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[導(dǎo)讀]外資花旗證券表示,全球半導(dǎo)體廠期待的18寸晶圓技術(shù),量產(chǎn)時(shí)程延后。這代表停留在目前12寸晶圓的時(shí)間將會(huì)拉長(zhǎng),將有利12寸領(lǐng)導(dǎo)廠臺(tái)積電,封測(cè)的日月光、矽品也將連帶受惠?;ㄆ煺{(diào)查供應(yīng)鏈發(fā)現(xiàn),18寸晶圓目前仍停留在

外資花旗證券表示,全球半導(dǎo)體廠期待的18寸晶圓技術(shù),量產(chǎn)時(shí)程延后。這代表停留在目前12寸晶圓的時(shí)間將會(huì)拉長(zhǎng),將有利12寸領(lǐng)導(dǎo)廠臺(tái)積電,封測(cè)的日月光、矽品也將連帶受惠。

花旗調(diào)查供應(yīng)鏈發(fā)現(xiàn),18寸晶圓目前仍停留在初期階段,主要原因是設(shè)備廠荷商艾斯摩爾(ASML)、美商應(yīng)材并未積極投入,導(dǎo)致18寸進(jìn)度緩慢。

花旗認(rèn)為,18寸晶圓進(jìn)度落后,受創(chuàng)最大的是英特爾,主要是英特爾生產(chǎn)的處理器晶片尺寸較大,對(duì)大面積晶圓的需求更為迫切。相反的,三星以生產(chǎn)記憶體為主,晶片尺寸較小,對(duì)大面積晶圓需求相對(duì)并不迫切,沖擊也最小。臺(tái)積電則介于兩者之間。

不過,花旗指出,18寸進(jìn)度落后,代表停留在目前12寸制程的時(shí)間將拉長(zhǎng),這對(duì)臺(tái)積電最為有利。主要是臺(tái)積電目前是全球12寸晶圓廠中產(chǎn)能最大者,有經(jīng)濟(jì)規(guī)模的優(yōu)勢(shì)。封測(cè)臺(tái)廠的日月光和矽品,也將跟著受惠。

18寸晶圓與目前主流的12寸相比,直徑多了5成,面積是2.25倍;單片晶圓可裁切的數(shù)量更多,有助廠商降低成本。因此全球半導(dǎo)體大廠包括英特爾、臺(tái)積電、三星,投入研發(fā)18寸多年。

不過,18寸的電晶體(transistor)架構(gòu)雖然已經(jīng)開發(fā)出來,相應(yīng)的測(cè)試規(guī)格如WAT(晶圓接受測(cè)試)、光罩等卻遲遲沒有進(jìn)度?;ㄆ毂硎荆?strong>晶圓尺寸不加大,線寬就必須減少,亦即加速推向10奈米甚至7奈米制程,如此一來,設(shè)備廠的EUV(超紫外光)微影設(shè)備就更形重要。

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