一、任務(wù)
設(shè)計并制作一個低頻功率放大器,要求末級功放管采用分立的大功率MOS晶體管。
二、要求
1.基本要求
(1)當(dāng)輸入正弦信號電壓有效值為5mV時,在8Ω電阻負(fù)載(一端接地)上,輸出功率≥5W,輸出波形無明顯失真。
(2)通頻帶為20Hz~20kHz。
(3)輸入電阻為600Ω。
(4)輸出噪聲電壓有效值V0N≤5mV。
(5)盡可能提高功率放大器的整機效率。
(6)具有測量并顯示低頻功率放大器輸出功率(正弦信號輸入時)、直流電源的供給功率和整機效率的功能,測量精度優(yōu)于5%。
2. 發(fā)揮部分
(1)低頻功率放大器通頻帶擴展為10Hz~50kHz。
(2)在通頻帶內(nèi)低頻功率放大器失真度小于1%。
(3)在滿足輸出功率≥5W、通頻帶為20Hz~20kHz的前提下,盡可能降低輸入信號幅度。
(4)設(shè)計一個帶阻濾波器,阻帶頻率范圍為40~60Hz。在50Hz頻率點輸出功率衰減≥6dB。
(5)其他。
三、說明
1.不得使用MOS集成功率模塊。
2.本題輸出噪聲電壓定義為輸入端接地時,在負(fù)載電阻上測得的輸出電壓,測量時使用帶寬為2MHz的毫伏表。
3.本題功率放大電路的整機效率定義為:功率放大器的輸出功率與整機的直流電源供給功率之比。電路中應(yīng)預(yù)留測試端子,以便測試直流電源供給功率。
4.發(fā)揮部分(4)制作的帶阻濾波器通過開關(guān)接入。
5.設(shè)計報告正文中應(yīng)包括系統(tǒng)總體框圖、核心電路原理圖、主要流程圖、主要的測試結(jié)果。完整的電路原理圖、重要的源程序用附件給出。
四、評分標(biāo)準(zhǔn)