[導(dǎo)讀]在半導(dǎo)體內(nèi)存行業(yè)，美國美光科技（MicronTechnology）的地位在不斷提高。該公司2010年2月宣布收購第一大NOR閃存廠商瑞士恒憶（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND閃存外，該公司今后還將涉足NOR閃存、MCP（Multi-chipPacka
在半導(dǎo)體內(nèi)存行業(yè)，美國美光科技（MicronTechnology）的地位在不斷提高。該公司2010年2月宣布收購第一大NOR閃存廠商瑞士恒憶（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND閃存外，該公司今后還將涉足NOR閃存、MCP（Multi-chipPackage，多芯片封裝）乃至相變內(nèi)存（PCM），變身為業(yè)內(nèi)的“全能選手（All-aroundPlayer）”。在半導(dǎo)體內(nèi)存業(yè)務(wù)方面，該公司一直保持著微細(xì)化領(lǐng)跑者的優(yōu)勢。該公司與英特爾合作開發(fā)的NAND閃存目前已開始樣品供貨25nm工藝產(chǎn)品（參閱本站報道）。本站記者就NAND閃存業(yè)務(wù)戰(zhàn)略采訪了美光科技NAND產(chǎn)品部門戰(zhàn)略市場營銷總監(jiān)KevinKilbuck。（采訪人：大下淳一）
——在NAND閃存微細(xì)化競爭中貴公司一直在采取攻勢。能否談?wù)劸唧w情況？
與英特爾合資成立的NAND閃存制造公司（IMFlashTechnologies）后，我們第一個量產(chǎn)的是70nm工藝產(chǎn)品。在該工藝領(lǐng)域，我們處于微細(xì)化的最后尾。之后，我們跳過6Xnm工藝向50nm工藝推進微細(xì)化，進入了中間一級梯隊。接著，又跳過4Xnm工藝向34nm工藝推進，從而邁進了微細(xì)化的前列。為了在更加微細(xì)化的工藝上也能夠保持領(lǐng)先地位，我們還將在2010年6月之前量產(chǎn)25nm工藝產(chǎn)品。屆時將量產(chǎn)基于2bit/單元多值技術(shù)的64Gbit產(chǎn)品。一般而言，在工藝上跨級推進微細(xì)化通常伴有風(fēng)險，但我們?nèi)匀桓拭斑@個風(fēng)險。
——在3bit/單元以上的“超多值技術(shù)”方面，貴公司的量產(chǎn)進程一直落后于其他公司。原因是什么？
我們將超多值技術(shù)視為微細(xì)化步幅減緩時的一種“保險”。換句話說，當(dāng)微細(xì)化開發(fā)因某種原因而停滯時，這種大容量化技術(shù)才發(fā)揮替代作用。事實上，早在2009年10～12月時我們就已能夠量產(chǎn)34nm工藝的3bit/單元產(chǎn)品了。不過，我們在25nm工藝的微細(xì)化開發(fā)上進展順利，因此目前優(yōu)先考慮的是盡快量產(chǎn)25nm產(chǎn)品。這樣，便放棄了量產(chǎn)34nm工藝3bit/單元產(chǎn)品的想法。而在25nm工藝方面，我們打算在2010年內(nèi)量產(chǎn)3bit/單元產(chǎn)品。因為要使25nm以后的工藝實現(xiàn)量產(chǎn)，還需要等待很長一段時間。
——貴公司25nm以后的工藝何時能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)？另外，這一工藝將采用什么樣的單元技術(shù)？
估計要等到2011年下半年～2012年初。除了現(xiàn)有的浮游柵技術(shù)之外，目前我們還在研究電荷捕獲技術(shù)等多項單元技術(shù)。對于電荷捕獲技術(shù)這樣的新技術(shù)，要確定其生命力能夠延續(xù)到的工藝程度，這十分重要。
——盡管貴公司是微細(xì)化的領(lǐng)跑者，但在可謂NAND閃存主戰(zhàn)場的便攜音樂播放器及智能電話等領(lǐng)域，貴公司的應(yīng)用業(yè)績卻似乎一直落后于其他公司。
我們寄望于今后的發(fā)展。相信這一狀況會徹底改變。為了借助新一代便攜終端架構(gòu)在Design-in方面勝出，我們正在推進與芯片組裝廠商等的合作。此外，我們還將提供“EZ-NAND”等解決方案，以降低NAND閃存的運行控制芯片（控制器）給終端（主機）造成的負(fù)荷。
——按金額計算，貴公司在NAND閃存市場上的份額目前在10％左右。今后計劃提高到什么程度？
