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[導(dǎo)讀]性能說(shuō)明:AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS 8位微控制器,具有8K在系統(tǒng)可編程Flash存儲(chǔ)器。它是使用Atmel公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造,并與業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)80C51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上Flash允許程序存儲(chǔ)器在

性能說(shuō)明:

AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS 8位微控制器,具有8K在系統(tǒng)可編程Flash存儲(chǔ)器。它是使用Atmel公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造,并與業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)80C51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上Flash允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)可編程,也就是適合于常規(guī)編程器。在單芯片上,擁有靈巧的8位CPU和在系統(tǒng)可編程Flash,使得AT89S52為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活及非常有效的解決方案。AT89S52單片機(jī)提供一下標(biāo)準(zhǔn)功能:8K字節(jié)Flash,256字節(jié)RAM,32位I/O口線,看門(mén)狗定時(shí)器,2個(gè)數(shù)據(jù)指針,三個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器,一個(gè)6向量2級(jí)中斷結(jié)構(gòu),全雙工串行口,片內(nèi)晶振及時(shí)鐘電路。此外,AT89S52單片機(jī)的設(shè)計(jì)與操作頻率可下降到0 HZ靜態(tài)邏輯,支持2種軟件可選的節(jié)電模式。在空閑模式下,CPU停止工作,而RAM,定時(shí)器/計(jì)數(shù)器,串行口,外中斷系統(tǒng)可繼續(xù)工作。在掉電保護(hù)模式下,RAM內(nèi)容可以被保存,但振蕩器將被凍結(jié),單片機(jī)一切工作停止,直到下一個(gè)中斷或者硬件復(fù)位為止。其引腳配置如圖所示:(三種封裝:PDIP、PLCC、TQFP)

引腳說(shuō)明:

P0 口:P0口是一個(gè)8位漏極開(kāi)路的雙向I/O口。作為輸出口,每位能驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL邏 輯電平。對(duì)P0端口寫(xiě)“1”時(shí),引腳用作高阻抗輸入。當(dāng)訪問(wèn)外部程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),P0口也被作為低8位地址/數(shù)據(jù)復(fù)用。在這種模式下,P0具有內(nèi)部上拉電阻。在flash編程時(shí),P0口也用來(lái)接收指令字節(jié);在程序校驗(yàn)時(shí),輸出指令字節(jié)。程序校驗(yàn)時(shí),需要外部上拉電阻。

P1 口:P1 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口,p1 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng)4 個(gè) TTL 邏輯電平。對(duì)P1 端口寫(xiě)“1”時(shí),內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時(shí)可以作為輸入口使用。作為輸入使用時(shí),被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流(IIL)。此外,P1.0和P1.2分別作定時(shí)器/計(jì)數(shù)器2的外部計(jì)數(shù)輸入(P1.0/T2)和時(shí)器/計(jì)數(shù)器2 的觸發(fā)輸入(P1.1/T2EX),具體如下表所示。在flash編程和校驗(yàn)時(shí),P1口接收低8位地址字節(jié)。

引腳號(hào)第二功能:

管腳號(hào)
引腳第二功能
P1.0
T2定時(shí)器/計(jì)數(shù)器T2的外部計(jì)數(shù)輸入),時(shí)鐘輸出
P1.1
T2EX(定時(shí)器/計(jì)數(shù)器T2的捕捉/重載觸發(fā)信號(hào)和方向控制)
P1.5
MOSI(用于系統(tǒng)編程)
P1.6
MISO(用于系統(tǒng)編程)
P1.7
SCK(用于系統(tǒng)編程)

P2 口:P2 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口,P2 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng)4 個(gè)TTL 邏輯電平。對(duì)P2 端口寫(xiě)“1”時(shí),內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時(shí)可以作為輸入口使用。作為輸入使用時(shí),被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流(IIL)。在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或用16位地址讀取外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(例如執(zhí)行MOVX @DPTR)時(shí),P2 口送出高八位地址。在這種應(yīng)用中,P2 口使用很強(qiáng)的內(nèi)部上拉發(fā)送1。在使用 8位地址(如MOVX @RI)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),P2口輸出P2鎖存器的內(nèi)容。 在flash編程和校驗(yàn)時(shí),P2口也接收高8位地址字節(jié)和一些控制信號(hào)。

P3 口:P3 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口,p3 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng)4 個(gè)TTL 邏輯電平。對(duì)P3 端口寫(xiě)“1”時(shí),內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時(shí)可以作為輸入口使用。作為輸入使用時(shí),被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流(IIL)。P3口亦作為AT89S52特殊功能(第二功能)使用,在flash編程和校驗(yàn)時(shí),P3口也接收一些控制信號(hào)。

引腳號(hào)第二功能:

管腳號(hào)
引腳第二功能
P3.0
RXD(串行輸入口)
P3.1
TXD(串行輸出口)
P3.2
INT0(外部中斷0)
P3.3
INT1(外部中斷1)
P3.4
T0(定時(shí)/計(jì)數(shù)器0)
P3.5
T1(定時(shí)/計(jì)數(shù)器1)
P3.6
WR(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫(xiě)選通)
P3.7
RD(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通)

此外,P3口還接收一些用于FLASH閃存編程和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。

RST——復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí),RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將是單片機(jī)復(fù)位。

ALE/PROG——當(dāng)訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖用于鎖存地址的低8位字節(jié)。一般情況下, ALE仍以時(shí)鐘振蕩頻率的1/6輸出固定的脈沖信號(hào),因此它可對(duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。要注意的是:每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過(guò)一個(gè)ALE脈沖。對(duì)FLASH存儲(chǔ)器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈沖(PROG)。如有必要,可通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器(SFR)區(qū)中的8EH單元的D0位置位,可禁止ALE操作。該位置位后,只有一條MOVX和MOVC指令才能將ALE激活。此外,該引腳會(huì)被微弱拉高,單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí),應(yīng)設(shè)置ALE禁止位無(wú)效。

PSEN——程序儲(chǔ)存允許(PSEN)輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào),當(dāng)AT89C52由外部程序存儲(chǔ)器取指令(或數(shù)據(jù))時(shí),每個(gè)機(jī)器周期兩次PSEN有效,即輸出兩個(gè)脈沖,在此期間,當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,將跳過(guò)兩次PSEN信號(hào)。

EA/VPP——外部訪問(wèn)允許,欲使CPU僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器(地址為0000H-FFFFH),EA端必須保持低電平(接地)。需注意的是:如果加密位LB1被編程,復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存EA端狀態(tài)。 如EA端為高電平(接Vcc端),CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器的指令。FLASH存儲(chǔ)器編程時(shí),該引腳加上+12V的編程允許電源Vpp,當(dāng)然這必須是該器件是使用12V編程電壓Vpp。

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