力晶與瑞薩合作90納米驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)

時(shí)間：2011-12-08 16:46:32

關(guān)鍵字：驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)存 DRAM 制程技術(shù)

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[導(dǎo)讀]內(nèi)存廠商力晶受到標(biāo)準(zhǔn)型DRAM占營(yíng)收比重不斷降低影響，11月?tīng)I(yíng)收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來(lái)新低。盡管營(yíng)收表現(xiàn)不佳，不過(guò)力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅(qū)動(dòng)芯片高壓制程進(jìn)入量產(chǎn)，持續(xù)朝轉(zhuǎn)型之路邁進(jìn)

內(nèi)存廠商力晶受到標(biāo)準(zhǔn)型DRAM占營(yíng)收比重不斷降低影響，11月?tīng)I(yíng)收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來(lái)新低。盡管營(yíng)收表現(xiàn)不佳，不過(guò)力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅(qū)動(dòng)芯片高壓制程進(jìn)入量產(chǎn)，持續(xù)朝轉(zhuǎn)型之路邁進(jìn)。

力晶日前宣布淡出PCDRAM產(chǎn)業(yè)之后，積極邁開(kāi)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型步伐，該公司發(fā)言人譚仲民指出，代工事業(yè)的制程技術(shù)獲得重大進(jìn)展，與瑞薩電子旗下之子公司RenesasSPDriversInc.合作的90納米驅(qū)動(dòng)芯片高壓制程，已開(kāi)發(fā)成功并進(jìn)入量產(chǎn)，此技術(shù)承接原瑞薩電子之制程技術(shù)，將廣泛應(yīng)用于行動(dòng)裝置的液晶面版驅(qū)動(dòng)芯片上面。

力晶是國(guó)內(nèi)第一家采用12吋廠量產(chǎn)90納米驅(qū)動(dòng)芯片的半導(dǎo)體公司，并采用材料成本較低的鋁制程。透過(guò)新一代90納米制程技術(shù)，力晶所生產(chǎn)的驅(qū)動(dòng)芯片，可配置于鋁制程中的最小靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存，在相同的芯片面積下，較目前主流的130納米制程內(nèi)嵌內(nèi)存容量可增為兩倍，未來(lái)隨著智能型手機(jī)屏幕尺寸變大、分辨率提升的市場(chǎng)趨勢(shì)，終端客戶可在充分有效控制成本的情況下，提供給更高階的智能型手機(jī)使用。

譚仲民表示，RenesasSPDriversInc.一直是驅(qū)動(dòng)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的先驅(qū)，新一代的技術(shù)更配合環(huán)保省電的要求，采用低電壓運(yùn)作的設(shè)計(jì)，再加上制程技術(shù)與內(nèi)存領(lǐng)域的面積微縮技術(shù)，可以進(jìn)一步達(dá)到內(nèi)存容量倍增及低耗電量的優(yōu)勢(shì)。

譚仲民強(qiáng)調(diào)，公司12吋廠90納米驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)，適合搭載大容量?jī)?nèi)存的高階智能型手機(jī)，將可望帶動(dòng)該公司轉(zhuǎn)型晶圓代工的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)。

鑒于DRAM市場(chǎng)持續(xù)低迷，譚仲民指出，該公司已加大業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型的力度，進(jìn)一步減少標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的投片量，有效降低該項(xiàng)產(chǎn)品所造成現(xiàn)金流失，同時(shí)也將使DRAM在力晶的產(chǎn)銷比重顯著減少；至于晶圓代工部門持續(xù)投入研發(fā)，隨著代工業(yè)務(wù)的成長(zhǎng)，將改善財(cái)務(wù)、營(yíng)運(yùn)體質(zhì)。

另外，受到標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存跌價(jià)與營(yíng)收貢獻(xiàn)度持續(xù)減少下，力晶11月?tīng)I(yíng)收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來(lái)新低紀(jì)錄，較上月減少5.8%，較去年同期亦衰退47.77%，累計(jì)前11月?tīng)I(yíng)收為356.32億元，年減53.89%。