良率/導(dǎo)電效果俱佳　覆晶封裝嶄露鋒芒

時(shí)間：2011-05-02 06:00:00

關(guān)鍵字：封裝 LED封裝晶片封裝技術(shù)

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[導(dǎo)讀]相較于傳統(tǒng)發(fā)光二極體(LED)封裝技術(shù)，F(xiàn)lip Chip(覆晶，又稱(chēng)倒晶)封裝技術(shù)兼具良率高、導(dǎo)熱效果強(qiáng)、出光量增加、薄型化等特點(diǎn)，因此逐漸在LED封裝領(lǐng)域嶄露頭角，惟初期投資成本較大、每小時(shí)產(chǎn)量(UPH)遠(yuǎn)較傳統(tǒng)制程低，

相較于傳統(tǒng)發(fā)光二極體(LED)封裝技術(shù)，F(xiàn)lip Chip(覆晶，又稱(chēng)倒晶)封裝技術(shù)兼具良率高、導(dǎo)熱效果強(qiáng)、出光量增加、薄型化等特點(diǎn)，因此逐漸在LED封裝領(lǐng)域嶄露頭角，惟初期投資成本較大、每小時(shí)產(chǎn)量(UPH)遠(yuǎn)較傳統(tǒng)制程低，將為L(zhǎng)ED封裝廠商戮力克服的開(kāi)發(fā)挑戰(zhàn)。

億光電子研發(fā)三處副處長(zhǎng)徐錫川表示，覆晶封裝前景可期，已為L(zhǎng)ED封裝業(yè)者競(jìng)相導(dǎo)入的技術(shù)。
億光電子研發(fā)三處副處長(zhǎng)徐錫川表示，覆晶封裝技術(shù)具備散熱佳、出光面積增大、小型化及良率高的優(yōu)勢(shì)，因此逐步獲得市場(chǎng)青睞，然囿于初期投資金額可觀，以及UPH不及傳統(tǒng)綁晶(Die+Wire Bond)制程，因此墊高新進(jìn)業(yè)者進(jìn)入門(mén)檻，同時(shí)成為L(zhǎng)ED封裝商積極解決的技術(shù)桎梏。

傳統(tǒng)綁晶制程具有初期投資金額低、產(chǎn)能高及可沿用既有生產(chǎn)設(shè)備優(yōu)點(diǎn)，然卻有散熱不易、小型化封裝良率難提升、需高溫接合等缺陷。有別于傳統(tǒng)LED封裝的固晶方式，覆晶封裝系將晶片直接翻轉(zhuǎn)對(duì)位于基板上的金凸塊(Bump)，再藉由外加能量達(dá)到固晶目的。該技術(shù)有助于縮短LED制程于高溫烘烤時(shí)間，以減低物料熱應(yīng)力，且制程簡(jiǎn)化易于良率控管，此外，由于晶片所產(chǎn)生的熱經(jīng)由金凸塊傳導(dǎo)至基板上，故導(dǎo)熱效果佳，以及去除晶片上電極遮擋出光面積之下，致使出光量增加。該封裝制程要求物料品質(zhì)，即基板鍍層、晶片電極，以及瓷嘴設(shè)計(jì)、金線材質(zhì)/線經(jīng)及制程參數(shù)。

節(jié)能燈發(fā)光效率、節(jié)能、壽命、體積及環(huán)保皆不及LED，再加上英國(guó)衛(wèi)生部發(fā)布關(guān)于節(jié)能燈的警告，打破節(jié)能燈將導(dǎo)致汞釋放的嚴(yán)重危險(xiǎn)，并造成環(huán)境污染，因此盡管現(xiàn)階段LED價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力不敵節(jié)能燈，后勢(shì)仍深具潛力。為加速LED普及，覆晶封裝技術(shù)將可望在市場(chǎng)中嶄露頭角，吸引各LED封裝廠爭(zhēng)相布局。