Micron總裁：芯片制造商與設(shè)備制造商的未來將是“榮辱與共、一損俱損”

時間：2011-01-14 13:56:18

關(guān)鍵字： MICRON 芯片制造商 RC NAND

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[導(dǎo)讀]NAND技術(shù)有些滯后的Micron公司最近正在改進(jìn)自己，在NAND制造工藝的某些方面好像己經(jīng)超過它的競爭對手。目前Micron正在進(jìn)行25nmNAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,計劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進(jìn)行由42nm過渡到3xnm的生

NAND技術(shù)有些滯后的Micron公司最近正在改進(jìn)自己，在NAND制造工藝的某些方面好像己經(jīng)超過它的競爭對手。

目前Micron正在進(jìn)行25nmNAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,計劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進(jìn)行由42nm過渡到3xnm的生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換。在NOR方面Micron一直是領(lǐng)先的廠商。因此Micron己成為一家存儲器產(chǎn)品類別最完整的公司。

在SEMI主辦的2011年工業(yè)策略年會ISS上,Micron的總裁與首席運營官MarkDurcan在它的演講中談到芯片制造業(yè)與未來存儲器方面等問題,以下是Durcan關(guān)于產(chǎn)業(yè)中各種問題的看法；

1、基于硅通孔技術(shù)TSV的3D芯片

Micron己經(jīng)向客戶提供TSV基的樣品,并認(rèn)為目前此類技術(shù)尚剛開始，需要指出的是該技術(shù)是可行的,肯定不是科學(xué)虛構(gòu)。

關(guān)于TSV基的3D芯片量產(chǎn)問題可能要到明年或18個月之后。它并說Elpida,Samsung及Toshiba都各有自己的TSV基3D芯片,則是進(jìn)度不同而己。

2、450mmfabs

Micron己經(jīng)成功的由200mm完成向300mm芯片生產(chǎn)線的轉(zhuǎn)換，但是對于未來的450mm生產(chǎn)線,Micron公司并不是一個忠實的支持者。

Durcan說,Micron并不熱切盼望450mm硅片時代馬上來臨。Micron認(rèn)為450mm硅片問題不僅是需要設(shè)備方面的變革，而是涉及到整條生產(chǎn)線的轉(zhuǎn)移，因此對于一家存儲器制造商感覺還是穩(wěn)妥一些為好,不是沖動能解決的事。

至于究竟450mm硅片什么時候到來,應(yīng)該有充分的依據(jù)來證實,450mm與300mm相比成本能節(jié)省2.5倍。

3、EUV光刻

Micron是EUV光刻的忠實支持者。它相信EUV的應(yīng)用涉及到許多難題，但是尚須解決大量的配套工作。

4、投資競賽

三星計劃在2011年投資方面超過競爭對手，Micron在2011的投資也由24億美元提高到29億美元。

Durcan又說為了與三星對抗,Micron的投資必須更加有效。從技術(shù)方面Micron有許多自有的先進(jìn)技術(shù),可以值得與三星拼搏。

5、半導(dǎo)體設(shè)備的整合

近時期來半導(dǎo)體設(shè)備廠商已經(jīng)進(jìn)行了多次兼并,每個類別設(shè)備廠商只剩下2-3家，因此對于芯片制造商的選擇余地己不多。所以未來芯片制造商與設(shè)備制造商必須更加緊密的合作,才能共同生存下去。

6、縮微制程

估計未來DRAM可能縮小到2xnm,而NAND已經(jīng)作到這個水年，所以未來縮微一定會減緩。