jì)算同時(shí)告訴我們采用推挽輸出時(shí)一定要小心千萬不要出現(xiàn)外部電路短路的可能,否則肯定燒毀芯片,特別是外部驅(qū)動(dòng)三極管時(shí)別忘了在三極管的基極加限流電阻。推挽輸出電路的形式很多,有些單片機(jī)上下都采用n型管,但內(nèi)部邏輯提供互補(bǔ)輸出,以上的說明僅僅為了說明推挽的原理,為了更深的理解可以參考功率放大電路。

擴(kuò)展閱讀:如何選擇運(yùn)放?

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

9月2日消息,不造車的華為或?qū)⒋呱龈蟮莫?dú)角獸公司,隨著阿維塔和賽力斯的入局,華為引望愈發(fā)顯得引人矚目。

關(guān)鍵字: 阿維塔 塞力斯 華為

倫敦2024年8月29日 /美通社/ -- 英國汽車技術(shù)公司SODA.Auto推出其旗艦產(chǎn)品SODA V,這是全球首款涵蓋汽車工程師從創(chuàng)意到認(rèn)證的所有需求的工具,可用于創(chuàng)建軟件定義汽車。 SODA V工具的開發(fā)耗時(shí)1.5...

關(guān)鍵字: 汽車 人工智能 智能驅(qū)動(dòng) BSP

北京2024年8月28日 /美通社/ -- 越來越多用戶希望企業(yè)業(yè)務(wù)能7×24不間斷運(yùn)行,同時(shí)企業(yè)卻面臨越來越多業(yè)務(wù)中斷的風(fēng)險(xiǎn),如企業(yè)系統(tǒng)復(fù)雜性的增加,頻繁的功能更新和發(fā)布等。如何確保業(yè)務(wù)連續(xù)性,提升韌性,成...

關(guān)鍵字: 亞馬遜 解密 控制平面 BSP

8月30日消息,據(jù)媒體報(bào)道,騰訊和網(wǎng)易近期正在縮減他們對(duì)日本游戲市場(chǎng)的投資。

關(guān)鍵字: 騰訊 編碼器 CPU

8月28日消息,今天上午,2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)開幕式在貴陽舉行,華為董事、質(zhì)量流程IT總裁陶景文發(fā)表了演講。

關(guān)鍵字: 華為 12nm EDA 半導(dǎo)體

8月28日消息,在2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上,華為常務(wù)董事、華為云CEO張平安發(fā)表演講稱,數(shù)字世界的話語權(quán)最終是由生態(tài)的繁榮決定的。

關(guān)鍵字: 華為 12nm 手機(jī) 衛(wèi)星通信

要點(diǎn): 有效應(yīng)對(duì)環(huán)境變化,經(jīng)營業(yè)績穩(wěn)中有升 落實(shí)提質(zhì)增效舉措,毛利潤率延續(xù)升勢(shì) 戰(zhàn)略布局成效顯著,戰(zhàn)新業(yè)務(wù)引領(lǐng)增長 以科技創(chuàng)新為引領(lǐng),提升企業(yè)核心競(jìng)爭力 堅(jiān)持高質(zhì)量發(fā)展策略,塑強(qiáng)核心競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)...

關(guān)鍵字: 通信 BSP 電信運(yùn)營商 數(shù)字經(jīng)濟(jì)

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央廣播電視總臺(tái)與中國電影電視技術(shù)學(xué)會(huì)聯(lián)合牽頭組建的NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟在BIRTV2024超高清全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展研討會(huì)上宣布正式成立。 活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng) NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)...

關(guān)鍵字: VI 傳輸協(xié)議 音頻 BSP

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日舉辦的2024年長三角生態(tài)綠色一體化發(fā)展示范區(qū)聯(lián)合招商會(huì)上,軟通動(dòng)力信息技術(shù)(集團(tuán))股份有限公司(以下簡稱"軟通動(dòng)力")與長三角投資(上海)有限...

關(guān)鍵字: BSP 信息技術(shù)
關(guān)閉
關(guān)閉