[導讀]2011年全球DRAM會發(fā)生什么？下面是由BarclaysCapital的CJMuse在匯總了各種資料之后給出的DRAM五大趨勢;1.DownonDRAM下行2011可能是NAND年，而不是DRAM。當平板電腦開始蠶食它的同伴，筆記本與上網(wǎng)本時未來市場會發(fā)生
2011年全球DRAM會發(fā)生什么？下面是由BarclaysCapital的CJMuse在匯總了各種資料之后給出的DRAM五大趨勢;
1.DownonDRAM下行
2011可能是NAND年，而不是DRAM。當平板電腦開始蠶食它的同伴，筆記本與上網(wǎng)本時未來市場會發(fā)生什么？在此情況下，過去每臺筆記本電腦使用2Gb的存儲器，將被僅使用256Mb，它的1/8的容量的平板電腦所替代，因此DRAM在2011年可能要過載啦。
2.Goingto3x-nmnode采用3xnm工藝
總體上全球DRAM制造商都將邁入3xnm工藝，三星與海力士走在前列，然而爾必達也試圖由65nm或者65xS(65nm縮小版)跨入3xnm，為了降低成本。
3.Koreanduopoly韓國兩家壟斷
從DRAM市場看，與NAND不同，有多家競爭者共存，但是將呈現(xiàn)韓國兩家壟斷的局面。目前應該說僅是三星與海力士能稱得上是第一陣容，因為它們的技術先進，而Micron，Nanya，Inotera(明顯的技術滯后，財務不佳)只能稱之為第二陣容。而Elpida，Powerchip，Rexchip，盡管也是落后，但明顯有翻本的決心。
三星采用30nm技術制造DRAM，必須要購買的NXT光刻機(浸入式)，這也是三星站在首位要付出的代價。今年三星非常成功在Q3已將DRAM的市場份額擴大至40％，讓競爭對手望塵莫及。全球DRAM的位增長率可達45-50％，而三星可能增長過70％。
海力士僅在三星之后，站在第一陣容中。它的問題是由于它的結構導致債務高懸，期望2011年能園滿解決。海力士在韓國的M10及無錫產出的DRAM會采用4x及3xnm工藝，明年它將由8F2邁入6F2架構。
4.ToughtimesforMicroncampMicron陣營艱難
目前Micron還是可以算作在DRAM第一陣容中，實際上它從2009年開始表現(xiàn)好己經有一陣子。但是它要從成熟的Trench技術過渡到stackDRAM，電容器的尺寸要改變。在2010年初它的啟步是成功的，也拿到訂單，但是由于成品率不理想，導致位產能增長只能在低水平。
由trench向stack工藝過渡，對于Micron及它的臺灣合作伙伴不太容易平滑過渡，目前Nanya，Inotera正為50nm的成品率提升而努力，因此向40nm及30nm過渡是吃力的。但是也有好的消息，可能明年能夠解決工藝問題，克服學習曲線這一關。由于Micron及它的合作伙伴Nanya，Inotera能在FormosaPlastics的財力支持下，所以明年它們有可能過渡到4xnm或者3xnm。同樣Micron將把它在2011年的投資總計19億美元中的2/3，用在NAND中。
5.Elpida'sgamble爾必達冒險
爾必達將盡一切可能返回到第一陣容中。首先臺灣的資金/政府的拯救計劃并未到位，但是Micron與Rexchip/Powerchip/ProMOS的合作繼續(xù)存在?，F(xiàn)在爾必達是希望在日本與臺灣兩地都增加投資。除此之外，在技術層面，爾必達正采用65nmXS，一種65nm的縮小版技術在DRAM中獲得利潤，顯然只要價格下降不要過快。除此之外，爾必達也期望盡快跨入4xnm及3xnm中。
1.DownonDRAM下行
2011可能是NAND年，而不是DRAM。當平板電腦開始蠶食它的同伴，筆記本與上網(wǎng)本時未來市場會發(fā)生什么？在此情況下，過去每臺筆記本電腦使用2Gb的存儲器，將被僅使用256Mb，它的1/8的容量的平板電腦所替代，因此DRAM在2011年可能要過載啦。
2.Goingto3x-nmnode采用3xnm工藝
總體上全球DRAM制造商都將邁入3xnm工藝，三星與海力士走在前列，然而爾必達也試圖由65nm或者65xS(65nm縮小版)跨入3xnm，為了降低成本。
3.Koreanduopoly韓國兩家壟斷
從DRAM市場看，與NAND不同，有多家競爭者共存，但是將呈現(xiàn)韓國兩家壟斷的局面。目前應該說僅是三星與海力士能稱得上是第一陣容，因為它們的技術先進，而Micron，Nanya，Inotera(明顯的技術滯后，財務不佳)只能稱之為第二陣容。而Elpida，Powerchip，Rexchip，盡管也是落后，但明顯有翻本的決心。
三星采用30nm技術制造DRAM，必須要購買的NXT光刻機(浸入式)，這也是三星站在首位要付出的代價。今年三星非常成功在Q3已將DRAM的市場份額擴大至40％，讓競爭對手望塵莫及。全球DRAM的位增長率可達45-50％，而三星可能增長過70％。
海力士僅在三星之后，站在第一陣容中。它的問題是由于它的結構導致債務高懸，期望2011年能園滿解決。海力士在韓國的M10及無錫產出的DRAM會采用4x及3xnm工藝，明年它將由8F2邁入6F2架構。
4.ToughtimesforMicroncampMicron陣營艱難
目前Micron還是可以算作在DRAM第一陣容中，實際上它從2009年開始表現(xiàn)好己經有一陣子。但是它要從成熟的Trench技術過渡到stackDRAM，電容器的尺寸要改變。在2010年初它的啟步是成功的，也拿到訂單，但是由于成品率不理想，導致位產能增長只能在低水平。
由trench向stack工藝過渡，對于Micron及它的臺灣合作伙伴不太容易平滑過渡，目前Nanya，Inotera正為50nm的成品率提升而努力，因此向40nm及30nm過渡是吃力的。但是也有好的消息，可能明年能夠解決工藝問題，克服學習曲線這一關。由于Micron及它的合作伙伴Nanya，Inotera能在FormosaPlastics的財力支持下，所以明年它們有可能過渡到4xnm或者3xnm。同樣Micron將把它在2011年的投資總計19億美元中的2/3，用在NAND中。
5.Elpida'sgamble爾必達冒險
爾必達將盡一切可能返回到第一陣容中。首先臺灣的資金/政府的拯救計劃并未到位，但是Micron與Rexchip/Powerchip/ProMOS的合作繼續(xù)存在?，F(xiàn)在爾必達是希望在日本與臺灣兩地都增加投資。除此之外，在技術層面，爾必達正采用65nmXS，一種65nm的縮小版技術在DRAM中獲得利潤，顯然只要價格下降不要過快。除此之外，爾必達也期望盡快跨入4xnm及3xnm中。
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