白光LED驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)

繁華的城市離不開(kāi)LED燈的裝飾，相信大家都見(jiàn)過(guò)LED，它的身影已經(jīng)出現(xiàn)在了我們的生活的各個(gè)地方，也照亮著我們的生活。當(dāng)前消費(fèi)類電子產(chǎn)品的巨大市場(chǎng)和發(fā)展?jié)摿?，使采用電池供電的便攜式產(chǎn)品的小功率、低功耗、高效率、小體積、輕重量的直流電平轉(zhuǎn)換器(DC/DC Converter)發(fā)展迅猛。對(duì)于許多應(yīng)用于便攜式產(chǎn)品中的電子系統(tǒng)，如彩色LCD顯示屏、手機(jī)背光屏等，DC/DC是其非常理想的電源轉(zhuǎn)換器件。

本文基于2μm 15V雙極型工藝設(shè)計(jì)了一種電流控制型PFM Boost DC-DC開(kāi)關(guān)變換器芯片，通過(guò)采用低反饋電阻技術(shù)減小外部反饋電阻的損耗，并采用負(fù)載電流反饋技術(shù)調(diào)節(jié)系統(tǒng)占空比以減小系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)時(shí)輸出電壓電流紋波系數(shù)。芯片采用Fixed-On-Time控制方式，當(dāng)整個(gè)系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)時(shí)處于Boost PFM的不連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)，而這種工作模式具有天然的穩(wěn)定性。

電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

系統(tǒng)采用如圖1所示典型的電流控制型PFM Boost DC-DC 變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，虛線框內(nèi)為芯片原理框圖，框外為外圍器件連接示意圖。其中，STDN為芯片的使能端，低電平時(shí)關(guān)斷整個(gè)芯片以降低靜態(tài)功耗;SENSE為輸出電壓反饋采樣端;VFB為負(fù)載電流反饋采樣端;DRIVE為外部功率開(kāi)關(guān)控制端;基準(zhǔn)電壓通過(guò)電阻分壓產(chǎn)生A2比較器的參考電壓VRA2;A1比較器的參考電壓為VRA1;A1和A2通過(guò)一個(gè)二端與非門控制一個(gè)暫穩(wěn)態(tài)為1.7μs單穩(wěn)態(tài)電路;輸出級(jí)DRIVE驅(qū)動(dòng)外部功率管QT。

系統(tǒng)將工作在兩個(gè)狀態(tài)：連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)和不連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)。VIN上電，STDN置高電平，基準(zhǔn)源為A2比較器提供的比較參考電壓為 VRA2。由于系統(tǒng)剛啟動(dòng)，A1、A2輸出高電平，單穩(wěn)態(tài)電路不觸發(fā)，輸出高電平，外部功率管QT導(dǎo)通。當(dāng)VSENSE>VRA1，A1輸出低電平，單穩(wěn)態(tài)電路觸發(fā)，DRIVE電壓迅速被拉低，開(kāi)始給外部C2充電，在RS2兩端電壓未達(dá)到A2比較參考電壓前，系統(tǒng)將重復(fù)上述過(guò)程，系統(tǒng)工作在連續(xù)導(dǎo)通模式。

當(dāng)RS2兩端電壓超過(guò)A2比較電壓VRA2時(shí)，A2比較器輸出低電平，單穩(wěn)態(tài)電路觸發(fā)，外部功率管關(guān)斷，從此時(shí)起1.7μs內(nèi)L給C2充電，當(dāng)L 放完電后，C2開(kāi)始放電，致使RS2兩端電壓仍然超過(guò)A2比較電壓，A2輸出低電平，單穩(wěn)態(tài)電路持續(xù)輸出低電平，外部功率管繼續(xù)處于關(guān)斷狀態(tài)，系統(tǒng)工作在不連續(xù)導(dǎo)通模式。系統(tǒng)啟動(dòng)升壓為連續(xù)導(dǎo)通模式，進(jìn)入穩(wěn)態(tài)后系統(tǒng)為不連續(xù)導(dǎo)通模式。

電路原理與設(shè)計(jì)

