[導讀] 作為手機設計中的關鍵技術，RF MEMS已吸引不少元件供應商、手機廠加緊投入研發(fā)。據(jù)透露，內(nèi)建RF MEMS的LTE手機可望于今年夏天競相出籠，從初期的高階LTE多頻多模手機應用，到中低階手機市場，RF MEMS將成為新
作為手機設計中的關鍵技術，RF MEMS已吸引不少元件供應商、手機廠加緊投入研發(fā)。據(jù)透露，內(nèi)建RF MEMS的LTE手機可望于今年夏天競相出籠，從初期的高階LTE多頻多模手機應用，到中低階手機市場，RF MEMS將成為新一代手機標配。
射頻微機電(RF MEMS)今年將大舉進駐高階LTE手機。多頻多模4G手機現(xiàn)階段最多須支援十五個以上頻段，引發(fā)內(nèi)部RF天線尺寸與功耗過大問題；為此，一線手機廠已計劃擴大導入RF MEMS元件，透過天線頻率調(diào)整(Antenna Frequency Tuning)等新技術，降低天線數(shù)量、尺寸，并增強訊號接收效能與頻寬。
Cavendish Kinetics總裁暨執(zhí)行長Dennis Yost認為，RF MEMS系未來5～10年手機設計中的關鍵技術，已吸引不少元件供應商、手機廠加緊投入研發(fā)。
Cavendish Kinetics總裁暨執(zhí)行長Dennis Yost表示，隨著智慧型手機持續(xù)擴增支援頻段，如何維持RF天線性能，且不影響系統(tǒng)占位空間與功耗表現(xiàn)，已成為RF元件和手機廠的產(chǎn)品發(fā)展重點，因而帶動新一波RF技術革命，給予能同時兼顧尺寸和效能的RF MEMS方案崛起契機。
Yost透露，內(nèi)建RF MEMS的LTE手機可望于今年夏天競相出籠，目前RF MEMS元件供應商Cavendish Kinetics正與多家手機業(yè)者緊密合作，初期將鎖定高階LTE多頻多模手機應用，待逐步達到量產(chǎn)經(jīng)濟規(guī)模后，再往下朝中低階手機市場扎根，讓RF MEMS成為新一代手機標配。
RF MEMS基于機械式諧振結構，只要改變內(nèi)部隔板(Plate)距離就能使電容流量產(chǎn)生變化，可免除外部電容與開關(Switch)等零組件，減輕天線總體功耗與體積；此外，其具備可編程功能，有助簡化RF前端模組(FEM)設計，并實現(xiàn)天線頻率調(diào)整、可調(diào)式阻抗匹配(Tunable Impedance Matching)等控制方案，對增強訊號接收效能、頻寬及減少天線數(shù)量也大有幫助。由于RF MEMS優(yōu)勢顯著，因此近來已有不少手機廠研擬改搭此方案，以全面改善傳統(tǒng)RF天線的功能缺失。
值得注意的是，高通(Qualcomm)、聯(lián)發(fā)科等應用處理器大廠近來也積極強化RF方案，前者更率先推出業(yè)界首款互補式金屬氧化物半導體(CMOS)功率放大器(PA)，大幅改善RF效能與成本，引發(fā)RF MEMS市場擴展速度將放緩的疑慮；然而，Cavendish Kinetics行銷與業(yè)務發(fā)展執(zhí)行副總裁Larry Morrell解釋，處理器業(yè)者的RF方案僅對處理器端的訊號增強與雜訊消除有益，對優(yōu)化RF天線尺寸與傳輸功耗的效果有限，因此RF MEMS仍將是推動LTE多頻多模手機設計成形的關鍵角色。
Morrell補充，手機廠對換料的評估通常較慎重，以免增加投資風險，但實際上RF MEMS因減少周邊零組件用量，整體物料清單(BOM)成本反而比傳統(tǒng)RF設計更優(yōu)異，且在各種LTE頻段中平均能提高35%傳輸效率，勢將大舉攻占LTE、LTE-Advanced多頻多模手機RF應用版圖。
