首家！Altera 20nm產(chǎn)品采臺(tái)積電銅凸塊封裝技術(shù)

美商Altera與臺(tái)積電(2330)今(21日)共同宣布，雙方將攜手合作，采用臺(tái)積所擁有專(zhuān)利的細(xì)間距銅凸塊封裝技術(shù)，為Altera打造20nm Arria 10 FPGA與SoC，而Altera也成為首家采用臺(tái)積此先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)的公司，成功提升其20nm元件系列之品質(zhì)、可靠性與效能。


Altera全球營(yíng)運(yùn)及工程副總裁Bill Mazotti表示，臺(tái)積提供了一項(xiàng)非常先進(jìn)且高度整合的封裝解決方案，來(lái)支援Altera的Arria 10元件，該項(xiàng)產(chǎn)品為業(yè)界最高密度的20nm FPGA單晶片。而臺(tái)積的細(xì)間距銅凸塊封裝技術(shù)，不僅為Arria 10 FPGA與SoC帶來(lái)相當(dāng)大的助力，并且協(xié)助Altera解決在20nm封裝技術(shù)上所面臨的挑戰(zhàn)。

相較于一般標(biāo)準(zhǔn)型銅凸塊解決方案，臺(tái)積先進(jìn)的覆晶球閘陣列(Flip Chip BGA)封裝技術(shù)，利用細(xì)間距銅凸塊提供Arria 10元件更優(yōu)異的品質(zhì)與可靠性，此項(xiàng)技術(shù)能夠滿(mǎn)足高效能FPGA產(chǎn)品對(duì)多凸塊接點(diǎn)的需求，亦提供較佳的凸塊焊接點(diǎn)疲勞壽命，并且改善電遷移(Electro-migration)以及超低介電系數(shù)介電層(Extra Low-K Layer)之低應(yīng)力表現(xiàn)，對(duì)于使用先進(jìn)矽晶技術(shù)生產(chǎn)的產(chǎn)品而言，這些都是非常關(guān)鍵的特性。

臺(tái)積北美子公司資深副總經(jīng)理David Keller表示，臺(tái)積銅凸塊封裝技術(shù)，是針對(duì)使用超低介電材料以及需要微間距(小于150微米)凸塊的先進(jìn)矽晶產(chǎn)品，創(chuàng)造卓越的價(jià)值，臺(tái)積很高興Altera采用此高度整合的封裝解決方案。

Altera將開(kāi)始發(fā)售采用臺(tái)積20SoC制程與此創(chuàng)新封裝技術(shù)所生產(chǎn)的Arria 10 FPGA，Altera表示，Arria 10 FPGA與SoC具備在FPGA業(yè)界中最高密度的單一晶片，與先前的28nm Arria系列相比，此全新系列元件功耗減少高達(dá)40%。

臺(tái)積進(jìn)一步說(shuō)明，銅凸塊封裝技術(shù)適合應(yīng)用于大尺寸晶片及細(xì)間距產(chǎn)品，此項(xiàng)技術(shù)包含臺(tái)積可制造性設(shè)計(jì)(DFM)/可靠性設(shè)計(jì)(DFR)實(shí)作工具，能夠針對(duì)較寬的組裝制程參數(shù)范圍及較高的可靠性進(jìn)行封裝設(shè)計(jì)與結(jié)構(gòu)的調(diào)整，此項(xiàng)技術(shù)的生產(chǎn)級(jí)組裝良率優(yōu)于99.8%。