[導讀]現(xiàn)在大街上隨處可見的LED顯示屏，還有裝飾用的LED彩燈以及LED車燈，處處可見LED燈的身影，LED已經(jīng)融入到生活中的每一個角落。西安電子科技大學微電子學院郝躍院士團隊在《先進光學材料》上發(fā)表研究成果，揭示了可剝離襯底上氮化物的成核機制，并創(chuàng)新性開發(fā)出柔性高亮度紫光發(fā)光二極管。
現(xiàn)在大街上隨處可見的LED顯示屏，還有裝飾用的LED彩燈以及LED車燈，處處可見LED燈的身影，LED已經(jīng)融入到生活中的每一個角落。西安電子科技大學微電子學院郝躍院士團隊在《先進光學材料》上發(fā)表研究成果，揭示了可剝離襯底上氮化物的成核機制，并創(chuàng)新性開發(fā)出柔性高亮度紫光發(fā)光二極管。
氮化鎵(GaN)基半導體LED照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、壽命長、易維護等優(yōu)點，是人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一場照明革命。隨著可穿戴技術的發(fā)展，未來柔性半導體技術將逐步成為主流，柔性GaN的制備成為當今國際高度關注的研究熱點。但是，激光能量密度分布不均勻會使氮化鎵薄膜突起破裂，很難得到大面積連續(xù)無損的氮化鎵薄膜，使得GaN的柔性器件發(fā)展受到嚴重阻礙。為此，低應力、高質(zhì)量的GaN薄膜的制備對于LED性能的提升顯得尤為重要。
據(jù)介紹，該團隊研究并發(fā)現(xiàn)了氮化物在石墨烯上的選擇性成核機理，找到了AlN的最佳成核位點，成功制備出高質(zhì)量、無應力的GaN外延層;并通過優(yōu)化剝離工藝，實現(xiàn)了GaN外延層的低損傷、大面積剝離轉移。
基于該柔性GaN材料制備的紫光發(fā)光二極管，在小電流下實現(xiàn)了超高光輸出功率。同時，這一研究成果證明了剝離轉移可能實現(xiàn)GaN基柔性照明并有助LED在未來實現(xiàn)高質(zhì)量垂直結構。相信在未來的科學技術更加發(fā)達的時候，LED會以更加多種類的方式為我們的生活帶來更大的方便，這就需要我們的科研人員更加努力學習知識，這樣才能為科技的發(fā)展貢獻自己的力量。
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