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[導讀] 身為國家存儲器項目首發(fā)基地的長江存儲,4月11日武漢廠正式舉行裝機典禮,由紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國親自主持,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(大基金)總裁董事長丁文武也到場支持,紫光集團全球執(zhí)行

 身為國家存儲器項目首發(fā)基地的長江存儲,4月11日武漢廠正式舉行裝機典禮,由紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國親自主持,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(大基金)總裁董事長丁文武也到場支持,紫光集團全球執(zhí)行副總裁暨長江存儲執(zhí)行董事長高啟全表示,長江存儲已經(jīng)獲得第一筆10,776顆芯片的訂單,算是11日裝機儀式中的最大彩蛋!

長江存儲武漢新廠房的啟動,代表國內(nèi)實現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)的全新起點,對中國半導體產(chǎn)業(yè)極具里程碑意義!紫光在武漢、南京、成都三地皆具備12寸廠,率先啟動的是武漢基地,趙偉國指出,武漢將募資800億人民幣,日前金額已經(jīng)全數(shù)到位,今年可進入小規(guī)模量產(chǎn),明年進入128Gb的3D NAND在64層技術(shù)的研發(fā)。

業(yè)內(nèi)人士認為,現(xiàn)在NAND Flash大廠三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)主流的3D NAND技術(shù)是64層和72層,雖然今、明兩年將跨入96層技術(shù),但這個技術(shù)門檻十分高,要進入大量生產(chǎn)需要一些時間,如果紫光可以在64層3D NAND技術(shù)如期研發(fā)成功,那國內(nèi)自主存儲技術(shù)的腳步將更為堅定。

長江存儲的裝機典禮后,針對全球來參加的半導體設(shè)備供應(yīng)商舉行了“自主創(chuàng)芯 攜手共贏”的2018供應(yīng)商大會,高啟全在會中宣布,長江存儲的32層3D NAND芯片已經(jīng)接獲首筆訂單,數(shù)量超過10,000顆,達10,776顆芯片,將應(yīng)用在8GB uSD卡上,這代表國內(nèi)3D NAND芯片研發(fā)已經(jīng)跨出成功的第一步,不但研發(fā)成功,并且進入商用化!

事實上,長江存儲的武漢基地第一期生產(chǎn)線進度十分快速,2017年9月已提前封頂,2017年11月長江存儲第一顆32層3D NAND芯片宣布研發(fā)成功,而2018年2月進行廠內(nèi)潔凈室、消防等系統(tǒng)安裝,4月11日這天正式舉行半導體設(shè)備裝機典禮,實現(xiàn)國內(nèi)3D NAND芯片量產(chǎn)僅一步之遙!

趙偉國再強調(diào),除了武漢的長江存儲基地所需800億人民幣到位,另兩大基地成都、南京也會各自會再投入500億元,加上紫光正和重慶市政府、大基金等成立注冊資本1,000億元的新公司,五年備妥3,700億元的資金要把芯片產(chǎn)業(yè)建起來,這是個大戰(zhàn)略布局。

11日的裝機典禮中,全球半導體設(shè)備大廠高層齊聚一堂,未來武漢長江存儲的長期規(guī)劃是單月高達30萬片的12寸晶圓產(chǎn)能,加上南京、成都兩大基地,紫光集團的“芯”布局絕對是推升全球半導體產(chǎn)業(yè)往前沖的一大助力,集團內(nèi)部也期待在3D NAND技術(shù)領(lǐng)域在未來2~3年要彎道超車,積極累積手上的專利,關(guān)鍵是要在2020年上好好打上一仗!

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