臺(tái)積電/ADI攜手開(kāi)發(fā)0.18微米類比制程技術(shù)平臺(tái)

時(shí)間：2012-06-21 14:29:45

關(guān)鍵字： ADI 制程技術(shù) 臺(tái)積電微米

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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電(TSM-US)(2330-TW)與美商亞德諾(Analog Devices Inc.)(ADI-US)今(20)日共同宣布雙方合作開(kāi)發(fā)完成可支援精密類比積體電路的0.18微米類比制程技術(shù)平臺(tái)。此平臺(tái)適合許多電腦、工業(yè)電子及消費(fèi)性電子產(chǎn)品的應(yīng)用。此

臺(tái)積電(TSM-US)(2330-TW)與美商亞德諾(Analog Devices Inc.)(ADI-US)今(20)日共同宣布雙方合作開(kāi)發(fā)完成可支援精密類比積體電路的0.18微米類比制程技術(shù)平臺(tái)。此平臺(tái)適合許多電腦、工業(yè)電子及消費(fèi)性電子產(chǎn)品的應(yīng)用。

此嶄新的制程技術(shù)平臺(tái)能夠大幅改善類比效能，支援諸多元件的應(yīng)用，包括交流電轉(zhuǎn)直流電(A/D)與直流電轉(zhuǎn)交流電(D/A)轉(zhuǎn)換器、電源管理元件、以及音訊編/解碼器，這些元件皆被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)性電子、通訊產(chǎn)品、電腦、工業(yè)電子、以及汽車產(chǎn)品。

0.18微米5伏電壓制程所達(dá)到的性能提升效果包括雜音改善幅度提升一個(gè)數(shù)量級(jí)(An Order of Magnitude)、靜態(tài)漏電流(Standby Leakage Current)減少幅度達(dá)70%、線性度(Linearity)改善50%、以及電容電阻匹配(Capacitor and Resistor Matching)改善幅度達(dá)50%。

ADI藉此新開(kāi)發(fā)平臺(tái)于最近發(fā)表的產(chǎn)品包括隔離式控制器區(qū)域網(wǎng)路(Control-Area Network，CAN)收發(fā)器、高速可尋址遠(yuǎn)端換能器(Highway Addressable Remote Transducer, HART)數(shù)據(jù)機(jī)IC、心電圖(ECG)類比前端(AFE)晶片、數(shù)位電位器(Digital Potentiometer)、以及音訊編碼器。

臺(tái)積電0.18微米BCD(Bipolar–CMOS -DMOS，雙極–互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體–雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體)制程平臺(tái)能夠支援廣大的操作電壓范圍，并且提供具有成本效益的操作優(yōu)勢(shì)，擁有極小的覆蓋面積(Footprint)與極高的能源效率，此平臺(tái)適合許多電腦、工業(yè)電子及消費(fèi)性電子產(chǎn)品的應(yīng)用。

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