維持28奈米競爭力聯(lián)電2014年前資本支出恐難降

時間：2012-04-23 11:33:42

關鍵字：聯(lián)電臺積電 HP

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[導讀]手機晶片大廠高通(Qualcomm)于18日美股盤后發(fā)布2012會計年度第2季(2012年1-3月)財報，單季營收、本業(yè)每股稀釋盈余分別創(chuàng)下新高，不過由于28奈米產能短缺，高通預估本季營收將季減5.9%來到46.5億美元、本業(yè)每股盈余則

ce="Times New Roman">手機晶片大廠高通(Qualcomm)于18日美股盤后發(fā)布2012會計年度第2季(2012年1-3月)財報，單季營收、本業(yè)每股稀釋盈余分別創(chuàng)下新高，不過由于28奈米產能短缺，高通預估本季營收將季減5.9%來到46.5億美元、本業(yè)每股盈余則將落在0.83-0.89元區(qū)間，低于分析師原先預期。在臺積電(2330)28奈米產能已滿、且確定調高今年資本支出的情況下，同樣拿下高通28奈米訂單的聯(lián)電(2303)，擴產動作勢必也不能停。法人估，聯(lián)電若要維持28奈米競爭力，至少到2014年為止，每年都要有20億美元左右的資本支出，唯如此一來2012-2014年的年復合折舊成長率可能會超過1成，勢必對公司獲利造成沖擊。

法人指出，聯(lián)電的28奈米HPL(高效能/低功耗，high-performance-low-power)制程將在今年第三季量產，客戶包括高通、網(wǎng)通晶片大廠博通(Broadcom)、美滿(Marvell)等，估計聯(lián)電在先前法說會提出，28奈米制程今年底之前占營收比重5%的目標可望達陣。而在28奈米HPM制程（行動高效能，high-performanceformobile）部分，則有機會于2013年中量產。

不過，外資巴黎證券，則指出聯(lián)電在多晶矽氮氧化矽(PolySiON)28奈米技術的幾個隱憂，包括：第一，產業(yè)已漸走向高介電常數(shù)/金屬閘極(high-kmetalgate/HKMG)技術，相對而言多晶矽氮氧化矽屬「利基」(niche)型市場，規(guī)模較小；第二，聯(lián)電在產能布建上的態(tài)度顯得保守，通常都是在客戶承諾確定訂單后才決定擴產，對某些注重產能調度彈性的客戶可能較缺乏吸引力。而聯(lián)電若要加緊朝高介電常數(shù)/金屬閘極技術轉換，勢必需要更高的資本支出，也讓其在短期內，難以在先進制程布局追上臺積電。

而聯(lián)電也將于4月25日舉辦法人說明會，屆時將對第二季展望、今年資本支出是否調整，以及28奈米制程進度有更進一步的說明。