臺(tái)灣封測(cè)業(yè)產(chǎn)值　年增逾5%

工研院IEK經(jīng)理?xiàng)钊鹋R指出，臺(tái)灣今年半導(dǎo)體封測(cè)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值年成長(zhǎng)率約5.1%到5.2%，低于IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)和晶圓代工產(chǎn)業(yè)年增率。

展望今年臺(tái)灣半導(dǎo)體各級(jí)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值，工業(yè)技術(shù)研究院產(chǎn)經(jīng)中心(IEK)系統(tǒng)IC與制程研究部經(jīng)理?xiàng)钊鹋R預(yù)估，整體可較2012年成長(zhǎng)5.6%到5.8%之間。

其中，半導(dǎo)體封裝測(cè)試產(chǎn)值較去年成長(zhǎng)預(yù)估約5.1%到5.2%。楊瑞臨表示，成長(zhǎng)力道不明顯，新階段封測(cè)產(chǎn)品動(dòng)能尚未啟動(dòng)，今年成長(zhǎng)率將些微落后整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

至于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)，楊瑞臨預(yù)估可較去年成長(zhǎng)7%到8%，主要是去年基期相對(duì)較低。

楊瑞臨預(yù)估IC設(shè)計(jì)可望年增6%以上，晶圓代工可年增5.5%。

今年半導(dǎo)體大廠持續(xù)積極布局高階制程，IEK分析師陳玲君表示，晶圓代工大廠紛紛搶進(jìn)矽穿孔(TSV)3D IC和2.5D IC先進(jìn)高階和前段制程，封測(cè)廠開始轉(zhuǎn)進(jìn)內(nèi)埋元件(embedded die)新興中段制程。

陳玲君指出，包括臺(tái)積電、聯(lián)電、格羅方德(Globalfoundries)等晶圓代工大廠，紛紛切進(jìn)矽穿孔3D IC和2.5D IC制程，日月光和矽品積極切入內(nèi)埋系統(tǒng)封裝(embedded SiP)；載板大廠欣興不僅切入內(nèi)埋系統(tǒng)封裝，也切進(jìn)玻璃中介層(Glass Interposer)高階載板。

另一方面，封測(cè)大廠艾克爾(Amkor)和星科金朋(STATS ChipPAC)和葡萄牙的NANIUM，則是切入扇出型堆疊式封裝(fan out Package on Package)。

熟悉封測(cè)產(chǎn)業(yè)人士表示，日月光旗下日月鴻已開始從事內(nèi)埋封裝模組；矽品今年正在興建的彰化廠，也投入內(nèi)埋系統(tǒng)封裝模組作業(yè)，并將投入晶片尺寸封裝(CSP)基板產(chǎn)線。

業(yè)界人士表示，臺(tái)灣封測(cè)廠應(yīng)該不會(huì)朝向前段高階矽晶圓制程發(fā)展，而在考量成本因素下，轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體新興中段制程。