爾必達已與Spansion開發(fā)出4GNAND閃存

時間：2010-09-03 10:15:28

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[導讀]爾必達內存公司（ElpidaMemoryInc.）9月2日表示，該公司與Spansion公司（SpansionInc.）已開發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現有芯片更為簡單的信元結構，該公司計劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產該芯片。這家

爾必達內存公司（ElpidaMemoryInc.）9月2日表示，該公司與Spansion公司（SpansionInc.）已開發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現有芯片更為簡單的信元結構，該公司計劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產該芯片。

這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取（chargetrap）技術來開發(fā)這個4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結構不同于現有的以傳統(tǒng)浮動柵（floatinggate）技術制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項新技術可幫助生產較目前市場上產品體積更小、功能更強大NAND閃存芯片。

爾必達的目標是成為全球第一個大規(guī)模生產基于電荷擷取技術NAND閃存芯片的芯片制造商。

諸如爾必達等僅生產DRAM（dynamicrandomaccessmemory）芯片的半導體制造商正在試圖增加生產閃存芯片的能力，以滿足將閃存和DRAM整合成單一模塊以用于移動電話的強烈需求。這類產品的市場正日益增長，部分原因是智能手機的全球普及。