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[導讀]據臺積電公司負責開發(fā)的高級副總裁蔣尚義透露,他們計劃于2012年第三季度開始試產22nmHP(高性能)制程的芯片產品,并將于2013年第一季度開始試產22nmLP(低功耗)制程的芯片產品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次半

臺積電公司負責開發(fā)的高級副總裁蔣尚義透露,他們計劃于2012年第三季度開始試產22nmHP(高性能)制程的芯片產品,并將于2013年第一季度開始試產22nmLP(低功耗)制程的芯片產品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次半導體產業(yè)論壇會議上透露這些信息的。

會上蔣尚義還透露了臺積電28nm制程推進計劃的細節(jié),據他表示,臺積電將于今年6月底前開始試產28nm低功耗制程(LP)產品,基于這種制程產品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺積電計劃啟動首款基于HKMG柵極結構的28nm制程--28HP的試產;最后,今年12月份晚些時候他們會開始第二款基于HKMG柵極結構的28nm制程(28HPL)的試產。

另外,蔣尚義還表示目前臺積電已經從Altera,富士通,高通以及信力公司那里接到了28nm芯片的代工訂單。

至于40nm制程部分,臺積電表示其生產的40nm制程產品在市場上的份額已經達到80%強。盡管去年中期曾出現(xiàn)過良率不佳的問題,但經過兩個季度的改進和完善之后,其40nm制程工藝的缺陷密度(DefectDensity:一種質量特征,用每層和每平方厘米晶片上的缺陷數表示。)已經由原來的0.3-0.4降至0.1-.0.3左右。

臺積電的銷售所得分布方面,蔣尚義表示,到今年年底,臺積電的40nm制程業(yè)務方面所得的營收額將占到公司總營收額的20%左右,而去年年底這個比例則只有4%左右。

目前臺積電40nm制程芯片的季度產能約為8萬片12英寸晶圓,蔣尚義并表示到今年年底,有關的產能將實現(xiàn)倍增。目前臺積電只有Fab12一間工廠能夠制作40nm制程芯片,不過臺積電計劃讓Fab14工廠也具備40nm制程芯片的制造能力,以滿足增加40nm芯片產能的需要。

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