1、開(kāi)關(guān)限流控制電路

圖1中A1比較器、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器、驅(qū)動(dòng)放大器和外部開(kāi)關(guān)管組成的環(huán)路為開(kāi)關(guān)限流控制電路。假定單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器輸出高電平穩(wěn)態(tài)，外部功率管QT導(dǎo)通，二極管 D截止，電感L中的電流線性上升。當(dāng)電感電流較小時(shí)，限流電阻RS1上的壓降小于30mV，A1 比較器輸出低電平，不能觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器翻轉(zhuǎn);而當(dāng)電感電流上升至限流Ipk時(shí)，電阻RS1上的壓降達(dá)到VRA1，A1 比較器輸出翻轉(zhuǎn)，輸出低電平經(jīng)與非門控制單穩(wěn)電路進(jìn)入暫穩(wěn)態(tài),外部功率管QT關(guān)斷。由于電感電流必須連續(xù)，因此電感L的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為左負(fù)右正，二極管D導(dǎo)通，電感L開(kāi)始對(duì)C2進(jìn)行充電，輸出電壓VOUT上升。這一過(guò)程將持續(xù)1.7μs至?xí)悍€(wěn)態(tài)結(jié)束，單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器重新回到高電平穩(wěn)態(tài)，再次使QT重復(fù)上述的開(kāi)關(guān)過(guò)程，直至最終VOUT達(dá)到額定輸出電壓。

圖2為A1比較器電路，BIAS為偏置端，VA1為輸出端，VS為正向輸入端，SENSE為負(fù)向輸入端，即為外部電感電流Ipk檢測(cè)端。由于Q10、 Q11、Q12偏置相同，故其提供的偏置電流相同。Q10、Q13、RS構(gòu)成A1比較器正向輸入支路。由于VCC和VBIAS電壓為常數(shù)，Q13采用二極管連接方式，A點(diǎn)的電壓為VBE13+VS;由于Q13、Q14同為NPN管，其兩管的VBE閾值電壓相同，當(dāng)VSENSE>VBE13+VS- VT(be)時(shí)，Q14截止，B點(diǎn)上升為高電平，Q15導(dǎo)通，VA1輸出低電平，通過(guò)控制與非門觸發(fā)單穩(wěn)電路，外部功率管關(guān)斷，VSENSE迅速下降為 0，Q14導(dǎo)通，B點(diǎn)被拉至低電平，Q15關(guān)斷，VA1輸出高電平，此時(shí)控制信號(hào)為與非門所屏蔽，不觸發(fā)單穩(wěn)電路。電路進(jìn)入1.7μs暫穩(wěn)態(tài)，等待外部電感L放電結(jié)束。

由于系統(tǒng)外圍電路的主要功率損耗來(lái)源于反饋電阻RS1和電感L的寄生串聯(lián)電阻，所以可以通過(guò)低反饋電阻技術(shù)來(lái)降低系統(tǒng)外圍器件功耗。即通過(guò)調(diào)節(jié)RS可以提供一個(gè)盡可能小的比較參考電壓VRA1(約為30mV)，對(duì)于電感：當(dāng)VRA1減小時(shí)，對(duì)于相同電感的Ipk，可以有效地減小RS1阻值，進(jìn)而降低系統(tǒng)外圍器件功耗。

2、負(fù)載電流反饋電路

圖1中，電感L、二極管D、負(fù)載、檢測(cè)電阻RS2、A2比較器組成的環(huán)路為負(fù)載電流反饋電路。VFB端為A2比較器反向輸出端，即負(fù)載電流檢測(cè)端。當(dāng)系統(tǒng)進(jìn)入暫穩(wěn)態(tài)時(shí)，電感L通過(guò)二極管D給電容C2和負(fù)載供電。此時(shí)電感 L給負(fù)載供電電流為Ipk，此時(shí)VFB端檢測(cè)電壓VFB達(dá)到最大為Ipk×RS2，大于A2比較器的正向參考電壓VRA2，A2 比較器輸出低電平，通過(guò)與非門控制單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)，關(guān)斷外部功率管,而此時(shí)系統(tǒng)已經(jīng)進(jìn)入暫穩(wěn)態(tài)，外部功率管已經(jīng)處于關(guān)斷狀態(tài)， A2比較器會(huì)持續(xù)觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)。隨著電感電流IL減小，電容C2兩端電壓逐漸上升，當(dāng)外部電感電流IL滿足式(2)：

