聯(lián)電苦追臺積電 28納米Q2開始接單投片

聯(lián)電苦熬一年多的28納米制程有重大突破，承接先進網(wǎng)通及高階手機芯片的關(guān)鍵高介電常數(shù)金屬閘極（HKMG）制程，已獲全球第二大IC設(shè)計商博通（Broadcom）認證，第2季開始接單投片，營運出現(xiàn)大轉(zhuǎn)機。

目前28納米全球晶圓代工市場由臺積電獨霸，聯(lián)電先前一度對28納米進度保守，隨著相關(guān)制程接單報捷，意味聯(lián)電將可分食臺積電28納米制程商機，引爆晶圓雙雄沉寂多時的高階制程大戰(zhàn)。由于28納米毛利較高，有助聯(lián)電本業(yè)大躍進。

聯(lián)電高層證實28納米HKMG制程良率近期顯著提升，但不評論個別客戶認證及接單進度。市場預(yù)期，未來包括高通、聯(lián)發(fā)科等更多28納米制程設(shè)計的手機芯片，也會陸續(xù)轉(zhuǎn)移部分訂單至聯(lián)電。

高通策略暨營運資深副總裁戴維森（BillDavidson）日前與臺灣媒體舉行視訊記者會時便透露，高通采取更多元的代工來源是既定政策，當時的談話便暗示一旦聯(lián)電28納米HKMG良率提升之后，高通將考慮對聯(lián)電釋單。

設(shè)備商透露，聯(lián)電28納米HKMG去年積極追趕臺積電腳步，并采取以‘T-Like’模式，爭取成為臺積電客戶的第二供應(yīng)來源，但進展不如預(yù)期，也使聯(lián)電去年28納米制程營收占比還只是低個位數(shù)。

聯(lián)電近年因高階制程進度落后臺積電，基本面表現(xiàn)平平，上季僅小賺7億余元，逼近損益兩平；去年全年純益126億元、每股純益1.01元。今年初聯(lián)電執(zhí)行長顏博文在法說會時，仍對28納米HKMG制程進展持保守態(tài)度。

法人指出，聯(lián)電去年即已建置28納米HKMG約1.5萬片月產(chǎn)能，隨著良率與接單傳出喜訊，短期內(nèi)仍難撼動臺積電在28納米的領(lǐng)先優(yōu)勢，但對聯(lián)電而言，意義重大，本業(yè)將迎接轉(zhuǎn)機。

尤其手機矽智財（IP）授權(quán)大廠安謀（ARM）主推28納米制程架構(gòu)平臺，主攻中低階智能型手機，獲得高通和聯(lián)發(fā)科、博通及邁威爾等手機芯片廠采用，預(yù)料第2季開始大量導入。聯(lián)電28納米HKMG適時切入28納米需求爆發(fā)的時間點，搭配主力制程40納米和高壓特殊制程訂單持續(xù)強勁，第2季營收將展現(xiàn)強勁爆發(fā)力。

14納米加速縮短差距

聯(lián)電28納米制程獲得關(guān)鍵性突破，公司同步啟動14納米FinFET（鰭式場效晶體管）正式試產(chǎn)前的‘風險試產(chǎn)線’建置作業(yè)，預(yù)計今年底進行風險性試產(chǎn)，明年下半年量產(chǎn)，希望能縮小與臺積電的差距。

據(jù)了解，聯(lián)電14納米以下制程采取加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，與格羅方德及三星成為同一技術(shù)陣營。

聯(lián)電去年即派出工程團隊赴美國參與IBM技術(shù)聯(lián)盟，并在南科設(shè)立研發(fā)中心，準備將14納米制程導入在聯(lián)電南科12A廠生產(chǎn)。

高介電常數(shù)金屬閘極制程可以有效降低柵極電容，并能讓晶體管縮小，容納更多晶體管數(shù)，減少漏電并提升效能。

隨著智能型手機追求更輕薄短小，手機應(yīng)用處理器效能要求更強大、更省電，這項制程即成為承接手機芯片及可編輯邏元件主流技術(shù)，更被視為邁向鰭式場效電晶（FinFET）等3D架構(gòu)的前期指標。