[導(dǎo)讀]南朝鮮軍事緊張關(guān)系對于DRAM報價激勵未產(chǎn)生實質(zhì)性的幫助，市場還是回到供需面看待DRAM市場未來的前景；在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年，但個人計算機(PC)需求卻旺季不旺下，DRAM合約價和現(xiàn)貨價都呈現(xiàn)加速趕底之姿，
南朝鮮軍事緊張關(guān)系對于DRAM報價激勵未產(chǎn)生實質(zhì)性的幫助，市場還是回到供需面看待DRAM市場未來的前景；在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年，但個人計算機(PC)需求卻旺季不旺下，DRAM合約價和現(xiàn)貨價都呈現(xiàn)加速趕底之姿，預(yù)期2010年底前DDR3合約價將下跌至20美元水平，隨著爾必達(Elpida)、力晶陸續(xù)減產(chǎn)，以及三星電子(SamsungElectronics)的新廠Fab16進度將隨景氣調(diào)整，預(yù)計2011年下半DRAM市場可望走向供需平衡。
DRAM廠表示，戴爾(Dell)、惠普(HP)財報都交出不錯成績單，筆記型計算機(NB)銷售量也不差，但DRAM價格仍是持續(xù)滑落，主要問題出在供給端，加上目前計算機大廠內(nèi)建的DRAM搭載率還未提升至4GB容量，以致于源源不絕出籠的DRAM產(chǎn)出未能達到有效的消化。
2010年DRAM廠的產(chǎn)出都大幅集中于下半年，臺系方面有華亞科13萬片的50納米產(chǎn)能大量出籠，挹注母公司南亞科和美光(Micron)；南亞科本身的12寸晶圓廠也持續(xù)擴產(chǎn)中，都使得產(chǎn)出持續(xù)增加，同時也有助于2Gb芯片取代1Gb芯片的趨勢。
再者，三星的浸潤式曝光機臺(ImmersionScanner)移入的時間點最早，因此40納米制程的產(chǎn)出在第3季大幅增加，同時年底前35納米產(chǎn)出也將開始出貨，都使得全球DRAM產(chǎn)出大幅成長。
展望2011年，集邦科技預(yù)估2011年DRAM全年產(chǎn)出成長率可達50%，其中三星的35納米制程轉(zhuǎn)換率在2011年下半年將超過50%，海力士(Hynix)、美光和爾必達均預(yù)計2011年第2季末量產(chǎn)30納米技術(shù)。
在臺系DRAM廠方面，2011年各陣營也都會陸續(xù)轉(zhuǎn)進40納米制程，爾必達陣營中的力晶和瑞晶將轉(zhuǎn)進45納米制程，其中瑞晶因為浸潤式微米曝光機臺到位速度較快，年底前目標是50%產(chǎn)能將轉(zhuǎn)進45納米制程，屆時2Gb容量DDR3成本可望降低至1.5美元。
美光陣營中的南亞科和華亞科則將快速導(dǎo)入42納米制程，隨著50納米制程量產(chǎn)，公司預(yù)期42納米制程的進入門檻較低，可進一步驅(qū)動成本快速下降。
以2010年價格走勢來看，上半年2GBDDR3合約價高點為46.5美元，9月上旬則跌破40美元關(guān)卡，10月下旬再度跌破30美元關(guān)卡，11月上旬出爐的合約價約24~25美元，預(yù)計年底將下看至20美元。
在需求端方面，集邦預(yù)估2011年P(guān)C的銷售成長將達11.8%，加上智能型手機和平板計算機(TabletPC)普及，將刺激MobileRAM需求成長超過80%，而2011年桌上型計算機(DT)以及筆記型計算機(NB)的內(nèi)建存儲器搭載率將分別成長至4.22GB和4GB，估計年增率分別為36%和31%。
日前南朝鮮軍事緊張沖突升溫，DRAM市場對于此事件的反應(yīng)較冷靜，雖然認為三星或海力士在韓國的晶圓廠若遭到波及，臺系DRAM廠可能或接獲轉(zhuǎn)單，但業(yè)者都認為要看雙方后續(xù)發(fā)展而定，如果只是單純喊話，軍事沖突沒有進一步擴大，全球DRAM報價的走勢還是要回歸正常市場供需來看待。
