韓國三星電子公司20日說,已經研制出全球最小DRAM芯片,將在全球率先量產。
這款芯片為第二代10納米級8千兆字節(jié)DDR4DRAM。去年2月,三星電子實現(xiàn)第一代10納米級DRAM芯片的量產。
三星介紹,第二代10納米級DRAM產品采用超高速、超節(jié)電、超小型電路設計等最新工藝技術,較第一代10納米級速度提高10%以上,耗電量節(jié)省15%以上,生產效率提高30%。
DRAM是動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內存。
韓國三星電子公司20日說,已經研制出全球最小DRAM芯片,將在全球率先量產。
這款芯片為第二代10納米級8千兆字節(jié)DDR4DRAM。去年2月,三星電子實現(xiàn)第一代10納米級DRAM芯片的量產。
三星介紹,第二代10納米級DRAM產品采用超高速、超節(jié)電、超小型電路設計等最新工藝技術,較第一代10納米級速度提高10%以上,耗電量節(jié)省15%以上,生產效率提高30%。
DRAM是動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內存。