英特爾美光量產(chǎn)34nm NAND閃存
英特爾和美光日前開始量產(chǎn)雙方聯(lián)合開發(fā)的34nm 32G MLC NAND Flash。
雙方的合資公司IM Flash表示,明年將開始試產(chǎn)34nm低密度MLC(multi-level cell)和SLC(Single-level cell)產(chǎn)品。
該公司稱34nm NAND flash量產(chǎn)提前開始,今年年底預(yù)計(jì)Lehi工廠將有50%的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向34nm。