用于 Intel® IMVP6.5 平臺(tái)的電源解決方案

電路圖

設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

Intel 移動(dòng)電壓定位 6.5 (IMVP-6.5) 規(guī)范為使用此平臺(tái)的 Intel® 處理器提供了電源管理信息。德州儀器 (TI) 提供的集成解決方案完全符合專門用在低功耗 CPU 和計(jì)算系統(tǒng)的 Intel 集成圖形解決方案中的單相同步 DC/DC 降壓穩(wěn)壓器。TI 電源管理產(chǎn)品中的高級(jí)控制功能包含用于加快瞬態(tài)響應(yīng)、降低輸出電容并提高工作效率的 D-CAP 架構(gòu)和 OSR 過沖減降功能。其它重要功能包括 5 位圖形 VID 渲染、可調(diào)節(jié)的 VCORE 轉(zhuǎn)換率控制以及電壓定位。

通過將功率 MOSFET CICLON NexFET™ 技術(shù)應(yīng)用到 TI 電源管理系列，我們現(xiàn)在可以采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝提供與極低柵電荷耦合的低導(dǎo)通電阻，該封裝呈現(xiàn)了一種通過現(xiàn)有芯片平臺(tái)才能實(shí)現(xiàn)的前所未有的組合。 NexFET 技術(shù)為 N 和 P 通道功率 MOSFET 設(shè)備提供了高性能。憑借高輸出電流和低占空比，設(shè)計(jì)者可在從輕載到滿載的過程中實(shí)現(xiàn) 90% 的供電效率，這標(biāo)志著離散設(shè)計(jì)取得了巨大突破。

在不損耗功率的情況下使頻率加倍

在用于計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器系統(tǒng)的同步降壓轉(zhuǎn)換器電源中，功率 MOSFET 對(duì)于提高 DC/DC 效率至關(guān)重要。與具有相同導(dǎo)通電阻的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)溝道式功率 MOSFET 相比，NexFET 技術(shù)所提供的電荷不及柵電荷 (Qg) 的一半。更低的電荷意味著轉(zhuǎn)換器可以在維持相同功率損耗的情況下以更高的頻率運(yùn)行，或者在相同頻率下以更高的效率運(yùn)行。柵電荷的大量減少使電源開關(guān)頻率實(shí)現(xiàn)潛在加倍，這將使電源輸出濾波器的尺寸縮減一半，從而節(jié)省寶貴的電路板面積并減少組件數(shù)量，最終達(dá)到降低成本的目的。

更低的工作溫度

NexFET 技術(shù)能使功率 MOSFET 更高效地運(yùn)行(工作溫度降低高達(dá) 30%)，同時(shí)還能讓 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器以更低溫度運(yùn)行。最終結(jié)果是工作溫度降低 15%，系統(tǒng)的整體可靠性必將得到提高。