現(xiàn)在大街上隨處可見的LED顯示屏,還有裝飾用的LED彩燈以及LED車燈,處處可見LED燈的身影,LED已經(jīng)融入到生活中的每一個角落。西安電子科技大學微電子學院郝躍院士團隊在《先進光學材料》上發(fā)表研究成果,揭示了可剝離襯底上氮化物的成核機制,并創(chuàng)新性開發(fā)出柔性高亮度紫光發(fā)光二極管。
氮化鎵(GaN)基半導體LED照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、壽命長、易維護等優(yōu)點,是人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一場照明革命。隨著可穿戴技術的發(fā)展,未來柔性半導體技術將逐步成為主流,柔性GaN的制備成為當今國際高度關注的研究熱點。但是,激光能量密度分布不均勻會使氮化鎵薄膜突起破裂,很難得到大面積連續(xù)無損的氮化鎵薄膜,使得GaN的柔性器件發(fā)展受到嚴重阻礙。為此,低應力、高質(zhì)量的GaN薄膜的制備對于LED性能的提升顯得尤為重要。
據(jù)介紹,該團隊研究并發(fā)現(xiàn)了氮化物在石墨烯上的選擇性成核機理,找到了AlN的最佳成核位點,成功制備出高質(zhì)量、無應力的GaN外延層;并通過優(yōu)化剝離工藝,實現(xiàn)了GaN外延層的低損傷、大面積剝離轉移。
基于該柔性GaN材料制備的紫光發(fā)光二極管,在小電流下實現(xiàn)了超高光輸出功率。同時,這一研究成果證明了剝離轉移可能實現(xiàn)GaN基柔性照明并有助LED在未來實現(xiàn)高質(zhì)量垂直結構。相信在未來的科學技術更加發(fā)達的時候,LED會以更加多種類的方式為我們的生活帶來更大的方便,這就需要我們的科研人員更加努力學習知識,這樣才能為科技的發(fā)展貢獻自己的力量。