力成受匯損拖累　上季毛利率降至25.1%

胡皓婷／臺(tái)北 記憶體封測(cè)大廠力成科技25日召開法說會(huì)，該公司董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，受惠于智慧型手機(jī)(Smartphone)和平板電腦(Tablet)的帶動(dòng)，Mobile DRAM需求十分強(qiáng)勁，第2季起將增溫。針對(duì)2011年的規(guī)畫，蔡篤恭表示，2011年總資本支出將達(dá)新臺(tái)幣100億元，除擴(kuò)產(chǎn)外，也將興建3D IC的實(shí)驗(yàn)室以為后續(xù)儲(chǔ)備成長(zhǎng)動(dòng)能，并預(yù)期整年度營(yíng)收年增率將達(dá)10~15%。不過，2010年第4季的毛利率受到新臺(tái)幣強(qiáng)勁升值的拖累而降至25.1%，公司認(rèn)為匯率問題仍是未來一大隱憂。

力成2010年第4季受惠于NAND Flash及Mobile DRAM需求強(qiáng)勁的帶動(dòng)，單季合并營(yíng)收突破新臺(tái)幣100億元大關(guān)，達(dá)100.57億元，季增2.2%。

不過，因新臺(tái)幣升值的干擾，使得公司單季毛利率從上季的28%下滑至25.1%。整體2010年來看，力成營(yíng)運(yùn)成績(jī)亮眼，每股純益為新臺(tái)幣10.53元，賺進(jìn)1個(gè)資本額以上。

針對(duì)2011年第1季來看，蔡篤恭指出，除匯率變動(dòng)外，目前各家DRAM廠均將產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3 2Gb，而爾必達(dá)于2010年第4季進(jìn)行減產(chǎn)，減少DDR3 1Gb的產(chǎn)能，預(yù)期實(shí)際產(chǎn)出將在第1季開始減少，故緊接著DDR3 1Gb的供給可能會(huì)出現(xiàn)吃緊。

另外，在NAND Flash部分，東芝日前發(fā)生跳電事件，已影響產(chǎn)能，! 1月時(shí)相關(guān)訂單便見減少。再加上，平均產(chǎn)品價(jià)格(ASP)也將下降3%，故預(yù)= 公司第1季業(yè)績(jī)將較2010年第4季下滑3%。

不過，因Mobile DRAM市場(chǎng)需求依然強(qiáng)勁，且客戶在40奈米2Gb的DRAM產(chǎn)品良率已提升至9成以上，至第2季時(shí)Mobile DRAM需求增溫，第2季需求將較第1季倍增，挹注營(yíng)收。

蔡篤恭表示，公司在第1季也將新增記憶體及邏輯產(chǎn)品客戶。其中，NAND Flash部分的新進(jìn)客戶，1個(gè)月約會(huì)增加1,000萬顆的訂單；而美系邏輯產(chǎn)品客戶已進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。

展望2011年布局，蔡篤恭指出，因應(yīng)客戶產(chǎn)品轉(zhuǎn)換，力成2011年資本支出將達(dá)100億元，其中，為因應(yīng)Mobile DRAM市場(chǎng)需求，約20億元用以擴(kuò)充行動(dòng)記憶體封裝及測(cè)試產(chǎn)能。

另外，力成把10億元用以建置3D IC實(shí)驗(yàn)室，預(yù)計(jì)3月底破土，4月引進(jìn)第1期設(shè)備，至2012年中投入量產(chǎn)，相較效應(yīng)將于2012~2015年間實(shí)現(xiàn)。