在爾必達宣布減產(chǎn)后，力晶也跟進減產(chǎn)且增加非標準型DRAM產(chǎn)能的投片，三星2011年宣布新建的Fab16新廠進度將隨景氣的狀況而做調(diào)整，在供給端逐漸改善下，若甫以需求端計算機大廠將存儲器搭載率提升至4GB以上，2011年下半的DRAM產(chǎn)業(yè)可望供需平衡。
DRAM廠表示，戴爾(Dell)、惠普(HP)財報都交出不錯成績單，筆記型計算機(NB)銷售量也不差，但DRAM價格仍是持續(xù)滑落，主要問題出在供給端，加上目前計算機大廠內(nèi)建的DRAM搭載率還未提升至4GB容量，以致于源源不絕出籠的DRAM產(chǎn)出未能達到有效的消化。
2010年DRAM廠的產(chǎn)出都大幅集中于下半年，臺系方面有華亞科13萬片的50納米產(chǎn)能大量出籠，挹注母公司南亞科和美光(Micron)；南亞科本身的12寸晶圓廠也持續(xù)擴產(chǎn)中，都使得產(chǎn)出持續(xù)增加，同時也有助于2Gb芯片取代1Gb芯片的趨勢。
再者，三星的浸潤式曝光機臺(ImmersionScanner)移入的時間點最早，因此40納米制程的產(chǎn)出在第3季大幅增加，同時年底前35納米產(chǎn)出也將開始出貨，都使得全球DRAM產(chǎn)出大幅成長。
展望2011年，集邦科技預(yù)估2011年DRAM全年產(chǎn)出成長率可達50%，其中三星的35納米制程轉(zhuǎn)換率在2011年下半年將超過50%，海力士(Hynix)、美光和爾必達均預(yù)計2011年第2季末量產(chǎn)30納米技術(shù)。
在臺系DRAM廠方面，2011年各陣營也都會陸續(xù)轉(zhuǎn)進40納米制程，爾必達陣營中的力晶和瑞晶將轉(zhuǎn)進45納米制程，其中瑞晶因為浸潤式微米曝光機臺到位速度較快，年底前目標是50%產(chǎn)能將轉(zhuǎn)進45納米制程，屆時2Gb容量DDR3成本可望降低至1.5美元。
美光陣營中的南亞科和華亞科則將快速導(dǎo)入42納米制程，隨著50納米制程量產(chǎn)，公司預(yù)期42納米制程的進入門檻較低，可進一步驅(qū)動成本快速下降。
以2010年價格走勢來看，上半年2GBDDR3合約價高點為46.5美元，9月上旬則跌破40美元關(guān)卡，10月下旬再度跌破30美元關(guān)卡，11月上旬出爐的合約價約24~25美元，預(yù)計年底將下看至20美元。
在需求端方面，集邦預(yù)估2011年P(guān)C的銷售成長將達11.8%，加上智能型手機和平板計算機(TabletPC)普及，將刺激MobileRAM需求成長超過80%，而2011年桌上型計算機(DT)以及筆記型計算機(NB)的內(nèi)建存儲器搭載率將分別成長至4.22GB和4GB，估計年增率分別為36%和31%。
日前南朝鮮軍事緊張沖突升溫，DRAM市場對于此事件的反應(yīng)較冷靜，雖然認為三星或海力士在韓國的晶圓廠若遭到波及，臺系DRAM廠可能或接獲轉(zhuǎn)單，但業(yè)者都認為要看雙方后續(xù)發(fā)展而定，如果只是單純喊話，軍事沖突沒有進一步擴大，全球DRAM報價的走勢還是要回歸正常市場供需來看待。
在爾必達宣布減產(chǎn)后，力晶也跟進減產(chǎn)且增加非標準型DRAM產(chǎn)能的投片，三星2011年宣布新建的Fab16新廠進度將隨景氣的狀況而做調(diào)整，在供給端逐漸改善下，若甫以需求端計算機大廠將存儲器搭載率提升至4GB以上，2011年下半的DRAM產(chǎn)業(yè)可望供需平衡。
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