半導(dǎo)體制程進(jìn)展：明年進(jìn)入3D設(shè)計(jì)FinFET制程

近日消息，據(jù)digitimes報(bào)道，移動(dòng)裝置如智能手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)于半導(dǎo)體芯片的需求走到超低功耗，制程技術(shù)從28納米制程，到20納米制程，將于2015年進(jìn)入第一代3D設(shè)計(jì)架構(gòu)的FinFET制程，也就是14/16納米世代。

臺(tái)積電2015年下半即將量產(chǎn)16納米世代，英特爾、三星電子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries將是14納米制程世代，英特爾早一些量產(chǎn)，之后是三星，GlobalFoundries制程技術(shù)將屬于三星陣營(yíng)。

臺(tái)積電因?yàn)闉榇罂蛻籼O(píng)果生產(chǎn)20納米制程芯片，因此16納米制程技術(shù)問(wèn)世時(shí)間較晚，相較之下，三星電子在技術(shù)上跳過(guò)20納米制程，直接生產(chǎn)14納米制程世代。

根據(jù)巴克萊(Barclays)統(tǒng)計(jì)，2015年三星在FinFET制程世代可以拿下53%的市場(chǎng)占有率，相較于臺(tái)積電FinFET制程可拿下39%，三星在2015年仍是暫時(shí)領(lǐng)先，但預(yù)計(jì)到了2016年，臺(tái)積電的市場(chǎng)占有率預(yù)計(jì)可將達(dá)61%，而三星和GlobalFoundries聯(lián)手拿下約39%，臺(tái)積電重新奪回主導(dǎo)權(quán)地位。