英國(guó)開發(fā)出號(hào)稱尺寸最小的鉆石晶體管

 來(lái)自英國(guó)Glasgow大學(xué)的研究人員宣布研發(fā)出有史以來(lái)最小的鉆石晶體管(diamondtransistor)，其閘長(zhǎng)度(gatelengths)只有50奈米(nm)。領(lǐng)導(dǎo)研究團(tuán)隊(duì)的該校電子電機(jī)系DavidMoran博士表示，這種晶體管僅有日本電信集團(tuán)NTT所發(fā)明的、上一代號(hào)稱最小鉆石晶體管的一半。

    研究人員表示，由于鉆石擁有許多特性，包括大能隙(bandgap)、高內(nèi)部遷移性、以及高溫傳導(dǎo)性等，很適合做為未來(lái)奈米級(jí)電子組件的材料，也能有助于諸如兆赫(terahertz)成像與汽車碰撞偵測(cè)等等新興技術(shù)的開發(fā)。

    Moran表示，上述應(yīng)用需要速度非常快且理想的高功率晶體管技術(shù)，且能在惡劣的天候/氣溫狀態(tài)下運(yùn)作，而鉆石晶體管在這些應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。鉆石材料是透過(guò)英國(guó)供貨商ElementSix旗下子公司DiamondMicrowaveDevices的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，以合成方式應(yīng)用在該種組件中。

    此外Moran也表示，該研究團(tuán)隊(duì)的目標(biāo)是制造出具備比砷化鎵晶體管頻率更高、功率更高的穩(wěn)定組件，并將該種小型晶體管的運(yùn)作頻率拉升到100GHz左右；接下來(lái)則是透過(guò)增加該組件的總閘長(zhǎng)度來(lái)強(qiáng)化電源管理能力。