Yost更強調(diào)，2014～2016年，RF MEMS技術將再度躍進，包括RF前端模組的功率放大器、濾波器(Filter)和雙工器(Duplexer)均可動態(tài)調(diào)整，進而達成更高效率；另外，由于RF MEMS相容CMOS制程并支援數(shù)位介面，未來亦可望與邏輯晶片進一步結合，實現(xiàn)更高整合度的手機系統(tǒng)解決方案。
射頻微機電(RF MEMS)今年將大舉進駐高階LTE手機。多頻多模4G手機現(xiàn)階段最多須支援十五個以上頻段，引發(fā)內(nèi)部RF天線尺寸與功耗過大問題；為此，一線手機廠已計劃擴大導入RF MEMS元件，透過天線頻率調(diào)整(Antenna Frequency Tuning)等新技術，降低天線數(shù)量、尺寸，并增強訊號接收效能與頻寬。
Cavendish Kinetics總裁暨執(zhí)行長Dennis Yost認為，RF MEMS系未來5～10年手機設計中的關鍵技術，已吸引不少元件供應商、手機廠加緊投入研發(fā)。
Cavendish Kinetics總裁暨執(zhí)行長Dennis Yost表示，隨著智慧型手機持續(xù)擴增支援頻段，如何維持RF天線性能，且不影響系統(tǒng)占位空間與功耗表現(xiàn)，已成為RF元件和手機廠的產(chǎn)品發(fā)展重點，因而帶動新一波RF技術革命，給予能同時兼顧尺寸和效能的RF MEMS方案崛起契機。
Yost透露，內(nèi)建RF MEMS的LTE手機可望于今年夏天競相出籠，目前RF MEMS元件供應商Cavendish Kinetics正與多家手機業(yè)者緊密合作，初期將鎖定高階LTE多頻多模手機應用，待逐步達到量產(chǎn)經(jīng)濟規(guī)模后，再往下朝中低階手機市場扎根，讓RF MEMS成為新一代手機標配。
RF MEMS基于機械式諧振結構，只要改變內(nèi)部隔板(Plate)距離就能使電容流量產(chǎn)生變化，可免除外部電容與開關(Switch)等零組件，減輕天線總體功耗與體積；此外，其具備可編程功能，有助簡化RF前端模組(FEM)設計，并實現(xiàn)天線頻率調(diào)整、可調(diào)式阻抗匹配(Tunable Impedance Matching)等控制方案，對增強訊號接收效能、頻寬及減少天線數(shù)量也大有幫助。由于RF MEMS優(yōu)勢顯著，因此近來已有不少手機廠研擬改搭此方案，以全面改善傳統(tǒng)RF天線的功能缺失。
值得注意的是，高通(Qualcomm)、聯(lián)發(fā)科等應用處理器大廠近來也積極強化RF方案，前者更率先推出業(yè)界首款互補式金屬氧化物半導體(CMOS)功率放大器(PA)，大幅改善RF效能與成本，引發(fā)RF MEMS市場擴展速度將放緩的疑慮；然而，Cavendish Kinetics行銷與業(yè)務發(fā)展執(zhí)行副總裁Larry Morrell解釋，處理器業(yè)者的RF方案僅對處理器端的訊號增強與雜訊消除有益，對優(yōu)化RF天線尺寸與傳輸功耗的效果有限，因此RF MEMS仍將是推動LTE多頻多模手機設計成形的關鍵角色。
Morrell補充，手機廠對換料的評估通常較慎重，以免增加投資風險，但實際上RF MEMS因減少周邊零組件用量，整體物料清單(BOM)成本反而比傳統(tǒng)RF設計更優(yōu)異，且在各種LTE頻段中平均能提高35%傳輸效率，勢將大舉攻占LTE、LTE-Advanced多頻多模手機RF應用版圖。
Yost更強調(diào)，2014～2016年，RF MEMS技術將再度躍進，包括RF前端模組的功率放大器、濾波器(Filter)和雙工器(Duplexer)均可動態(tài)調(diào)整，進而達成更高效率；另外，由于RF MEMS相容CMOS制程并支援數(shù)位介面，未來亦可望與邏輯晶片進一步結合，實現(xiàn)更高整合度的手機系統(tǒng)解決方案。
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