IGBT構(gòu)成的功率開(kāi)關(guān)單元模塊電路

IGBT、續(xù)流二極管構(gòu)成的功率開(kāi)關(guān)單元模塊電路

(a)所示為單開(kāi)關(guān)模塊;

(b)所示為兩單元(半橋)模塊;

(c)所示為H橋(單相橋)模塊;

(d)所示為不對(duì)稱H橋模塊;

(e)所示為三相橋(六單元或逆變橋)模塊;

(f)所示為斬波模塊;

(g)所示為斬波模塊;

(h)所示為三相橋GD加斬波GAL(制動(dòng)斬波電路)模塊;

(i)所示為三單元模 塊，由3組開(kāi)關(guān)組成;

(j)所示為單開(kāi)關(guān)加集電極端串聯(lián)二極管(反向阻斷開(kāi)關(guān))模塊;

(k)所示為單開(kāi)關(guān)加發(fā)射極端串聯(lián)二極管(反向阻斷開(kāi)關(guān))模塊;

(i)所示為兩單元模塊，帶串聯(lián)二極管(反向阻斷開(kāi)關(guān))。