臺(tái)積電盼到急單出現(xiàn) 花旗重新納入亞太區(qū)半導(dǎo)體買進(jìn)名單

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，花旗環(huán)球亞太首席半導(dǎo)體分析師陸行之在最新出爐的報(bào)告中指出，2010年臺(tái)積電每股配發(fā)3元股息的政策恐怕無(wú)法達(dá)成；不過(guò)，在經(jīng)過(guò)幾個(gè)月的減產(chǎn)“沉潛”后，臺(tái)積電近期終于盼到急單出現(xiàn)，加上著眼于低功耗芯片市場(chǎng)，大幅提升競(jìng)爭(zhēng)力，因此花旗不僅維持臺(tái)積電“買進(jìn)”評(píng)等，更重新納入亞太區(qū)半導(dǎo)體投資組合中的首選名單中，目標(biāo)價(jià)調(diào)升至55元。

陸行之指出，臺(tái)積電今年1月的產(chǎn)能利用率已減至35-40%，減產(chǎn)效益也于近期浮現(xiàn)，包括臺(tái)積電、硅品和日月光都接到不少來(lái)自nVIDIA、Qualcomm、聯(lián)發(fā)科等大客戶訂單，預(yù)估半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在今年第2季就可望開(kāi)始逐漸回溫，而無(wú)晶圓廠則將比晶圓代工廠更早一步復(fù)蘇。

除了急單題材外，臺(tái)積電近期也著眼于低功耗 CPU市場(chǎng)，宣布將28納米制程定位為全世代 (Full Node)制程，并將于2010年下半年提供客戶高介電層 金屬閘 (High-k Metal Gate，HKMG)材料選擇；陸行之指出，比起其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手仍在使用32納米制程，臺(tái)積電將替其高階制程客戶省下更多成本，也更具競(jìng)爭(zhēng)力。

由于臺(tái)積電去年12月?tīng)I(yíng)收較11月掉了30%，創(chuàng)下4年半新低，第 4季營(yíng)收和毛利率也下滑至歷史谷底區(qū)，陸行之因此下修臺(tái)積電今年EPS目標(biāo)17%至1.63元，然而，預(yù)估今年第2季開(kāi)始就將可以看到微幅成長(zhǎng)，加上“短線有急單題材、長(zhǎng)線有低功耗 CPU市場(chǎng)”，因此將臺(tái)積電重新納入花旗“亞太區(qū)半導(dǎo)體及 TFT LCD投資組合”中的首選名單中，目標(biāo)價(jià)則由53元調(diào)升至55元。