IDT 推出全球首款針對(duì)高性能應(yīng)用的壓電 MEMS 振蕩器
[導(dǎo)讀]【2012年5月9日，臺(tái)北訊】擁有類比和數(shù)位領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布推出全球首款針對(duì)高性能通信、消費(fèi)、云端和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)
【2012年5月9日，臺(tái)北訊】擁有類比和數(shù)位領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布推出全球首款針對(duì)高性能通信、消費(fèi)、云端和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的CrystalFree?壓電式MEMS (pMEMS?) LVDS/LVPECL振蕩器。這款新型振蕩器以遠(yuǎn)低于1皮秒(picosecond)的相位抖動(dòng)運(yùn)行，超越業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，可完美替代傳統(tǒng)6針腳晶體振蕩器(XOs)。
IDT 的 4M 系列高性能 LVDS/LVPECL 振蕩器使用 IDT 獨(dú)家 CrystalFree pMEMS 諧振器技術(shù)，讓 IDT 能夠迅速在出廠時(shí)編程所需的輸出頻率，無需微調(diào)昂貴的晶體。此外，由于pMEMS的諧振頻率效能遠(yuǎn)高于石英晶體，4M振蕩器能夠以較低成本達(dá)到更高的頻率，且不耗損關(guān)鍵性能。4M系列集結(jié) IDT眾多以MEMS為基礎(chǔ)的產(chǎn)品，將為客戶提供更便利、精確和低抖動(dòng)的時(shí)脈參考。
IDT 公司副總裁兼時(shí)脈與同步部門總經(jīng)理 Fred Zust 表示：「身為時(shí)脈領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，我們的客戶一直期望IDT的pMEMS技術(shù)能夠延伸至高性能應(yīng)用領(lǐng)域，例如通信這個(gè)高達(dá) 40 億美元的頻率控制主要市場(chǎng)。IDT 獨(dú)家的 pMEMS 諧振器技術(shù)將壓電材料的強(qiáng)機(jī)電耦合與單晶矽的穩(wěn)定性和低阻尼相結(jié)合，讓新產(chǎn)品可完美取代傳統(tǒng)的XO，甚至具備更優(yōu)秀的性能和成本效益。這些產(chǎn)品與我們屢獲殊榮的固態(tài)振蕩器相得益彰，提供市場(chǎng)完整的頻率控制產(chǎn)品組合，且漸漸取代以石英為主的產(chǎn)品。
IDT 的 4M 振蕩器可在 -40°C 至 85°C 的廣泛工業(yè)溫度范圍內(nèi)，以 ±50 ppm 的頻率精準(zhǔn)運(yùn)作。并支援低壓差分信號(hào)(LVDS)和低電壓正發(fā)射極耦合邏輯(LVPECL)，頻率高達(dá) 625 MHz，可符合大多數(shù)通信、網(wǎng)路和高性能計(jì)算應(yīng)用的嚴(yán)格要求。除了 7.0 x 5.0 mm (7050)尺寸，IDT 的 pMEMS 振蕩器還提供 5.0 x 3.2 mm (5032)小型標(biāo)準(zhǔn)塑膠封裝，可節(jié)省成本并減低高密度應(yīng)用領(lǐng)域的封裝尺寸。這些4M振蕩器經(jīng)過設(shè)計(jì)，與傳統(tǒng)XO的針腳相容，是理想的升級(jí)替代解決方案。
供貨
IDT 的 4M 振蕩器已可提供樣品，并可依客戶需要，提供不同頻率、電壓、輸出類型和工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的組合。了解更多 IDT CrystalFree pMEMS 振蕩器，請(qǐng)參考：www.idt.com/go/MEMS
IDT 的 4M 系列高性能 LVDS/LVPECL 振蕩器使用 IDT 獨(dú)家 CrystalFree pMEMS 諧振器技術(shù)，讓 IDT 能夠迅速在出廠時(shí)編程所需的輸出頻率，無需微調(diào)昂貴的晶體。此外，由于pMEMS的諧振頻率效能遠(yuǎn)高于石英晶體，4M振蕩器能夠以較低成本達(dá)到更高的頻率，且不耗損關(guān)鍵性能。4M系列集結(jié) IDT眾多以MEMS為基礎(chǔ)的產(chǎn)品，將為客戶提供更便利、精確和低抖動(dòng)的時(shí)脈參考。
IDT 公司副總裁兼時(shí)脈與同步部門總經(jīng)理 Fred Zust 表示：「身為時(shí)脈領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，我們的客戶一直期望IDT的pMEMS技術(shù)能夠延伸至高性能應(yīng)用領(lǐng)域，例如通信這個(gè)高達(dá) 40 億美元的頻率控制主要市場(chǎng)。IDT 獨(dú)家的 pMEMS 諧振器技術(shù)將壓電材料的強(qiáng)機(jī)電耦合與單晶矽的穩(wěn)定性和低阻尼相結(jié)合，讓新產(chǎn)品可完美取代傳統(tǒng)的XO，甚至具備更優(yōu)秀的性能和成本效益。這些產(chǎn)品與我們屢獲殊榮的固態(tài)振蕩器相得益彰，提供市場(chǎng)完整的頻率控制產(chǎn)品組合，且漸漸取代以石英為主的產(chǎn)品。
IDT 的 4M 振蕩器可在 -40°C 至 85°C 的廣泛工業(yè)溫度范圍內(nèi)，以 ±50 ppm 的頻率精準(zhǔn)運(yùn)作。并支援低壓差分信號(hào)(LVDS)和低電壓正發(fā)射極耦合邏輯(LVPECL)，頻率高達(dá) 625 MHz，可符合大多數(shù)通信、網(wǎng)路和高性能計(jì)算應(yīng)用的嚴(yán)格要求。除了 7.0 x 5.0 mm (7050)尺寸，IDT 的 pMEMS 振蕩器還提供 5.0 x 3.2 mm (5032)小型標(biāo)準(zhǔn)塑膠封裝，可節(jié)省成本并減低高密度應(yīng)用領(lǐng)域的封裝尺寸。這些4M振蕩器經(jīng)過設(shè)計(jì)，與傳統(tǒng)XO的針腳相容，是理想的升級(jí)替代解決方案。
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IDT 的 4M 振蕩器已可提供樣品，并可依客戶需要，提供不同頻率、電壓、輸出類型和工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的組合。了解更多 IDT CrystalFree pMEMS 振蕩器，請(qǐng)參考：www.idt.com/go/MEMS
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