IMEC等利用振動(dòng)發(fā)電的MEMS元件實(shí)現(xiàn)85μW電力
[導(dǎo)讀]比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC、荷蘭研究機(jī)構(gòu)Holst Centre與TNO在“2009 IEEE International Electron
Devices Meeting（IEDM
2009）”上宣布，聯(lián)合開(kāi)發(fā)出了將振動(dòng)能量轉(zhuǎn)換為電力的MEMS元件，并獲得了最大85μW的電力。此前I
比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC、荷蘭研究機(jī)構(gòu)Holst Centre與TNO在“2009 IEEE International Electron
Devices Meeting（IEDM
2009）”上宣布，聯(lián)合開(kāi)發(fā)出了將振動(dòng)能量轉(zhuǎn)換為電力的MEMS元件，并獲得了最大85μW的電力。此前IMEC開(kāi)發(fā)出的MEMS元件中，最大電力為
60μW。
此次的元件是采用6英寸硅晶圓形成硅MEMS，然后在此處積層壓電材料AlN（氮化鋁）后制作出來(lái)的。原來(lái)壓電元件一直采用PZT（鋯鈦酸鉛）。 AlN在積層時(shí)無(wú)需精密調(diào)整鋁（Al）與氮（N）的比例，積層速度比PZT快3倍。通過(guò)改變MEMS的尺寸等，元件的諧振頻率可設(shè)定在 150～1200Hz的范圍內(nèi)。
另外，IMEC等還將該MEMS元件實(shí)際封裝于無(wú)線發(fā)送數(shù)據(jù)的溫度傳感器中。該溫度傳感器以10μW的電力工作，因此一旦施加加速度為0.64g、振 動(dòng)頻率為353Hz的振動(dòng)，便可每隔15秒向基站傳送溫度數(shù)據(jù)。（記者：野澤 哲生）
此次的元件是采用6英寸硅晶圓形成硅MEMS，然后在此處積層壓電材料AlN（氮化鋁）后制作出來(lái)的。原來(lái)壓電元件一直采用PZT（鋯鈦酸鉛）。 AlN在積層時(shí)無(wú)需精密調(diào)整鋁（Al）與氮（N）的比例，積層速度比PZT快3倍。通過(guò)改變MEMS的尺寸等，元件的諧振頻率可設(shè)定在 150～1200Hz的范圍內(nèi)。
另外，IMEC等還將該MEMS元件實(shí)際封裝于無(wú)線發(fā)送數(shù)據(jù)的溫度傳感器中。該溫度傳感器以10μW的電力工作，因此一旦施加加速度為0.64g、振 動(dòng)頻率為353Hz的振動(dòng)，便可每隔15秒向基站傳送溫度數(shù)據(jù)。（記者：野澤 哲生）
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