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爾必達(dá)投資800億日元應(yīng)對DRAM 50％/年的需求增長

時(shí)間：2011-05-23 10:38:40
關(guān)鍵字： DRAM    爾必達(dá)    5NM    嵌入式   
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[導(dǎo)讀]日本爾必達(dá)存儲器正致力于通過小額設(shè)備投資實(shí)現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計(jì)2011財(cái)年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅將達(dá)到50％/年，但卻打算以較上財(cái)年減少30％的設(shè)備投資額（800億日元）來應(yīng)對

日本爾必達(dá)存儲器正致力于通過小額設(shè)備投資實(shí)現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計(jì)2011財(cái)年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅將達(dá)到50％/年，但卻打算以較上財(cái)年減少30％的設(shè)備投資額（800億日元）來應(yīng)對。從40nm開始采用的嵌入式字線（WordLine）工藝技術(shù)是確保上述計(jì)劃得以實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵。

嵌入式字線技術(shù)的特點(diǎn)是，無需大量使用實(shí)現(xiàn)微細(xì)化所必需的ArF液浸曝光裝置等。而且，2011財(cái)年將全面導(dǎo)入的30nm和部分導(dǎo)入的25nm將與40nm具有較高的工藝共通性。由此，只需少量設(shè)備投資額便可推進(jìn)微細(xì)化進(jìn)程。對此，爾必達(dá)在發(fā)布2011財(cái)年第四季度（2011年1月～3月）的結(jié)算時(shí)表示，“微細(xì)化至30nm和25nm所需要的設(shè)備投資額，僅為微細(xì)化至采用嵌入式字線技術(shù)之前的70nm的1/7”，“將臺灣瑞晶電子的量產(chǎn)線（300mm晶圓的處理能力超過8萬枚/月）從30nm全部換成25nm，需要耗費(fèi)250億日元左右”，“如果新建一條相同規(guī)模的量產(chǎn)線，需要花費(fèi)2500億日元左右”。

這樣做的話，在晶圓處理能力為1萬枚/月的條件下，針對30nm和25nm的微細(xì)化投資可以大幅壓縮至30億日元左右，而新設(shè)生產(chǎn)線則需要約300億日元，微細(xì)化至70nm需要200多億日元。另外，關(guān)于20nm以后的微細(xì)化，爾必達(dá)計(jì)劃采用三維構(gòu)造，制成4F2（F為設(shè)計(jì)規(guī)則）單元的工藝技術(shù)。此時(shí)工藝技術(shù)會(huì)發(fā)生較大變化，存在更新生產(chǎn)設(shè)備、需要大量設(shè)備投資的可能性。關(guān)于這一點(diǎn)，爾必達(dá)表示“我們將動(dòng)腦筋盡可能控制設(shè)備投資額”。

來源：日經(jīng)BP社

作者：zhaobin

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