作為MEMS的先驅(qū)，在如今高 速發(fā)展的市場下晶振市場呈現(xiàn)出平穩(wěn)的發(fā)展?！皩δ壳笆忻嫔铣霈F(xiàn)的MEMS產(chǎn)品進(jìn)行分析，Yole Développement做出MEMS晶振市場是2015年最有發(fā)展?jié)摿Φ氖袌?，并且?009到2015復(fù)合年均增長率(CAGR)最高的市場。預(yù)期 MEMS晶振會從2009年的USD 7.9百萬增加到USD 644.9百萬在2015年，”VTI消費(fèi)電子副總裁Mr. Sten Stockmann說VTI晶振產(chǎn)品會利用VTI的3D MEMS和封裝技術(shù)。VTI目前使用Chip-on-MEMS技術(shù)對費(fèi)級傳感器進(jìn)行封裝。同樣的技術(shù)也會應(yīng)用在晶振上，不過是相反的MEMS-on-Chip技術(shù)。
成熟的MEMS技術(shù)
石英晶振——絕大部分高性能電子系統(tǒng)的計時都是由石英振蕩器——在發(fā)展飛速的消費(fèi)設(shè)備中面臨著挑戰(zhàn)。振蕩的穩(wěn)定性和頻率靈敏度就像石英振蕩器減小尺寸一樣，是相互制約的，這是由于要增加這些更新的振蕩器的晶體阻抗。小的石英振蕩器在頻率偏差方面對震動更靈敏，就像小封裝的振蕩器對于機(jī)械振動的公差就會更大一樣。
硅MEMS振蕩器替代石英晶振。硅MEMS振蕩器尺寸小，價格低，此外不易受撞擊和震蕩。
VTI提供低成本，小尺寸和超高性能的方案
MEMS振蕩技術(shù)已經(jīng)在市場上普及，它所面對的是低精度和大溫漂這些問題。一個典型的MEMS振蕩器的頻率可以達(dá)到10,000ppm。此外，MEMS振蕩器溫度漂移大約在30ppm/攝氏度。
這種振蕩技術(shù)，ASIC必須被設(shè)計來補(bǔ)償頻率誤差，增加了尺寸、成本、功耗和噪聲。結(jié)果是振蕩器成本提高，切沒有競爭優(yōu)勢。
VTI技術(shù)客服了這些常見的障礙，并且提供可競爭的石英晶振。2011年初，VTI會發(fā)布它第一款晶振。
下載文檔
