控制吸收電容充放電的電路圖

　　圖(a)所示電路中，VF1是一次側主MOSFET,來自PWM集成控制器的脈沖使其通/斷工作。為使VF2的通/斷時間與VF1相反，增設雙向延時電路S1?，F(xiàn)假設VF1為截止狀態(tài)，VF2為導通狀態(tài)，吸收電容Cr充電到VF1的漏極-源極間電壓，由此，也吸收加在VF1上的浪涌電壓。在由延時電路確定的延時時間后VF2截止，但這時，Cr兩端電壓等于加在VF1上的電壓，因此，為零電壓和零電流開關器件斷開方式。

　　VF1截止后，二次側二極管VD2的電流降為零，變壓器無勵磁能量。此時一次主繞組N1感應的回掃電壓變?yōu)榱?，以高于C1上電壓進行充電的吸收電容 C1對一次主繞組N1反向放電，這樣，放電電流經(jīng)VF2的寄生二極管(虛線所示)流通。Cr放電開始時，VF2必須截止。由于Cr放電，電容Cr與一次主繞組的電感Lp產(chǎn)生諧振。

　　(a)原理電路 (b)實用電路

　　圖 控制吸收電容充放電的電路圖

　　若VF2為導通狀態(tài)，諧振繼續(xù)衰減振蕩，但VF2截止狀態(tài)時，電容Cr兩端電壓為零時振蕩停止。若Cr停止諧振，則以VF1和VF2的輸入較小容量電容繼續(xù)產(chǎn)生較短周期的諧振。VF1再度導通時，軔小電容放電電流流經(jīng)VF1本身而消耗掉。VF1導通時，其小容量電容充電的電壓隨導通時間而改變，但 Cr兩端電壓降到最低電壓，因此，可以減小Cr產(chǎn)生的損耗。也就是說，即使采用較大容量的電容Cr損耗也不會增大。

　　圖(a)所示為采用VF2寄生二極管使Cr放電形式的電路。一般的M0S-FET寄生二極管恢復特性不適宜高頻，因此，增設低耗二極管作為電容放電二極管，即圖(b)中的二極管VD1。為使放電電流全部流經(jīng)二極管VD1,在VF2回路中增加了逆阻斷二極管VD2.逆阻斷二極管VD2的耐壓大于VD1 的正向壓降即可，因此，選用肖特基二極管(SBD)。另外，雙向延時元件宜采用可飽和電抗器，延時元件和YF2的輸入電容共同決定延時時間，需要較長延時時間時，可在柵極增接電容。輸出電流一減小，VF1的導通時間就變短。這導通時間若短于延時時間，則VF1截止后，VF2導通，因此，VF1漏極-源極間電壓UDS的波形偏離正常波形，功耗也稍增大。為降低最小輸出電流，延時時間要非常短，這樣，就不能充分有效利用電容Cr。這里，作為大致目標，最小輸出電流設定為最大輸出電流的2%~3%。