政策扶持重點(diǎn) 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)黃金發(fā)展期

據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的相關(guān)人士透露，有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報(bào)資訊獲悉，政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路的設(shè)計(jì)和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)，功率半導(dǎo)體將迎來(lái)重要戰(zhàn)略機(jī)遇期和黃金發(fā)展期。

功率半導(dǎo)體是節(jié)能減排的關(guān)鍵技術(shù)和基礎(chǔ)技術(shù)，被大量應(yīng)用于消費(fèi)類電子、新能源汽車、光伏發(fā)電、風(fēng)電、工業(yè)控制和國(guó)防裝備。2013年以來(lái)我國(guó)大部分地區(qū)霧霾天氣頻發(fā)，在這種背景下，大規(guī)模使用功率半導(dǎo)體來(lái)提高能源效率、促進(jìn)節(jié)能減排，也成為半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的重要方向。

半導(dǎo)體功率器件的產(chǎn)品門類非常廣，主要包括功率MOS晶體管(PowerMOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、快恢復(fù)二極管(FRD)，以及尚未得到大規(guī)模應(yīng)用的采用SiC和GaN的新一代功率半導(dǎo)體。

據(jù)矢野經(jīng)濟(jì)研究所的統(tǒng)計(jì)，未來(lái)7年間，全球功率半導(dǎo)體銷售額的復(fù)合增長(zhǎng)率三倍于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)3%的營(yíng)收增速。

從國(guó)內(nèi)的情況來(lái)看，隨著全球空調(diào)、節(jié)能電機(jī)等電子產(chǎn)品產(chǎn)能向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移，功率半導(dǎo)體的需求也成倍的增加，僅IGBT產(chǎn)品的需求規(guī)模已經(jīng)超過(guò)100億元，并且國(guó)內(nèi)已經(jīng)出現(xiàn)格力電器等消費(fèi)IGBT模塊超過(guò)10億元的企業(yè)，我國(guó)已成為全球最大的功率半導(dǎo)體器件消費(fèi)市場(chǎng)。

IGBT器件仍然嚴(yán)重依賴于國(guó)外公司，國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品市場(chǎng)占有率不足10%。

面對(duì)這種狀況，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)關(guān)于IGBT的項(xiàng)目紛紛獲得政府補(bǔ)助，去年12月2日、23日，臺(tái)基股份的IGBT產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目連續(xù)獲得專項(xiàng)資金扶持，12月31日，士蘭微公告其“高壓IGBT芯片工藝技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目獲得國(guó)家專項(xiàng)資金扶持。

士蘭微在國(guó)家科技重大專項(xiàng)(研發(fā)多芯片功率模塊)的支持下，已成功地完成了高壓MOSFET、600V-1200VIGBT、FRD、600V-1200V高壓驅(qū)動(dòng)集成電路、功率模塊等新技術(shù)新產(chǎn)品的研發(fā)，相關(guān)的產(chǎn)品已陸續(xù)開始投入市場(chǎng)，展現(xiàn)了很好的市場(chǎng)前景。

科陸電子作為智能電表行業(yè)的龍頭企業(yè)，積極拓展智能電網(wǎng)、節(jié)能減排和新能源等多個(gè)領(lǐng)域，已經(jīng)成為節(jié)能減排領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，也是發(fā)改委重點(diǎn)扶持的IGBT應(yīng)用的重點(diǎn)探索企業(yè)。公司在2011年獲得科技部的專項(xiàng)資金用于碳化硅及硅基IGBT多芯片串聯(lián)模塊研發(fā)和測(cè)試平臺(tái)的建立。

華微電子自主研發(fā)的IGBT產(chǎn)品以及改進(jìn)后的可控硅產(chǎn)品，也取得了一定程度的市場(chǎng)進(jìn)展，開發(fā)出一些較大應(yīng)用客戶群。此外，第三代MOSFET產(chǎn)品和TRENCH工藝平臺(tái)，在市場(chǎng)上得到了較高的認(rèn)可度。