臺積電完成0.18微米快閃新制程認證 Q3量產相關產品

臺積電日前宣布完成0.18微米嵌入式閃存(0.18-micron embFlash)制程認證，此制程因有低漏電的特性，因此適用于手持式裝置與汽車電子等芯片應用上，有助于臺積電爭取更多新客戶，預計今年第3季就可以量產。

臺積電目前已經擁有0.25微米到90奈米的嵌入式閃存制程技術，過去在相關市場也都有提供服務，也已貢獻營收。而目前因看好模擬、功率、汽車電子等芯片市場，因此增加及更新了0.18微米的相關技術，希望能替既有客戶提供服務，同時也爭取相關新客戶。

臺積電指出，0.18-micron embFlash制程不僅可擴充臺積電在相關市場的產品線，且該制程只需要用到 7層的光罩，目前就可在臺積3廠量產投片。

此外，臺積電0.18微米超低漏電嵌入式閃存制程也瞄準省電的手持裝置內建處理器等芯片；在 1.8伏特電壓下，可較標準化制程減少95%的漏電；且此制程閃存IP將可在待機電流下減少 80%耗能，以及在有效電流下減少60%耗能，預計今年第3季就可提供客戶量產。