近日消息，國工信部電子信息司司長丁文武主導(dǎo)的半導(dǎo)體小組，對于中國DRAM未來的發(fā)展已有明確的方向，同時遴選了半導(dǎo)體相關(guān)的頂尖業(yè)界人士擔(dān)當(dāng)評審委員，跳脫傳統(tǒng)的政治評估，各地方政府擁有的技術(shù)、人力、財力及資源才是評中入選的重要考量點。
如果中國DRAM研發(fā)與發(fā)展團隊正式成軍，將牽動著中國半導(dǎo)體相關(guān)公司間的策略結(jié)盟與高層異動，此外，蓋廠的同時也帶動具群聚效應(yīng)的半導(dǎo)體業(yè)者往中國靠攏，全球高階設(shè)計研發(fā)制程人才版圖亦將往中國市場逐漸移動。
目前已經(jīng)呼之欲出的方案，是以既有的半導(dǎo)體基地、公司為發(fā)展基礎(chǔ)，結(jié)合中國具相關(guān)經(jīng)驗的高階干部，結(jié)盟相關(guān)中國半導(dǎo)體公司與IC設(shè)計公司。而與三大DRAM廠洽談合作機會的方針也持續(xù)進(jìn)行中。
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，自2014年10月14 日中國工信部宣布國家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金(中國簡稱"大基金")成立，挾帶著1,300億人民幣基金，中國政府挾帶豐沛資金與廣大市場宣示進(jìn)軍全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，DRAM產(chǎn)業(yè)將是中國進(jìn)入半導(dǎo)體的重要目標(biāo);但業(yè)界先進(jìn)如三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)與美光(Micron)在DRAM業(yè)界耕耘已久，眾多的IP智財亦形成了門檻極高的競爭壁壘。
由于缺乏DRAM三大陣營的技術(shù)來源與相關(guān)生產(chǎn)經(jīng)驗，藉由并購并取得IP成了中國進(jìn)軍DRAM領(lǐng)域最快的敲門磚。去年的英特爾(Intel)與展訊的模式就是一例，一者提供技術(shù)支援、一者在中國本土市場有先占優(yōu)勢，互相合作可望帶來加乘效果。
而今年6月11日中國武岳峰資本再度以每股21美元，高于另家美國半導(dǎo)體公司賽普拉斯的原先報價20.25美元奪回美國上市的芯成半導(dǎo)體，亦可看出中國政府對于取得IP智財提升DRAM領(lǐng)域技術(shù)競爭力的重要性。
至于擁有豐富半導(dǎo)體經(jīng)驗與技術(shù)的臺灣，也是中國亟欲合作的對象，各省市負(fù)責(zé)高層頻頻來臺親自拜會相關(guān)公司，看中的就是臺灣在全球的研發(fā)團隊在強勁研發(fā)實力與國際接軌能力皆屬名列前茅，更不排除從臺灣等地招募有經(jīng)驗的DRAM團隊。
DRAMeXchange表示，發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)是中國既定的政策，能否找到技術(shù)合作的伙伴、有豐富經(jīng)驗的團隊與IP智財?shù)娜〉?，將是未來中國半?dǎo)體計畫能否成功，甚至加速量產(chǎn)的關(guān)鍵。
不同于NAND Flash產(chǎn)品，即使品質(zhì)不好亦有低階產(chǎn)品可以使用，DRAM產(chǎn)品不論容量大小都不容許任何錯誤，如果技術(shù)到位，中國將先切入技術(shù)較容易的標(biāo)準(zhǔn)型記憶體與利基型記憶體，再進(jìn)軍近年成長快速的Mobile DRAM，軟硬體的整合預(yù)估最快需要3~7年，初期首重中國內(nèi)需市場，并以全球市場為目標(biāo)推進(jìn)。
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