臺(tái)積電布局3D IC領(lǐng)域 28納米已就位16納米蓄勢(shì)待發(fā)

 晶圓代工龍頭廠臺(tái)積電在3D IC領(lǐng)域的布局，一直被視為領(lǐng)頭羊角色，日前不但有重大突破和美光(Micron)一起打造邏輯和記憶體晶片的3D IC技術(shù)外，其28納米的3D IC晶片更是大聲疾呼「已經(jīng)準(zhǔn)備好了」!業(yè)界認(rèn)為，市場(chǎng)非常期待16納米3D IC晶片的問(wèn)世。

臺(tái)積電為了布局3D IC技術(shù)領(lǐng)域，積極耕耘上下游一條鞭整合型服務(wù)。在技??術(shù)端方面，2年前宣布和SK海力士(SK Hynix)合作3D IC測(cè)試晶片，首度和DRAM一同合作，臺(tái)積電在此領(lǐng)域策略也是開(kāi)放式的，不排除與任何記憶體合作伙伴結(jié)盟，因此日前再與第二家記憶體美光攜手，打造3D IC晶片。

在后段封測(cè)領(lǐng)域，臺(tái)積電很早就跨入封測(cè)市場(chǎng)，長(zhǎng)遠(yuǎn)就是為3D IC布局打基礎(chǔ)，初期先建置龐大的Bumping產(chǎn)能，且傳出臺(tái)積電這幾年默默建立的后端封測(cè)12吋Bumping產(chǎn)能單月出貨量已高??達(dá)15萬(wàn)片，累計(jì)出貨量超過(guò)500萬(wàn)片，其他封測(cè)供應(yīng)商對(duì)于臺(tái)積電的封測(cè)布局不敢小覷。

另外，Bumping產(chǎn)能打下封測(cè)端基礎(chǔ)后，臺(tái)積電持續(xù)投資先進(jìn)技術(shù)，擴(kuò)大投資包括Fan-out PoP、2.5D interposer等技術(shù)，提供完整的封測(cè)解決方案，首波主打客戶應(yīng)該是移動(dòng)通訊晶片供應(yīng)商包括高通(Qualcomm)、聯(lián)發(fā)科、蘋(píng)果(Apple)等現(xiàn)在既有的重量級(jí)大客戶，更可鞏固既有的手機(jī)AP晶片訂單和客戶需求。

臺(tái)積電目前針對(duì)28納米HP制程的3D IC晶片，已到了準(zhǔn)備完成地步，目前正在著手研發(fā)16納米3D IC晶片，市場(chǎng)認(rèn)為屆時(shí)3D IC晶片技術(shù)市場(chǎng)會(huì)更成熟，且成本更適合客戶大量導(dǎo)入量產(chǎn)。

臺(tái)積電28納米制程2014年占營(yíng)收比重可超過(guò)30%，且主流制程會(huì)轉(zhuǎn)到HKMG制程，現(xiàn)在HKMG制程占28納米比重已超過(guò)85%，掌握60個(gè)客戶在手，已積極著手新版本的16納米FinFET Plus制程。

28納米和20納米制程在臺(tái)積電的技術(shù)發(fā)展上，臺(tái)積電的量產(chǎn)速度都曾經(jīng)創(chuàng)下歷史，更奠定先進(jìn)制程的領(lǐng)導(dǎo)地位。

同時(shí)，臺(tái)積電在先進(jìn)制程投入的資金、人力和心力也是相當(dāng)驚人。過(guò)去4年在先進(jìn)制程上共投入310億美元，2012和2013年的資本支出為83億美元、97億美元，2014年資本支出也在95億~100億美元之間，2015年資本支出也是會(huì)維持高檔。

市場(chǎng)看好臺(tái)積電在3D IC技術(shù)布局上，有SK海力士和美光兩大記憶體廠，未來(lái)可通吃邏輯和記憶體整合技術(shù)，強(qiáng)化與三星電子(Samsung Electronics)競(jìng)爭(zhēng)利器。