異業(yè)結(jié)盟激戰(zhàn)存儲市場爾必達(dá)攜手夏普抗衡海力士惠普

時間：2010-10-15 13:05:55

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[導(dǎo)讀]繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代存儲器ReRAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術(shù)和材料，爾必達(dá)(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代存儲器技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮，存儲器業(yè)者預(yù)期

繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代存儲器ReRAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術(shù)和材料，爾必達(dá)(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代存儲器技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮，存儲器業(yè)者預(yù)期，未來ReRAM、3DNANDFlash、相變化存儲器(PhaseChangeRAM；PRAM)和磁性隨機(jī)存取存儲器(MagneticRAM；MRAM)等次世代存儲器，將會有一番激烈競爭。

爾必達(dá)在存儲器領(lǐng)域布局越來越廣泛，2010年取得已破產(chǎn)的奇夢達(dá)(Qimonda)繪圖卡存儲器(GDDR)技術(shù)，又與飛索(Spansion)合作研發(fā)電荷捕獲(charging-trapping)NANDFlash技術(shù)，未來可能跨足到NORFlash市場，近期則宣布與夏普合作開發(fā)ReRAM。未來爾必達(dá)將以存儲器制程技術(shù)，輔以夏普最擅長的材料技術(shù)和制作工法，切入30納米制程，最快2011年研發(fā)出ReRAM相關(guān)材料和制造技術(shù)，并由爾必達(dá)負(fù)責(zé)量產(chǎn)。

值得注意的是，海力士與惠普日前才宣布要共同開發(fā)ReRAM技術(shù)，惠普具有新的極小電子元件(Memoryresistors；Memristors)技術(shù)，采用十字結(jié)構(gòu)，相較于傳統(tǒng)存儲器電路，更容易在層內(nèi)堆疊，借以讓晶體管儲存更多資料，惠普已研發(fā)逾10年之久，藉由惠普的材料技術(shù)，以及海力士在存儲器領(lǐng)域量產(chǎn)和技術(shù)實力，雙方合作開發(fā)ReRAM芯片，預(yù)計在3年內(nèi)第1款產(chǎn)品問世，采22納米制程生產(chǎn)。

存儲器業(yè)者指出，海力士和爾必達(dá)紛攜手異業(yè)，進(jìn)軍次世代存儲器技術(shù)領(lǐng)域，顯示次世代存儲器的材料和技術(shù)門檻相當(dāng)高，需要靠異業(yè)結(jié)盟來推動產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)。至于惠普和夏普會投入存儲器開發(fā)，主要亦是為旗下PC、手持式產(chǎn)品等終端產(chǎn)品鋪路，確保能擁有效能最佳的存儲器產(chǎn)品。

ReRAM是一種次世代存儲器技術(shù)，未來應(yīng)用目標(biāo)是取代NANDFlash和DRAM，ReRAM芯片能利用現(xiàn)有半導(dǎo)體制程制造，讀寫速度較NANDFlash芯片快許多，且大幅減少耗能。除ReRAM芯片外，其它次世代存儲器技術(shù)包括3DNANDFlash、PRAM和MRAM等，都有不同的存儲器大廠投入開發(fā)，都是為銜接NANDFlash和DRAM技術(shù)瓶頸，未來各種次世代存儲器都得經(jīng)過導(dǎo)入量產(chǎn)考驗。