[導讀]近日英特爾和美光發(fā)表聯(lián)合聲明推出了采用20nm制造工藝的NAND閃存芯片產(chǎn)品，不過就在英特爾和美光發(fā)布新工藝的NAND閃存沒幾天之后Sandisk和東芝就聯(lián)合宣布19nm制造工藝的NAND閃存已經(jīng)誕生，這兩家公司在日本的芯片制造
近日英特爾和美光發(fā)表聯(lián)合聲明推出了采用20nm制造工藝的NAND閃存芯片產(chǎn)品，不過就在英特爾和美光發(fā)布新工藝的NAND閃存沒幾天之后Sandisk和東芝就聯(lián)合宣布19nm制造工藝的NAND閃存已經(jīng)誕生，這兩家公司在日本的芯片制造公司將負責新NAND閃存的應用以及推廣。
之前分析人士認為Sandisk和東芝會在今年年底之前推出1xnm級別的NAND閃存芯片，但是就在英特爾和美光剛剛發(fā)布了20nm制造工藝的NAND閃存芯片之后Sandisk和東芝就以最快的速度為我們帶來了19nm制造工藝的NAND閃存產(chǎn)品。
該消息稱Sandisk與東芝開發(fā)的19nm制程技術已經(jīng)在全新的2位元型64Gb密度芯片產(chǎn)品上開始應用了，按照這樣的情況來看19nm制程技術制造的芯片容量可以達到8GB的標準，而未來Sandisk和東芝還計劃將19nm制造工藝的技術應用在3位元型閃存產(chǎn)品上。
東芝方面透露由兩家公司將位于日本橫濱的300mm規(guī)格Fab4工廠將采用19nm制程進行NAND閃存芯片制造，目前兩家公司在橫濱的生產(chǎn)基地內一共有4家制造工廠。東芝去年開始了全新的Fab5工廠的建設工作，該工廠同樣為300mm標準規(guī)格，預計近期將會竣工。東芝方面采用19nm制程制作的2位元型64Gbit密度NAND芯片樣品將于本月底對外供應，而第三季度將會實現(xiàn)量產(chǎn)。
由于19nm制造工藝將閃存的尺寸進一步縮小，因此東芝能夠將16片64Gbit密度的NAND閃存芯片安裝在同一個封裝單位內，這樣128GB容量的閃存芯片單元就能夠開始應用，對于智能手機和平板電腦來說128GB容量時代即將到來。
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