DRAM產業(yè)在所有半導體產業(yè)中的成本敏感度最高,永遠需要最先進的機器設備和最新的制程技術,才能存活。唯有比競爭對手領先一步轉進50納米或是40納米,才能讓成本進一步降低。
但左右DRAM成本高低的,其實并非只在技術層面,還包括生產基地的良窳,例如DRAM產業(yè)早已全面進入12吋廠時代,8吋廠不可能存活下來,而臺灣的低制造成本優(yōu)勢,更是DRAM產業(yè)滋養(yǎng)成長的溫床,未來臺DRAM廠料將延續(xù)此優(yōu)勢,在2010年全球DRAM市場中占有一席之地。
奇夢達注定淘汰命運
舉例來說,過去奇夢達就是在技術和生產基地上都出問題,注定了狼狽退出DRAM產業(yè)的命運。2009年初奇夢達申請破產,當時正是臺灣農歷春節(jié)連假的第1天,從此奇夢達就消失在全球DRAM產業(yè)版圖中,也代表歐洲在全球DRAM產業(yè)競爭的落敗,以及溝槽式技術的壽終正寢。
奇夢達過去和臺廠的淵源相當深厚,前身英飛凌(Infineon)是茂德的合作伙伴,雙方在2003年正式拆伙,之后與南亞科、華邦等臺廠合作,是溝槽式技術陣營的代表。2006年溝槽式陣營的市占率最高達曾達23%,2007年已下滑至18%,市占率的下滑也使得設備商投入的研發(fā)資金要選邊站,溝槽式技術的設備商越來越少,設備越來越貴,加上0.11微米之后就沒有優(yōu)勢,因此奇夢達的技術開發(fā)成本的確越來越高。
奇夢達當然也知道技術瓶頸終于來臨,因此也自己研發(fā)出埋入式閘極字元線連結(BuriedWordline)技術,轉而研發(fā)堆疊式技術架構,更宣布與爾必達技術合作開發(fā)4F2技術,將BuriedWordline技術提供給爾必達合作開發(fā)新技術,頗有化敵為友之意,但所有的努力卻在金融風暴來臨后功虧一簣,技術雖好,但沒有錢代表連存活的技術都沒有,奇夢達最終宣布破產。
合作伙伴的倒戈,也是壓垮奇夢達的1根稻草。2008年3月南亞科正式和奇夢達分道揚鑣,與過去從來不曾和他人分享技術的美光,簽下技術合作合約。由此可知,資金、技術雖是2010年以后DRAM產業(yè)發(fā)展的重要關鍵,但是策略聯(lián)盟的伙伴關系也將繼續(xù)具有不可替代的影響力。
臺DRAM廠攜手美、日抗韓
就以2009年退出臺灣DRAM市場的海力士(Hynix)來說,因臺灣政府主導的DRAM產業(yè)整合中,營造了聯(lián)合美、日一起抗韓的氣氛,鎖定三星電子為最大敵人,海力士身在韓營,因此黯然退出臺灣DRAM市場,原本的合作伙伴茂德則轉投爾必達懷抱。
不論臺灣DRAM產業(yè)整合結果為何,臺灣DRAM產業(yè)終究是分為臺美、臺日兩線發(fā)展,對抗三星是共同的目標,這點其實和政府整合計畫的原意相仿。
但在共同面對三星這個巨大敵人的同時,2010年的美光和爾必達可能要先彼此爭相出頭,因為誰擠進了全球前3強(前2強為三星和海力士)的門票,就可以立于不敗之地,尤其不能當上最后1名,因為未來的DRAM市場競爭只會更嚴峻,不論是技術、產能、資金等規(guī)模,最后1名的業(yè)者隨時得面對被淘汰的危機。
資金匱乏筑下50納米戰(zhàn)爭的天險
在技術制程上,美光和爾必達2009年都缺席于50納米大戰(zhàn),主要原因是資金不足,沒有多余資金引進新的機器設備,但兩陣營這口氣當然咽不下去,隨著DRAM產業(yè)景氣快速復蘇,美光和爾必達2010年將重整士氣,前進50納米和40納米制程。
轉進50納米制程對于DRAM廠是重要的競爭分水嶺,因為導入50納米制程需要導入浸潤式微顯影(ImmersionScanner)機臺,1臺價格超過新臺幣10億元,但平均1臺只能做約1萬片產能,如果1座晶圓廠的規(guī)模是單月10萬片,就要購買10臺的ImmersionScanner設備,要花上100億元,由此可知,50納米制程世代比的絕對是口袋的深度。
美光的50納米制程在2009年初在美國麻州Virginia廠開始試產,2010年預計50納米制程也將進入量產,同陣營的南亞科和華亞科,2010年也是重兵放在50納米制程上,南亞科旗下3萬片的12吋廠產能,和華亞科旗下高達13萬片的12吋廠產能2010年都要全數轉進50納米。由此可知,2010年的DRAM產業(yè)將是新制程的挑戰(zhàn)賽,比技術也比時間。
美光技術+臺塑財力稱霸臺灣DRAM產業(yè)
對南亞科和華亞科而言,因為在轉制程同時,等同是從溝槽式技術要轉換到堆疊式技術,部分機器設備、制程設計都要改變,相較其他同業(yè),會走的比同業(yè)艱辛,但只要跨出這一步,未來40納米和30納米相對容易許多。為了確保制程和技術轉換順利,南亞科在2009年下半先導入68納米的美光溝槽式制程做練兵,確定溝槽式技術無慮后,再轉進50納米制程,華亞科則隨后加入。