最低也要達到15～20％。與我們的合資業(yè)務(wù)伙伴，也就是英特爾進行合計的話，目前份額已經(jīng)達到了約15％。在收購恒憶之后，估計業(yè)務(wù)規(guī)模會進一步擴大。
——IMFlashTechnologies公司的旗艦工廠即新加坡工廠的啟動進程緩慢。該工廠何時開始量產(chǎn)？
新加坡工廠的投資問題，的確是我們尚未落實的重大事項。雖然清潔室的建設(shè)已于2009年完工，但即使馬上安裝制造設(shè)備，早快也要到2011年才能開始量產(chǎn)。我們將根據(jù)市場的動向，在確信需求呈擴大趨勢時，再著手向該工廠進行設(shè)備投資。
——在NAND閃存微細(xì)化競爭中貴公司一直在采取攻勢。能否談?wù)劸唧w情況？
與英特爾合資成立的NAND閃存制造公司（IMFlashTechnologies）后，我們第一個量產(chǎn)的是70nm工藝產(chǎn)品。在該工藝領(lǐng)域，我們處于微細(xì)化的最后尾。之后，我們跳過6Xnm工藝向50nm工藝推進微細(xì)化，進入了中間一級梯隊。接著，又跳過4Xnm工藝向34nm工藝推進，從而邁進了微細(xì)化的前列。為了在更加微細(xì)化的工藝上也能夠保持領(lǐng)先地位，我們還將在2010年6月之前量產(chǎn)25nm工藝產(chǎn)品。屆時將量產(chǎn)基于2bit/單元多值技術(shù)的64Gbit產(chǎn)品。一般而言，在工藝上跨級推進微細(xì)化通常伴有風(fēng)險，但我們?nèi)匀桓拭斑@個風(fēng)險。
——在3bit/單元以上的“超多值技術(shù)”方面，貴公司的量產(chǎn)進程一直落后于其他公司。原因是什么？
我們將超多值技術(shù)視為微細(xì)化步幅減緩時的一種“保險”。換句話說，當(dāng)微細(xì)化開發(fā)因某種原因而停滯時，這種大容量化技術(shù)才發(fā)揮替代作用。事實上，早在2009年10～12月時我們就已能夠量產(chǎn)34nm工藝的3bit/單元產(chǎn)品了。不過，我們在25nm工藝的微細(xì)化開發(fā)上進展順利，因此目前優(yōu)先考慮的是盡快量產(chǎn)25nm產(chǎn)品。這樣，便放棄了量產(chǎn)34nm工藝3bit/單元產(chǎn)品的想法。而在25nm工藝方面，我們打算在2010年內(nèi)量產(chǎn)3bit/單元產(chǎn)品。因為要使25nm以后的工藝實現(xiàn)量產(chǎn)，還需要等待很長一段時間。
——貴公司25nm以后的工藝何時能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)？另外，這一工藝將采用什么樣的單元技術(shù)？
估計要等到2011年下半年～2012年初。除了現(xiàn)有的浮游柵技術(shù)之外，目前我們還在研究電荷捕獲技術(shù)等多項單元技術(shù)。對于電荷捕獲技術(shù)這樣的新技術(shù)，要確定其生命力能夠延續(xù)到的工藝程度，這十分重要。
——盡管貴公司是微細(xì)化的領(lǐng)跑者，但在可謂NAND閃存主戰(zhàn)場的便攜音樂播放器及智能電話等領(lǐng)域，貴公司的應(yīng)用業(yè)績卻似乎一直落后于其他公司。
我們寄望于今后的發(fā)展。相信這一狀況會徹底改變。為了借助新一代便攜終端架構(gòu)在Design-in方面勝出，我們正在推進與芯片組裝廠商等的合作。此外，我們還將提供“EZ-NAND”等解決方案，以降低NAND閃存的運行控制芯片（控制器）給終端（主機）造成的負(fù)荷。
——按金額計算，貴公司在NAND閃存市場上的份額目前在10％左右。今后計劃提高到什么程度？
最低也要達到15～20％。與我們的合資業(yè)務(wù)伙伴，也就是英特爾進行合計的話，目前份額已經(jīng)達到了約15％。在收購恒憶之后，估計業(yè)務(wù)規(guī)模會進一步擴大。
——IMFlashTechnologies公司的旗艦工廠即新加坡工廠的啟動進程緩慢。該工廠何時開始量產(chǎn)？
新加坡工廠的投資問題，的確是我們尚未落實的重大事項。雖然清潔室的建設(shè)已于2009年完工，但即使馬上安裝制造設(shè)備，早快也要到2011年才能開始量產(chǎn)。我們將根據(jù)市場的動向，在確信需求呈擴大趨勢時，再著手向該工廠進行設(shè)備投資。
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