[導讀]李洵穎／臺北 根據(jù)統(tǒng)計，IC封測數(shù)量持續(xù)成長，其中又以覆晶封裝和晶圓級封裝成長力道最明顯，主要系因應低成本、高容量和高效能的系統(tǒng)需求。雖然成長趨勢不變，但封測業(yè)面臨的挑戰(zhàn)增加，包括平均單價下滑、材料成本高
李洵穎／臺北 根據(jù)統(tǒng)計，IC封測數(shù)量持續(xù)成長，其中又以覆晶封裝和晶圓級封裝成長力道最明顯，主要系因應低成本、高容量和高效能的系統(tǒng)需求。雖然成長趨勢不變，但封測業(yè)面臨的挑戰(zhàn)增加，包括平均單價下滑、材料成本高升等。上述趨勢帶動高效能IC封裝技術如帶動銅柱、層疊封裝和TSV 3D IC等興起。其中3D IC趨勢正在形成當中，預料將成為后PC時代的主流，掌握3D IC封裝技術的業(yè)者包括日月光、矽品、力成等，將可領先掌握商機。
根據(jù)Yole預測顯示，整體IC封裝量自2007~2012年的復合成長率為9%，若以封裝型態(tài)區(qū)分，則又以晶圓級封裝和QFN成長力道最大，成長率皆達20%。
Prismark則估計，2009年整體IC封裝數(shù)量為1,440億顆，預測2014年將成為2,100億顆，成長率為45%，其中覆晶封裝和晶圓級封裝占比從2009的11.7%，上升到2014年的15.7%。若單指無線通訊IC封裝，打線封裝比重將自2010年底的80%，下滑到2012年底的30%，覆晶和晶圓級封裝同期比重也分別從15%和5%，上升到45%和25%。Prismark認為，在IC要求降低成本和容量增加下，帶動覆晶和晶圓級封裝需求攀升。
拓樸日前也預估，臺灣封測產(chǎn)業(yè)第3、4季的產(chǎn)值，將分別達4= 2億美元、44.1億美元，季增率分別為7.2%、9.6%，若以全年來看，臺灣封測產(chǎn)業(yè)全年年增率達10.1%，優(yōu)于全球7.4%水準。
矽品認為，目前IC封測產(chǎn)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)有3，包括平均單價隨著整體電子產(chǎn)業(yè)腳步而下滑，材料成本高升仍是主要的壓力，尤其是金和銀單價節(jié)節(jié)高升，其中金價從每盎司400元急漲到1,500美元，成為侵蝕毛利率的主因，以及材料對外商高度依賴，也是一種挑戰(zhàn)，日震帶來的斷鏈危機就是活生生的例子。
另外，新的挑戰(zhàn)來自于新技術如晶圓級植凸塊、晶片尺寸封裝(CSP)、矽穿孔(TSV)等，推升上游IC晶圓廠也延伸到后段制程，使得IC封測廠和晶圓廠成為既合作又競爭的局面。
此外，當IC體積縮小，卻又必須達到高效能、低耗電、低成本等要求，矽品認為，這已帶動銅柱、層疊封裝和TSV 3D IC興起。3D IC將是后PC時代主流，現(xiàn)在也已看到臺灣多家封測大廠包括日月光、矽品、力成等，均積極部署3D堆疊封裝技術，預期2011年為3D IC起飛的元年，2012年起將可以見到明顯增溫態(tài)勢。
據(jù)指出，未來要達到異質IC封裝的水準，將會以多晶片封裝(MCP)技術為主，可應用于微機電(MEMS)、影像感測? CIS)等產(chǎn)品上。另外，包括晶圓級封裝等高階的封裝技術，將成為2012年封裝業(yè)者的獲利關鍵。
根據(jù)Yole預測顯示，整體IC封裝量自2007~2012年的復合成長率為9%，若以封裝型態(tài)區(qū)分，則又以晶圓級封裝和QFN成長力道最大，成長率皆達20%。
Prismark則估計，2009年整體IC封裝數(shù)量為1,440億顆，預測2014年將成為2,100億顆，成長率為45%，其中覆晶封裝和晶圓級封裝占比從2009的11.7%，上升到2014年的15.7%。若單指無線通訊IC封裝，打線封裝比重將自2010年底的80%，下滑到2012年底的30%，覆晶和晶圓級封裝同期比重也分別從15%和5%，上升到45%和25%。Prismark認為，在IC要求降低成本和容量增加下，帶動覆晶和晶圓級封裝需求攀升。
拓樸日前也預估，臺灣封測產(chǎn)業(yè)第3、4季的產(chǎn)值，將分別達4= 2億美元、44.1億美元，季增率分別為7.2%、9.6%，若以全年來看，臺灣封測產(chǎn)業(yè)全年年增率達10.1%，優(yōu)于全球7.4%水準。
矽品認為，目前IC封測產(chǎn)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)有3，包括平均單價隨著整體電子產(chǎn)業(yè)腳步而下滑，材料成本高升仍是主要的壓力，尤其是金和銀單價節(jié)節(jié)高升，其中金價從每盎司400元急漲到1,500美元，成為侵蝕毛利率的主因，以及材料對外商高度依賴，也是一種挑戰(zhàn)，日震帶來的斷鏈危機就是活生生的例子。
另外，新的挑戰(zhàn)來自于新技術如晶圓級植凸塊、晶片尺寸封裝(CSP)、矽穿孔(TSV)等，推升上游IC晶圓廠也延伸到后段制程，使得IC封測廠和晶圓廠成為既合作又競爭的局面。
此外，當IC體積縮小，卻又必須達到高效能、低耗電、低成本等要求，矽品認為，這已帶動銅柱、層疊封裝和TSV 3D IC興起。3D IC將是后PC時代主流，現(xiàn)在也已看到臺灣多家封測大廠包括日月光、矽品、力成等，均積極部署3D堆疊封裝技術，預期2011年為3D IC起飛的元年，2012年起將可以見到明顯增溫態(tài)勢。
據(jù)指出，未來要達到異質IC封裝的水準，將會以多晶片封裝(MCP)技術為主，可應用于微機電(MEMS)、影像感測? CIS)等產(chǎn)品上。另外，包括晶圓級封裝等高階的封裝技術，將成為2012年封裝業(yè)者的獲利關鍵。
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