南亞科和華亞科為了轉進50納米,也開始密集募資,南亞科辦理3次募資總共獲得462億元的資金,銀彈相當充沛。華亞科也不遑多讓,2009年8月辦理海外存托憑證募得102.52億元,這次現金增資預計可募得近150億元,合計兩次募資可獲得250億元;臺塑集團旗下DRAM廠搶錢的功力一流,更是羨煞眾多同業(yè)。
有了南亞科和華亞科的支援,美光本身也同時進行40納米制程的研發(fā),由新加坡廠導入試產,未來到了40納米制程,由于ImmersionScanner機臺都可以共用,所需的費用就可以大大減少。由此推測,在美光精進的技術加上臺塑集團財力的奧援,2010年南亞科和華亞科的DRAM勢力頗有想像空間。
爾必達臥薪嘗膽2010年將一舉跨到40納米
臺灣另1個DRAM聯(lián)盟的帶頭者則是爾必達。2009年的金融風暴重傷DRAM產業(yè),也使得爾必達一度面臨財務危機,是繼奇夢達之后,市場認為最有可能走向破產的DRAM陣營,也因此爾必達當時密切與臺灣政府合作,希望能獲得臺灣金援。此外,爾必達內部也擬好兩套作戰(zhàn)計畫,以應付當時的艱辛困局。
1個是利用現有65納米技術作微縮,研發(fā)出65納米XS版本,讓產能多出20%;另1個是決定舍棄50納米,且在2010年直接跳到40納米制程技術。爾必達內部評估,如果公司2010年才轉到50納米制程,那么三星2010年的40納米早已量產出貨,整個技術斷層仍是存在,但如果能直接跳到40納米制程,屆時成本競爭力有機會與三星一較高下。[!--empirenews.page--]
爾必達的40納米制程初期會由6F2制程技術切入,目前已宣布研發(fā)成功,到了40納米4F2制程階段,研發(fā)重心會由日本廣島移到臺灣,日前爾必達與瑞晶宣布成立研發(fā)中心,預計2009、2010兩年合計投資8,000萬美元,落實臺日雙方的生產及研發(fā)工作。
海力士黯然退出臺灣成為整合下最大苦主
此外,評斷2010年各家DRAM廠勢力變化的關鍵因素時,可不能遺忘海力士的存在。海力士在全球記憶體產業(yè)中,一直有獨特的生存之道,例如海力士對NANDFlash即投注相當大的財力與技術研發(fā)。過去海力士由于48納米制程不順,因此NANDFlash技術發(fā)展不順,再加上海力士很多NANDFlash產能都是在8吋廠生產,不具競爭力,因此將旗下8吋廠大量退役,這些因素都使得海力士的NANDFlash產能受到影響。
在此同時,競爭對手三星和東芝(Toshiba)在NANDFlash市場戰(zhàn)斗力十足,市占率持續(xù)擴大,都各自保持在30%,且原本市占率落后的美光和英特爾(Intel)的IMFlash陣營,2009年憑借著34納米制程量產,是全球第1個跨入30納米世代的NANDFlash業(yè)者,對海力士形成極大威脅。
2009年下半美光在NANDFlash市場的市占率一度超越海力士,搶下全球3哥寶座,但目前海力士32納米制程已正式量產成功,目前也開始小量出貨,預計海力士可重拾產業(yè)競爭力,因此2010年各家NANDFlash市占的變化將精采可期。尤其最近持有海力士股權28%的債權銀行,打算出脫部分持股,日前也傳出阿拉伯聯(lián)合大公國有興趣投資部分海力士股權,此消息顯示海力士的產業(yè)競爭力備受肯定,2010年美光、爾必達等對手得多加把勁,才有機會超越海力士。
臺灣成美、日重要戰(zhàn)場
整體來看,南韓、美國、日本在DRAM產業(yè)的競爭賽,未來仍會如火如荼進行。走過金融風暴的摧殘,DRAM價格也開始反彈,各廠開始賺錢,整裝待發(fā)進行下一輪比賽,臺灣DRAM業(yè)者的未來,也跟隨著國際大廠的勢力消長而不斷變動中。
未來臺灣DRAM產業(yè)的發(fā)展確定是臺美、臺日雙線出擊,最大敵人是三星,除了依賴母廠技術的優(yōu)劣外,最大的關鍵仍是資金,也因此市場格外看好美光和南亞科、華亞科陣營,認為有臺塑集團的支持,等于有龐大的銀庫做支援。
短期之內,臺灣還是維持臺美、臺日兩陣營最有利,畢竟美、日都是全球第3、第4,在還沒有分出勝負前,倉促壓寶恐賠上臺灣累積數10年的DRAM產業(yè)根基。
爾必達在臺灣產能之爭上收獲豐富,未來40納米若能成功量產,全球競爭力不可小覷;美光有臺塑集團的財力加持,在資金競爭力上明顯勝出,在此美、日兩陣營的壯大下,臺灣成為DRAM重要的戰(zhàn)場,臺廠也應該借著與國際大廠合作的機會,增加自己的競爭力、研發(fā)實力和價值,彼此才能并駕齊驅,達到挑戰(zhàn)三星的目標。