iST集團(tuán)建構(gòu)MEMS G-Sensor標(biāo)準(zhǔn)失效分析流程

在先端科技的蓬勃發(fā)展下，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)元件已成為智慧產(chǎn)品的主要核心。為降低企業(yè)投入MEMS開發(fā)時(shí)，會(huì)有分析技術(shù)難以找出MEMS真正失效原因，iST集團(tuán)-臺(tái)灣宜特宣布成功建構(gòu)出MEMS G-Sensor的標(biāo)準(zhǔn)失效分析流程。此流程亦被許多公司實(shí)際采用，目前全臺(tái)開發(fā)MEMS G-sensor的公司中，約達(dá)九成在iST集團(tuán)宜特幫助下解決失效問題。
iST集團(tuán)營運(yùn)長(zhǎng)林正德指出，2007年預(yù)見此市場(chǎng)需求后即投入研發(fā)，全面布局MEMS等新興產(chǎn)品失效分析技術(shù)。這幾年在大量實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)深耕下，更于今年建立出MEMS標(biāo)準(zhǔn)失效分析流程。

iST集團(tuán)觀察發(fā)現(xiàn)，許多公司欲了解MEMS元件的失效狀況時(shí)，由于對(duì)其結(jié)構(gòu)的認(rèn)知度、掌握度不夠，因此以傳統(tǒng)方式做開蓋(De-cap)觀察，容易造成元件污染。此外，iST集團(tuán)進(jìn)一步指出，因元件為懸浮結(jié)構(gòu)，以外力移除時(shí)易產(chǎn)生毀損。兩造影響下，容易造成元件污染和應(yīng)力破壞，不但沒有找出真因，反而制造更多失效盲點(diǎn)。為克服此問題，iST集團(tuán)今年已成功開發(fā)出MEMS無污染的De-cap技術(shù)，結(jié)合無應(yīng)力元件移除技術(shù)，以非破壞方式保留結(jié)構(gòu)原貌，避開機(jī)械應(yīng)力和污染產(chǎn)生的非真因失效。

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