這時(shí)電容C2開(kāi)始對(duì)負(fù)載供電。當(dāng)電感電流IL降為0，系統(tǒng)進(jìn)入電感電流非連續(xù)模式，這時(shí)只有電容C2給負(fù)載供電，當(dāng)負(fù)載電流ILoad小于IL0時(shí)，A2比較器輸出高電平，其控制信號(hào)為與非門所屏蔽，不觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)電路。此時(shí)外部功率管導(dǎo)通，開(kāi)始給電感L充電?；鶞?zhǔn)電路與A2比較器電路如圖3所示，左邊為帶隙基準(zhǔn)電路，右邊為A2比較器。Q1～Q5和R1～R3組成帶隙結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生帶隙基準(zhǔn)電壓VREF，VREF通過(guò)電阻分壓產(chǎn)生比較器考電壓VRA2。Q4和Q5的VBE之差為：

其中，AE4、AE5為晶體管Q4、Q5的發(fā)射區(qū)面積，比值為N：1，得到基準(zhǔn)電壓為：Q6～Q9和R6構(gòu)成A2比較器，BIAS為偏置電壓，D點(diǎn)為正向輸入端，VFB為負(fù)向輸入端，VRA2為A2比較器的輸出端。A2比較器主要是根據(jù)負(fù)載電流大小，來(lái)調(diào)節(jié)占空比大小，減小負(fù)載電流波動(dòng)。

由圖3可知，正向端參考電壓為：Q6、Q7偏置相同，Q8為二極管連接方式，當(dāng)外部功率管導(dǎo)通時(shí)，VFB

Q9截止，VA2輸出高電平，單穩(wěn)態(tài)不觸發(fā)。當(dāng)VFB>VRA2，Q9導(dǎo)通，VA2輸出低電平，觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)，關(guān)斷外部功率管。

模擬仿真結(jié)果

采用2μm 15V bipolar工藝進(jìn)行電路設(shè)計(jì)，電路各模塊和外圍元件的連結(jié)如圖4所示。外圍元件的取值為：L=22μH，RS1=40mΩ，RS2=15Ω，C1=2.2μF，C2=2.2μF。采用Hpsice電路模擬軟件對(duì)電路進(jìn)行模擬驗(yàn)證。在系統(tǒng)典型工作條件(VIN=3V，T=25℃，VOUT=10.8V)下，系統(tǒng)各端子的瞬態(tài)模擬輸出波形如圖4所示(典型情況下，系統(tǒng)大約只需200μs就達(dá)到穩(wěn)定的輸出電壓)。表1為典型工作條件下電學(xué)特性的模擬結(jié)果。

芯片版圖設(shè)計(jì)

雙極工藝相對(duì)于CMOS工藝具有噪聲小、速度快、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，擁有較高的精度。芯片采用2μm bipolar工藝設(shè)計(jì)，由于電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，器件較少，版圖面積為0.67mm×1.28mm。

本文設(shè)計(jì)了一種用于彩色LCD背光照明的白光LED驅(qū)動(dòng)芯片。采用PFM控制模式低反饋電阻技術(shù)、負(fù)載電流反饋技術(shù)實(shí)現(xiàn)低功耗恒流輸出的設(shè)計(jì)目標(biāo)?；?2μm bipolar工藝仿真驗(yàn)證，在20mA典型應(yīng)用時(shí)，電流調(diào)整率達(dá)到0.02mA/V，效率為80.1%。芯片能在8V的電源電壓下穩(wěn)定工作，最大靜態(tài)電流為152μA。該芯片擁有低功耗、電壓電流紋波系數(shù)小、成本低等優(yōu)點(diǎn)?，F(xiàn)在的LED燈或許會(huì)有一些問(wèn)題，但是我們相信隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，在我們科研人員的努力下，這些問(wèn)題終將唄解決，未來(lái)的LED一定是高效率，高質(zhì)量的。