爾必達(dá)和夏普共同開發(fā)ReRAM填補(bǔ)DRAM與NAND閃存的性能差

時間：2010-10-18 13:43:36

關(guān)鍵字： DRAM 夏普爾必達(dá) NAND閃存

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[導(dǎo)讀]新一代存儲器的大型共同開發(fā)項目即將在日本啟動。爾必達(dá)存儲器、夏普、東京大學(xué)以及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所將聯(lián)手開發(fā)Gbit級可變電阻式存儲器（ReRAM）。此次開發(fā)將結(jié)合夏普擁有的可變電阻元件等材料技術(shù)和爾必達(dá)存儲器擁

新一代存儲器的大型共同開發(fā)項目即將在日本啟動。爾必達(dá)存儲器、夏普、東京大學(xué)以及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所將聯(lián)手開發(fā)Gbit級可變電阻式存儲器（ReRAM）。此次開發(fā)將結(jié)合夏普擁有的可變電阻元件等材料技術(shù)和爾必達(dá)存儲器擁有的量產(chǎn)技術(shù)等。

此次開發(fā)的ReRAM瞄準(zhǔn)彌補(bǔ)便攜產(chǎn)品和各種臺式產(chǎn)品中DRAM與NAND閃存之間的性能差。在電子設(shè)備中作為工作內(nèi)存（WorkMemory）使用的DRAM時，最近通過導(dǎo)入DDR3接口，傳輸速度不斷提高。今后還將導(dǎo)入DDR4接口等，估計傳輸速度將會更快。而另一方面，作為存儲介質(zhì)不斷推進(jìn)利用的NAND閃存方面，伴隨著以多值化為代表的大容量化，寫入速度等性能出現(xiàn)降低趨勢。“DRAM與NAND閃存的性能差不斷擴(kuò)大，因此，為彌補(bǔ)這種性能差必須開發(fā)新的非易失性存儲器”（爾必達(dá)執(zhí)行董事兼CTO安達(dá)隆郎）。作為其候補(bǔ)，爾必達(dá)等選中的是寫入速度比NAND閃存快幾位數(shù)的ReRAM。今后的目標(biāo)是，使ReRAM至少擁有與DRAM同等以上的大容量。

在大規(guī)模地開發(fā)ReRAM芯片的同時，定量估算將ReRAM實(shí)際導(dǎo)入電子設(shè)備時的高性能化及低功耗化效果的嘗試也正式開始。與爾必達(dá)和夏普等共同開發(fā)ReRAM的東京大學(xué)研究生院工學(xué)研究系電氣工學(xué)專業(yè)副教授竹內(nèi)健的開發(fā)小組，在2010年9月22～24日于東京舉行的半導(dǎo)體元件/材料相關(guān)國際會議“SSDM（SolidStateDevicesandMaterials）2010”上，公布了估算結(jié)果。具體內(nèi)容如下：作為SSD（SolidStateDrive，固態(tài)硬盤）的緩存使用ReRAM時，寫入數(shù)據(jù)時的耗電量可比原來降低97％，運(yùn)行可靠性的指標(biāo)——允許誤比特率可提高至原來的3.6倍。