TI創(chuàng)新的3D封裝技術(shù)將顯著提升電源管理器件性能

時(shí)間：2011-08-02 05:11:00

關(guān)鍵字：器件電源管理 3D封裝封裝技術(shù)

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[導(dǎo)讀]日前，德州儀器(TI)宣布PowerStack封裝技術(shù)產(chǎn)品出貨量已突破3000萬(wàn)套，該技術(shù)可為電源管理器件顯著提高性能，降低功耗，并改進(jìn)芯片密度。 TI模擬封裝部Matt Romig指出：“為實(shí)現(xiàn)寬帶移動(dòng)視頻與4G通信等更多內(nèi)容，

日前，德州儀器(TI)宣布PowerStack封裝技術(shù)產(chǎn)品出貨量已突破3000萬(wàn)套，該技術(shù)可為電源管理器件顯著提高性能，降低功耗，并改進(jìn)芯片密度。

TI模擬封裝部Matt Romig指出：“為實(shí)現(xiàn)寬帶移動(dòng)視頻與4G通信等更多內(nèi)容，計(jì)算應(yīng)用的性能需求不斷提升。與此同時(shí)，也出現(xiàn)了電信與計(jì)算設(shè)備的小型化需求。通過(guò)從2D到3D集成的真正革命，PowerStack可幫助TI客戶(hù)充分滿(mǎn)足這些需求。”

PowerStack技術(shù)的優(yōu)勢(shì)是通過(guò)創(chuàng)新型封裝方法實(shí)現(xiàn)的，即在接地引腳框架上堆棧TI NexFETTM功率MOSFET，并采用兩個(gè)銅彈片連接輸入輸出電壓引腳。這種堆棧與彈片焊接的獨(dú)特組合可實(shí)現(xiàn)更高集成的無(wú)引線(xiàn)四方扁平封裝(QFN)解決方案。

通過(guò)PowerStack技術(shù)堆棧MOSFET，最明顯的優(yōu)勢(shì)是可使封裝尺寸比并排排列MOSFET的其它解決方案銳減達(dá)50%。除降低板級(jí)空間之外，PowerStack封裝技術(shù)還可為電源管理器件提供優(yōu)異的熱性能、更高的電流性能與效率。

PowerStack的堆垛與彈片焊接技術(shù)的結(jié)合提供了超越傳統(tǒng)并排分立MOSFET的顯著效益

TechSearch國(guó)際創(chuàng)始人兼總裁Jan Vardaman表示：“PowerStack是我在電源市場(chǎng)所見(jiàn)過(guò)的首項(xiàng)具有如此強(qiáng)大功能的封裝技術(shù)，3D封裝解決方案的勢(shì)頭在不斷加強(qiáng)，該技術(shù)將是解決各種當(dāng)前及新一代設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的理想選擇。”

PowerStack現(xiàn)已在TI Clark廠(chǎng)投入量產(chǎn)。

TI菲律賓公司總經(jīng)理Bing Viera指出：“Clark是我們位于菲律賓的、業(yè)界一流的最新封測(cè)廠(chǎng)。今年，我們將進(jìn)一步提升Clark高級(jí)封裝技術(shù)的產(chǎn)能，到第三季度該廠(chǎng)初期產(chǎn)能將提高近1倍